【課題】 ナノインプリントリソグラフィーにおいて従来使用されているF-SAMと遜色ない離型性を有し、耐久性の点でさらにすぐれている離型処理方法および離型膜を提供する。
【解決手段】 ナノインプリント用モールドの表面に設ける離型膜として、ポリジメチルシロキサン（PDMS）薄膜を使用する。上記のポリジメチルシロキサン薄膜は、ポリジメチルシロキサンの片側末端にシランカップリング基が結合した化合物を用いてモールド表面に成膜するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッチングを行わずに残膜除去処理を行うことが可能なパターン転写方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン転写方法では、被加工基板上に光反応性樹脂を形成する。さらに、前記方法では、凹凸パターンを有する透明基板と、前記凹凸パターンの表面の一部に形成された遮光膜と、を備えるモールドを前記光反応性樹脂に押印する。さらに、前記方法では、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記モールドを介して前記光反応性樹脂に光を照射する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂に光を照射した後に、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記光反応性樹脂を加熱する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂の加熱後に、前記モールドを前記光反応性樹脂から離型する。さらに、前記方法では、前記モールドの離型後に、前記光反応性樹脂を洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 インプリントにおけるテンプレートの検査を短期間で確実に行うことができ、インプリント装置の稼働率の向上及び生産性の向上に寄与する。
【解決手段】 実施形態のインプリント方法は、テンプレートを作製するためのパターンデータを元に、テンプレートの検査で用いるレジスト材の塗布条件を決定し、決定された塗布条件にて検査用基板３０上にレジスト材１１を塗布する。レジスト材１１にテンプレート２０を接触させ該レジスト材１１を一定時間硬化させた後に、テンプレート２０をレジスト材１１から剥離することにより、検査用基板３０上にレジストパターンを形成する。検査用基板３０上に形成されたレジストパターンを検査し、テンプレート２０の使用可否判定を行う。そして、使用可能と判定されたテンプレート２０を用いて、被加工基板上にレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 照明系と検出系の配置上の干渉を避け、基板と型に形成されたマークを同時に検出する検出系の検出開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることができるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、基板に形成されたマークと型に形成されたマークに光を照射し、基板に形成されたマークと型に形成されたマークから反射した光を受光素子に導く検出系と、リレー光学系と、を備え、リレー光学系は型を介してマークから反射した光をリレー光学系と検出系の間で結像させ、検出系はリレー光学系が結像させた光を受光素子に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、パターン形成にかかる時間を短縮しつつ、インプリントリソグラフィ法において、硬化性樹脂をパターン形成用テンプレートのパターン溝に充填する際に生じる充填欠陥を低減することができ、加えて、異物によるパターン形成用テンプレートの欠損を避けることができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、硬化性樹脂にパターン形成用テンプレートを接触させて、被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成するものであり、硬化性樹脂を塗布する前に、被加工基板上にある異物の位置情報を測定し、記憶し、記憶された異物の位置情報に基づいて、異物粉砕テンプレートを異物に押し付けることにより異物を粉砕し、次いで、粘着膜が貼付けされた除去用テンプレートを粉砕された異物に接触させて粘着することにより異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】頂部の位置が異なるパターンの種類が増えても工数を増やすことなく作製できるインプリントモールドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持板体１１表面に所定深さの凹部１２を形成する凹部形成工程Ｓ１２と、
この凹部及び支持板体表面に開口する樹脂被覆１６Ｂをパターニングして形成する樹脂パターニング工程Ｓ１５と、
開口部１６ｂ内に充填して充填部１８を形成する充填部形成工程Ｓ１６と、
樹脂被覆を除去する樹脂剥離工程Ｓ１７と、
を有し、
凹部の深さ寸法ｈ１と充填部の高さ寸法ｈ２とを組み合わせて、凹部の底面１２ａを基準とする複数の異なる高さ寸法を有する凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム基材の腐食を抑制できるナノインプリント用モールドの製造方法の提供。
【解決手段】アルミニウム基材１０の表面に、複数の細孔６２を有する陽極酸化アルミナ６４が形成されたナノインプリント用モールドを製造する方法であって、アルミニウム基材の表面を陽極酸化して複数の細孔６２を有する酸化皮膜６４を形成した後、該酸化皮膜の少なくとも一部を処理液中で除去する除去工程を有し、除去工程にて、アルミニウム基材と接触する部材の、該アルミニウム基材と接触する部分の材質が、前記アルミニウム基材と同じ材質である、ナノインプリント用モールドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】テンプレートをパターンから離型する工程において、パターンが破壊することを防止するインプリント用テンプレート及びインプリント方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、インプリント用テンプレートは、１面に凹凸パターンを有するテンプレートであって、光透過性を有する基材と、前記基材上に設けられ、前記凹凸パターンの凸部となる樹脂層とを備えている。前記樹脂層は、第１波長の光の照射により収縮して体積が小さくなり、前記第１波長とは異なる第２波長の光の照射により膨張して体積が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】基板上の欠け領域に対するインプリントに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板上のインプリント材を型で成形して硬化させ、前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、前記供給部による前記供給の動作を制御する制御部と、を有し、前記供給部は、第１インプリント材と、前記型に対する前記第１インプリント材の静止接触角より大きい静止接触角を有する第２インプリント材とを前記基板上に供給し、前記制御部は、前記型の第１領域でインプリント材を成形し、且つ、前記型の第２領域でインプリント材を成形しない場合、前記第１領域内の前記第２領域に隣接しない第３領域内に前記第１インプリント材が供給され、前記第１領域内の前記第２領域に隣接する第４領域内に前記第２インプリント材が供給されるように、前記供給部による前記供給の動作を制御する、ことを特徴とするインプリント装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】モールドに、別途、離型層を設けることなく所定のパターンを転写した被成形物を良好に離型する。
【解決手段】モールド３０に形成された所望のパターンを被成形材料に転写することで被成形物を成形するインプリントでの被成形物からモールド３０を引き離す離型方法において、被成形物とモールド３０との離型力を低減させるように、前記被成形物を収縮させる収縮工程と、収縮工程後、被成形物からモールド３０を引き離す離型工程とを備えることで実現する。 （もっと読む）

【課題】モールドに対するインプリント材の供給に有利な技術を提供する。
【解決手段】基部と該基部から突出した型部とを含むモールドで基板上の第１インプリント材を成形して硬化させ、さらに離型して、前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、制御部と、を有し、前記供給部は、前記第１インプリント材と第２インプリント材とを供給可能に構成され、前記制御部は、前記型部に隣接する前記基部に前記第２インプリント材が供給されるように前記供給部による前記供給の動作を制御し、且つ、前記制御により前記基板上に供給された前記第２インプリント材に対して前記インプリント処理を実行させる、ことを特徴とするインプリント装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶配向用の基板として好適に利用できる表面微細凹凸体の製造方法を提供する。
【解決手段】熱収縮フィルム基材上に少なくとも一層以上の硬質層を備え、該硬質層の表面に形成された凹凸パターンの最頻ピッチが０．０５μｍを超え１μｍ以下で、凹凸パターンの深さが最頻ピッチを１００％とした際の５％以上で、かつ配向度が０．２５以下でピッチが略均等である液晶配向用のナノバックリング形状を有する表面微細凹凸体。 （もっと読む）

【課題】 パターンの転写により基板に局所的な歪みが発生するような場合でも、歪みの影響を低減してパターンを基板に転写するインプリント装置を提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、複数の領域に分かれ、複数の領域のそれぞれの吸着力を変えることができ、基板を保持する基板保持機構と、制御部と、を備え、制御部は、基板に複数のショットを形成する際、互いに隣接し合わない複数のショットにパターンを転写するインプリント動作を制御し、複数の領域のうちパターンが転写されたショットに対応した基板保持機構の領域の吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度で、且つ、低コストで半導体装置を製造するインプリント装置の動作方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、インプリント装置は、データ記憶手段と、制御手段と、転写手段とを有し、制御手段が、テンプレート毎に、データ記憶手段に記憶された、テンプレートの作製履歴データと、テンプレートの表面に形成されたパターンのパターンデータと、テンプレートを用いて硬化性樹脂に転写して得られたパターンの転写パターンデータとの少なくとも１つを読み出し、読み出されたデータに基づいて、あらかじめ準備した複数のグループの中から、テンプレートが紐付けられるべき１つのグループを選択し、あらかじめ準備した複数のインプリント条件の中から、選択されたグループに一対一対応するインプリント条件を選択し、転写手段により、選択されたインプリント条件に従って、テンプレートを用いて転写する。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成する雰囲気にかかわらず、パターン形成性に優れ、かつ、パターンの欠陥が少ないインプリント用硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）炭素−炭素多重結合を有する化合物、（Ｂ）分子量１５００以下のＳｉ−Ｈ結合を有する化合物、ならびに（Ｃ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物、または、（ＡＢ）分子量１５００以下の炭素−炭素多重結合およびＳｉ−Ｈ結合を有する化合物、ならびに、（Ｃ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】モールドの表面に溝部の幅が１００ｎｍ以下の微細凹凸構造だけでなく、比較的広い溝部の幅（好ましくは１００〜１００００ｎｍ）を有する微細凹凸構造も形成することが可能な微細構造形成用母型を提供すること。
【解決手段】２種以上の樹脂により形成された２種以上の樹脂層を備える積層体からなり、該積層体の外表面のうちの前記樹脂層の積層方向と略平行な外表面に、溝部を備える凹凸構造を有し、前記溝部の底面が、前記２種以上の樹脂層のうちの１種の樹脂層（Ａ）の端面の少なくとも一部を含むものであり、前記溝部の底面の長手方向が前記樹脂層（Ａ）の端面の長手方向と略平行であることを特徴とする微細構造形成用母型。 （もっと読む）

【課題】 被転写物である被転写材料層の形態に応じて、より小さな剥離力での剥離が可能となり、被転写物である樹脂がモールドに付着するという不都合の発生を回避できるインプリント方法とインプリント装置とを提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント方法は、被転写材料層からモールドを引き離す剥離工程において、モールドまたはインプリント用の基板に対して引き剥がしの力を加える力点を２つ以上存在させるとともに、少なくとも２つの力点が、力点からモールドと被転写材料層との接触領域の最外周までの距離が互いに異なるように設置し、少なくとも２つの力点に引き剥がしのための力を作用させる引き剥がし操作を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】離型剤を用いることなく、離型力を大幅に低減させて、被成形物からモールドを容易に離型させる。
【解決手段】モールド３０に形成されたナノメートルオーダーの所望のパターンを被成形材料に転写することで被成形物を成形するナノインプリント装置１において、モールド３０と被成形物との間に気体を吹き付け、モールド３０と被成形物との間に入り込んだ気体によって、モールド３０と被成形物との間の圧力を上昇させる。具体的には、モールド３０と被成形物との間の圧力上昇が、少なくともモールド３０と被成形物とを含む空間の圧力に近付くよう、気体を吹き付け、モールドと被成形物との間に入り込ませる気体の量を制御することで実現する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に密着剤を適切に成膜しつつ、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハの表面に離型剤を成膜するウェハ処理では、先ず、塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射し、当該ウェハの表面を洗浄する（工程Ａ２）。続いて、同塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射しながら、当該ウェハの表面に密着剤を塗布する（工程Ａ３）。その後、リンスユニットにおいて、ウェハ上の密着剤をリンスして、当該密着剤の未反応部を除去する（工程Ａ４）。こうしてウェハの表面に密着膜が所定の膜厚で成膜される。 （もっと読む）

【課題】基板上にシランカップリング剤を適切に成膜し、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】テンプレートＴの表面に紫外線を照射し、当該表面を洗浄する（図１１（ａ））。その後、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布する（図１１（ｂ））。その後、テンプレートＴの離型剤Ｓ上にアルコールＡを塗布する（図１１（ｃ））。その後、テンプレートＴ上の離型剤Ｓに超音波振動を付与する（図１１（ｄ））。この超音波振動により、テンプレートＴの表面と離型剤Ｓとの化学反応が促進され、当該テンプレートＴの表面と離型剤Ｓとの密着性が向上する。その後、テンプレートＴ上の離型剤Ｓをリンスし、当該テンプレートＴ上に転写パターンに沿った離型膜Ｓ_Ｆを成膜する（図１１（ｅ））。 （もっと読む）