【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。
【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマＣＶＤにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層３２に積層された絶縁層３４を貫通するホール３５に、その内表面の全体が含まれるように触媒層３６，３７を形成した後、ホール３５の内部にシースＳｈが形成され、且つホール３５の内壁面３５ａに対するシースの厚さがホール３５の底壁面３５ｂに対するシースＳｈの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール３５の内壁面３５ａに形成された触媒層３６，３７をプラズマ中のスパッタ粒子Ｓｐによって除去した後、ホール３５の底壁面３５ｂに残された触媒層３６，３７を用いて該底壁面３５ｂからカーボンナノチューブ３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】平均直径２ｎｍ未満の単層カーボンナノチューブを長尺化できるカーボンナノチューブ成長用基板を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一で大面積のグラフェン膜を形成する製造技術を提供することにある。
【解決手段】所定の基材２上において、基材上に形成された炭素含有層３と、前記炭素含有層上に形成された炭素化合物層４を有する基板１に対してアニーリングを実施することによりグラフェン膜５を製造する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。
【解決手段】触媒層３１を表面に形成した搬送ベルト１９により反応炉１内に搬入して昇温領域３及び反応領域２を順に搬送し、昇温領域３を通過した触媒層を反応領域２に移送して原料ガスにより触媒層上にＣＮＴを成長させる。拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】触媒層上に秀麗な配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。また、前記基板層２がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層４、前記Ａｌ層６及び前記触媒層８を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。４００℃以上、好適には５００℃以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層４を形成して、ＣＮＴ合成時に耐熱性樹脂層４が基板層２と樹脂層８との反応を防ぎ、触媒層８上に配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収しても基板層２の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層２の再利用を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高いせん断接着力と高い熱伝導率を有する繊維状柱状構造体集合体を提供する。さらに、このような繊維状柱状構造体集合体を用いた放熱部材を提供する。
【解決手段】本発明の繊維状柱状構造体集合体は、複数の繊維状柱状構造体を備える繊維状柱状構造体集合体であって、該繊維状柱状構造体の表面に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導材料から形成される表面コート層を有し、該表面コート層の厚みが２ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
【解決手段】基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】
カーボンナノチューブを導電材して用いた透明導電複合材において、透明導電性の高い透明導電複合材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
透明基材上に、カーボンナノチューブを溶媒に分散した分散液を塗布後、該分散液中の溶媒を蒸発させて除去し、カーボンナノチューブ含有層を形成する透明導電複合材の製造方法であって、
分散液を塗布する面の水接触角を３５〜５５°となるよう調整した透明基材上に、以下の（Ａ）および／または（Ｂ）の特性を満たす様に調整したカーボンナノチューブの濃度が０．０２〜０．１５質量％の分散液を塗布することを特徴とする透明導電複合材の製造方法。
（Ａ）ｐＨが６〜１０
（Ｂ）カーボンナノチューブの濃度を０．００３質量％に希釈した分散液のゼータ電位が−６０ｍＶ〜−４０ｍＶ （もっと読む）

【課題】結晶欠陥及び触媒金属の含有量が少なく、所望の優れた特性を有するＣＮＴ集合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。これにより、結晶欠陥を多く含むＣＮＴ部分や、ＣＮＴ垂直配向膜の上部に付着した触媒金属を、効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比が、０．１以上であり、窒素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比（Ｎ／Ｃ比)が、０．１〜０．２５の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】導電性及び可撓性に優れたカーボンナノチューブ電極を形成することができるカーボンナノチューブ電極用構造体、カーボンナノチューブ電極及び色素増感太陽電池を提供すること。
【解決手段】金属基板３と、金属基板３に担持され、カーボンナノチューブ膜２を形成する際に触媒として作用する金属触媒４とを備えており、金属基板３が、第１主面５ａ及び第１主面５ａと反対側の第２主面５ｂを有する本体部５と、本体部５の第１主面５ａ及び第２主面５ｂの少なくとも一方を被覆する金属被膜６ａ，６ｂとを有しており、本体部５が、鉄、クロム、コバルト、ニッケル及びチタンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、金属被膜６ａ，６ｂがアルミニウムを含むカーボンナノチューブ電極用構造体１。 （もっと読む）

【課題】剥離しにくい電極端子を有する所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極端子１８，２０を取り付ける。電極端子１８，２０は、下地をなすＴｉ層とＭｏ，Ｎｉ，Ｔａ及びＷからなる群より選ばれた金属を主成分とする保護層とをこの順で積層した構造を持つ。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。さらに、触媒金属層１６の側面にＴｉを形成してこれをマスク材１７とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法でカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）生成用基材の再利用可否を判定することができ、該基材をそのまま再利用してＣＮＴの製造に供するか、再生処理を行うかを効率よく分類できる判定方法、および該判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材をＣＮＴの製造に用いることで、安定して高い収率でＣＮＴを製造することができる製造方法を提供する。
【課題手段】 基板および該基板の表面に設けられた触媒層を有する基材の、触媒層上にＣＮＴを形成し、次いで該基材からＣＮＴを剥離して得られる基材の、触媒層の水に対する接触角を測定する工程を含む、ＣＮＴ生成用基材の判定方法；ならびに該判定方法に基づき、該基材の再利用可否を判定する工程、およびその判定結果に基づき必要に応じ再生処理を行なった基材上にＣＮＴを形成する工程、を含むＣＮＴの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層のカーボンナノチューブを製造するのに有利な多層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒粒子を担持させた基体をＣＶＤ装置の反応容器内に配置した状態で、カーボンナノチューブ形成温度に基体を維持させると共に、炭素源を含む原料ガスをＣＶＤ装置の反応容器に導入させることにより、触媒粒子を有する基体の表面にカーボンナノチューブ集合体を基体の表面に形成する。担持後であって原料ガスを反応容器内に導入させる前に、触媒粒子を担持した基板を反応容器内において所定時間加熱させて基体上の触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させる。 （もっと読む）

【課題】グラフェン膜と金属電極との接触面積（基板上の占有面積）を抑制しつつ、それらの間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記回路は、前記グラフェン膜と該グラフェン膜に直接接合する第１の金属電極と該グラフェン膜に直接接合する第２金属電極とを有し、前記第１の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上と前記第２の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90％以上とが、高濃度のp型または高濃度のn型にドープされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体をより均一に製造する。
【解決手段】カーボンナノチューブの触媒層を表面に有する基材上に、カーボンナノチューブの原料ガス、触媒賦活物質及び希釈ガスを含む原料ガス混合物を供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、成長炉内に上記基材を設置する工程と、上記触媒層に噴射部から上記原料ガス混合物を噴射する工程と、を含み、上記触媒層と上記噴射部との距離Ｈの４倍以上の幅Ｗを上記触媒層が有し、上記希釈ガスが窒素を含み、上記触媒賦活物質が二酸化炭素を含む。 （もっと読む）