カルボニル化生成物と第ＶＩＩＩ族カルボニル化触媒金属および／または促進剤金属と腐食金属と必要に応じアルカリもしくはアルカリ土類金属とを含む液体組成物からの第ＶＩＩＩ族カルボニル化触媒金属および／または促進剤金属の選択的除去方法につき開示する。この方法は、液体組成物をチオ尿素官能基を有するキレート樹脂と接触させることからなっている。この方法は、カルボン酸および／または無水カルボン酸の製造から得られるプロセス流を処理するのに適する。 （もっと読む）

本発明は、式
【化１】


〔式中、
Ｒは所望により置換されていてよいアルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり；
Ｒ'およびＲ”は独立して、所望により置換されていてよいアルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールである。〕
のビピリミジニルジホスフィン化合物、またはそのエナンチオマー；またはそのエナンチオマー混合物を提供する。式(Ｉ)の化合物は、キラルアトロプ異性ビピリミジニルジホスフィン化合物であり、故に、様々な不斉反応、例えば、パラジウム触媒不斉アリル位置換反応に適用し得るキラル遷移金属触媒を産生するためのリガンドとして用い得る。本発明の化合物は、ここに記載の方法に従って、高エナンチオマー純度で容易に入手可能である。
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本発明は、炭素で変性された二酸化チタン（ｖｌｐ−ＴｉＯ₂）を基礎とする、昼光で活性な高効率の光触媒およびその製造方法に関する。ｖｌｐ−ＴｉＯ₂は微細粒のチタン化合物（ＢＥＴ≧５０ｍ²／ｇ）と炭素含有物質とを混合し、続いて４００℃までの温度で熱処理することによって製造される。炭素含有量は０．０５〜４質量％、有利には０．４〜０．８質量％である。生成物は約２．００３のｇにおける１．９７〜２．０５のｇ値の範囲においてだけ有意なＥＳＲ信号を示すことを特徴とする。本発明による光触媒は、液体および気体における汚染物質および有害物質の無機化（酸化）に適している。 （もっと読む）

式（Ｉ）又は（Ｉ'）：［式中、Ｒ₁は、水素原子又はＣ₁−Ｃ₄−アルキルであり、かつＲ'₁は、Ｃ₁−Ｃ₄−アルキルであり；Ｘ₁及びＸ₂は、それぞれ相互に独立に、第２級ホスフィン基であり；Ｒ₂は、水素、Ｒ₀₁Ｒ₀₂Ｒ₀₃Ｓｉ−、Ｃ₁−Ｃ₁₈−アシル（ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁−Ｃ₈−アルコキシ又はＲ₀₄Ｒ₀₅Ｎ−により置換されている）、又はＲ₀₆−Ｘ₀₁−Ｃ（Ｏ）−であり；Ｒ₀₁、Ｒ₀₂及びＲ₀₃は、それぞれ相互に独立に、Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル、非置換又はＣ₁−Ｃ₄−アルキル−若しくはＣ₁−Ｃ₄−アルコキシ−置換のＣ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであり；Ｒ₀₄及びＲ₀₅は、それぞれ相互に独立に、水素、Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル、Ｃ₃−Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであるか、あるいはＲ₀₄及びＲ₀₅は、一緒になってトリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン又は３−オキサペンチレンであり；Ｒ₀₆は、Ｃ₁−Ｃ₁₈−アルキル、非置換又はＣ₁−Ｃ₄−アルキル−若しくはＣ₁−Ｃ₄−アルコキシ−置換のＣ₃−Ｃ₈−シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリール又はＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキルであり；Ｘ₀₁は、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり；Ｔは、Ｃ₆−Ｃ₂₀−アリーレンであり；ｖは、０又は１〜４の整数であり；Ｘ₁は、Ｔ−Ｃ^*結合に対してオルト位に結合しており；そして^*は、ラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーの混合物、又は純粋なラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーを意味する］で示される化合物は、プロキラルな有機不飽和化合物のエナンチオ選択的水素化のための金属錯体における優れたキラル配位子である。
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固定床水素化処理システム、さらに、既存の仮定床水素化処理システムをアップグレードする方法は、コロイドまたは分子触媒を使用して１つまたは複数のスラリ相反応炉内の重油原料を予備的にアップグレードし、多孔質担持触媒を使用して１つまたは複数の固定床反応炉内のアップグレードされた原料をさらに水素化処理することを伴う。コロイドまたは分子触媒は、触媒前駆体組成物を重油原料の中に入れて緊密に混合し、原料の温度をコロイドまたは分子触媒をその場に形成するための前駆体組成物の分解温度よりも高くすることにより形成される。他の方法では大きすぎて固定床触媒の孔の中に拡散できないアスファルテンまたは他の炭化水素分子は、コロイドまたは分子触媒によりアップグレードすることができる。１つまたは複数のスラリ相反応炉を構築し、既存の固定床システムの１つまたは複数の固定床反応炉から上流に配置し、および／または１つまたは複数の既存の固定床反応炉から転換することができる。
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６価クロム酸化物系触媒と、クロム種に対して過剰モルの固体還元剤とを攪拌状態下で接触させ、３０〜１０００℃の範囲の温度に得られた混合物を付すこととを含む６価クロム酸化物系触媒の還元法。この方法は簡単であり、低コストであり、毒性のリスク無しに廃棄しうる永久還元クロム触媒を得ることができる。 （もっと読む）

水素の存在下で酸素による、対応する部分的に酸化された炭化水素、好ましくはＣ₃〜Ｃ₈オレフィンオキシド、好ましくはプロピレンオキシドへの、炭化水素、好ましくはＣ₃〜Ｃ₈オレフィン、例えばプロピレンのヒドロ酸化のための方法及びヒドロ酸化触媒。この触媒は、チタノシリケート、好ましくはＴＳ−１上に堆積された、金、銀、１種若しくはそれ以上の白金族金属、１種若しくはそれ以上のランタニド希土類金属又はこれらの混合物からなり、チタノシリケートがマイクロ波加熱によって製造されることを特徴とする。
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本発明は二酸化チタン（ＴｉＯ_２）をベースとし、そしてＵＶ範囲、特に長波長ＵＶＡ範囲の光子を吸収可能である光触媒特性及び汚れ防止特性を有する層の改質に関係し、可視スペクトルの光子も吸収する特性を提供するために、前記ＴｉＯ_２系の層は基材に直接的に適用されるかまたは少なくとも一の機能副層の挿入を伴って適用される。本発明は、望ましい可視光の光子吸収特性を得るために、ＴｉＯ_２系の層は窒素又は少なくとも一の還元ガスと窒素を含む雰囲気中で十分な時間熱処理にさらされることを特徴としており、前記基材及び必要であれば前記副層はこの熱処理に耐える能力のために選択されている。 （もっと読む）

本発明は、機械的な耐性のある長持ちするコーティングを備え、且つ使用者が取り扱うのに適した基材に関する。この基材は、コーティングが、価電子帯の上位準位と伝導帯の下位準位との間に可視範囲における波長に相当するバンドギャップを有する第２化合物と均質に組み合わされた第１の光触媒性化合物を含むことを特徴とする。本発明はまた、該基材を含むガラス、本発明の基材の利用、及びその製造方法にも関する。 （もっと読む）

場合により置換されたフェノール、脱離基で置換されたシクロアルキル、カルボネート塩、テトラヒドロフラン、及び場合により使用する相間移動試薬を組み合わせることを含む、フェノールとシクロアルキルをカップリングするための方法を提供する。また、３−ヒドロキシ−４−メトキシベンズアルデヒド、シクロペンチル化合物、カルボネート塩、溶媒、及び場合により使用する相間移動試薬を組み合わせることによって３−シクロペンチルオキシ−４−メトキシベンズアルデヒドを製造するための方法を提供する。 （もっと読む）

強酸性のイオン交換樹脂型のポリマー触媒と（コ）オリゴ重合添加剤とよりなる、ラクチド及びグリコリドの開環（コ）オリゴ重合用触媒系の使用及び該触媒系を用いるラクチド及びグリコリドの（コ）オリゴ重合法に関する。 （もっと読む）

新規な高酸化状態のメタロセン化合物、それらの化合物を調製するプロセスおよびそれらの化合物の使用であって、メタロセン化合物は、化学式（１）で表され、Ｍが４族〜１０族（ＩＵＰＡＣ、１９９０）から選択された遷移金属であり、Ｒ_ａが水素または選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、ｙが１または２の整数であり、Ｒ_ｂが水素、または、化学式（ＩＩ）、化学式（ＩＩＡ）若しくは化学式（ＩＩＢ）で表されるビニル基であって、Ｒ_ｃが水素若しくは選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、Ｒ_１およびＲ_２が選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基から別々に選択され、Ｒ_３およびＲ_４が水素若しくは選択的に置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基から別々に選択され、ｎが２若しくは３の整数である。 （もっと読む）

接触分解工程、好適には流動式接触分解工程中に発生するＮＯ_ｘを減少させる組成物を開示する。この組成物は流動式接触分解用触媒組成物、好適には孔径が約３から約７．２オングストロームの範囲でＡｌ_２Ｏ_３に対するＳｉＯ_２のモル比が約５００未満のゼオライト粒子を含有する粒状のＮＯ_ｘ減少用組成物とＹ型ゼオライトを含有する流動式接触分解用触媒組成物を含んで成る。前記ＮＯ_ｘ減少用組成物に含有させるＮＯ_ｘ減少用ゼオライト粒子を好適には無機結合剤と結合させておく。別法として、前記ＮＯ_ｘ減少用ゼオライト粒子を分解用触媒の中に前記触媒の一体化成分として取り込ませる。本発明に従う組成物はＦＣＣ工程条件下で稼働している流動式接触分解装置の再生装置から排出されるＮＯ_ｘ排気を転化率も分解生成物収率も実質的に変えることなく減少させるに非常に有効である。また、本組成物の使用方法も開示する。
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化学蒸着（ＣＶＤ）を用いてナノ構造を合成するためのシステムが提供される。該システムは、ハウジンングと、ハウジング内の多孔質基板と、該基板の下流面上における複数の触媒粒子とを含む。多孔質基板を通過する反応ガスとの相互作用により、該触媒粒子からナノ構造が合成され得る。成長中のナノ構造を支持させる電界を発生させるため、電極が設けられ得る。伸長した長さのナノ構造を合成するための方法も提供される。ナノ構造は、熱導体、ヒートシンク、電動機用の巻線、ソレノイド、変圧器、織物製造用、甲冑、並びに他の用途に有用である。 （もっと読む）

銀を担体に堆積させること、およびこの担体に、２５℃の水中で測定したときに最大３．５のｐＫ_ｂを有する塩基を、担体１ｋｇ当たり少なくとも５０ｍｍｏｌの量で、銀を担体に堆積するのと同時にまたはその後に堆積させることを含む、担体上に銀を含む触媒を調製する方法、この触媒、およびオレフィンを酸素とこの触媒の存在下において反応させることによってオレフィン酸化物を調製する方法。 （もっと読む）

本発明は、触媒、特に、ガス拡散電極又は触媒で覆われた膜構造中の組込みに適した白金黒又は炭素支持された白金電気触媒（前記触媒は、炭素支持体上にin-situで形成された二酸化白金の化学的還元によって得られる）に関する。 （もっと読む）

銀を担体に堆積させる前に、２５℃の水中で測定したときに最大３．５のｐＫ_ｂを有する塩基を担体に堆積させること、および銀と高選択性ドーパントを担体に堆積させることを含む、担体上に銀および高選択性ドーパントを含むエポキシ化触媒を調製する方法；このエポキシ化触媒；およびこのエポキシ化触媒の存在下においてオレフィンを酸素と反応させることによってオレフィン酸化物を調製する方法。 （もっと読む）

式（Ｉ）


［式中、Ｒ_１〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１２およびＲ_１４は、それぞれ独立に、水素、置換されていてもよいヒドロカルビル、不活性官能基であるか、互いに隣接した、Ｒ_１〜Ｒ_３およびＲ_７〜Ｒ_９の任意の２つを一緒にして環を形成することができ、Ｒ_６は水素、置換されていてもよいヒドロカルビル、不活性官能基であるか、Ｒ_７またはＲ_４と一緒になって環を形成し、Ｒ_１０は水素、置換されていてもよいヒドロカルビル、不活性官能基であるか、Ｒ_９またはＲ_４と一緒になって環を形成し、Ｒ_１１は水素、置換されていてもよいヒドロカルビル、不活性官能基であるか、Ｒ_１２またはＲ_５と一緒になって環を形成し、Ｒ_１５は水素、置換されていてもよいヒドロカルビル、不活性官能基であるか、Ｒ_１４またはＲ_５と一緒になって環を形成し、ただし、Ｒ_１３は、およびＲ_１２とＲ_１４の少なくとも１つは、置換されていてもよいＣ_１〜Ｃ_３０アルキル、置換されていてもよいＣ_４〜Ｃ_３０アルキルオキシ、ハロゲンおよび置換されていてもよいＣ_５〜Ｃ_２０アリールから独立に選択されるか、Ｒ_１３はＲ_１２またはＲ_１４と一緒になって環を形成し、またはＲ_１２はＲ_１１と一緒になって環を形成し、Ｒ_１４はＲ_１５と一緒になって環を形成し、Ｒ_１２、Ｒ_１３およびＲ_１４の少なくとも１つは置換されていてもよいＣ_４〜Ｃ_３０アルキルオキシであり；Ｍは、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒまたはＰｔから特に選択された遷移金属原子であり；ｎは遷移金属原子Ｍの形式的な酸化状態に等しく；Ｘはハロゲン化物、置換されていてもよいヒドロカルビル、アルコキシド、アミドまたは水素化物である。］を有するビス−アリールイミンピリジン配位子を含む、ビス−アリールイミンピリジンＭＸ_ｎ錯体である遷移金属錯体。本発明の遷移金属錯体、非配位アニオンを有するこれらの錯体およびこのような錯体を含有する触媒系は、無極性媒質および化学的に不活性な無極性溶媒、特に芳香族炭化水素溶媒中で良好な溶解度を有する。この触媒系を、様々な（コ）オリゴマー化、重合および二量体化反応のために使用することができる。
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基材に分散された金属粒子を作製するための方法および作製された組成物が、開示される。粒子を作製するための方法は、流体と有機金属との混合物を形成するための条件下で、この有機金属およびこの粒子状基材を、超臨界流体または亜超臨界流体に曝露する工程、この基材上に分散された有機金属を沈着させるのに十分な時間、この混合物とこの基材との接触を維持する工程、この混合物を通気する工程、それによって、この基材上にこの有機金属を吸着させる工程、および還元剤を用いて、この分散された有機金属を、分散された金属粒子に還元する工程を包含する。
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本明細書に提供されるものは、うつ病、不安及び他の関連疾患の治療に有用な５−Ht_1b受容体拮抗剤の製造に有用である中間体を製造するための新規な方法である。本発明の方法は、中間体及び最終生成物の改善された収率、純度、製造及び単離の容易さ、並びにより工業的に有用な反応条件及び作業性を提供することができる。 （もっと読む）