【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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【課題】塩化亜鉛とトリアルキルアルミニウムとを原料とし、一の反応により、ジアルキル亜鉛とジアルキルアルミニウムモノハライドとの双方を、反応過程での析出物の生成を抑制し、析出物の装置への付着や生成物への混入を抑制し、工業的規模で効率よく、純度、収率共に高く製造することを可能とする、ジアルキル亜鉛及びジアルキルアルミニウムモノハライドの製造方法を提供する。
【解決手段】塩化亜鉛とトリアルキルアルミニウムとを反応させるジアルキル亜鉛及びジアルキルアルミニウムモノハライドの製造方法であって、ハイドライド濃度が０．０１質量％以上、０．１０質量％以下のトリアルキルアルミニウムを用い、反応物からアルミニウムを実質的に含まないジアルキル亜鉛を分離した後、亜鉛を実質的に含まないジアルキルアルミニウムモノハライドを分離する。 （もっと読む）

【課題】従来のｎ型有機半導体材料は合成に高度な技術や費用が必要であり、合成が容易で高性能な半導体材料の開発が解決すべき課題としてあった。
【解決手段】本発明では、電子親和性のホウ素錯体を有機パイ電子系に導入してｎ型有機半導体材料を製造する方法を開発した。この手法はｎ型有機半導体の開発において容易に多様な半導体材料を開発する方法として有効である。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜の提供。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１８は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、リン、ホウ素、アルミニウムを示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数であり、ｎ及びｏは、各々０〜２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子に用いたときに、十分な駆動寿命、とりわけ発光輝度が初期輝度比９５％に低下するまでの時間を長くできる芳香族ジアミン含有高分子化合物を提供する。
【解決手段】重量平均分子量が３４０００〜１００００００であり、下記式（１）で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。


（Ａｒ¹〜Ａｒ⁵は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基。Ｘは連結基。） （もっと読む）

【課題】 簡便な方法よる高純度トリアルキルガリウム及びその方法の提供。
【解決手段】 炭化水素の含有量が4質量ppm未満の高純度トリメチルガリウム。 一般式（１）


（式中、Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。）で示されるトリアルキルアルミニウムと一般式（２）


（式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）で示されるトリハロゲノガリウムとを混合して反応、還流比を１０〜２５として初留分を除去し、その後、還流比を６〜１５として主留分として、一般式（３）


（式中、Ｒは、前記と同義である。）で示されるトリアルキルガリウムを得る。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−アルキルボラジンの製造の際に、合成の終了後の蒸留精製時に蒸留装置の冷却部に析出物が付着する問題を解決し、生産性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ_３）_ｎＸ（Ｒはアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、溶媒中で反応させてＮ−アルキルボラジンを合成する工程を含むＮ−アルキルボラジンの製造方法であって、前記Ｎ−アルキルボラジンを含む液であり、かつＲＮＨ_２−ＢＨ_３（Ｒはアルキル基である）で表されるアミンボランの含有量が前記Ｎ−アルキルボラジンに対して３ｍｏｌ％以下である液を蒸留することによってＮ−アルキルボラジンを精製する工程を含む、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低い操作電圧で操作することができ、エネルギー変換効率が高く、熱安定性及び動作安定性が向上した、有機材料ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】陽極、有機正孔注入及び輸送ゾーン又は層、電子注入及び輸送ゾーン又は層、及び陰極をこの順序で含む有機材料ＥＬ装置であって、電子注入及び輸送ゾーン又は層が以下の化学式（Ｉ）で表したような金属チオキシノイド化合物からなる、有機材料ＥＬ装置。
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【課題】不安定な水素化ホウ素アルカリを安定に保管し、ボラジン化合物の製造を効率的に実施する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、ＲＮＨ_３Ｘ（Ｒは水素原子またはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子である）で表されるアミン塩とを溶媒中で反応させてボラジン化合物を製造する方法において、水素化ホウ素アルカリと溶媒の混合物を、二酸化炭素が２００容積ｐｐｍ以下の雰囲気で取り扱う。 （もっと読む）

【課題】 帯電量分布がシャープで帯電量の均一性が高く、汎用性及び帯電の立ち上がり性に優れ、環境依存性が小さく、耐久性に優れ、トナーに用いられた場合のトナーの定着性やオフセット性に悪影響を与えない荷電制御剤及びそれを含有するトナーの提供。
【解決手段】 フェノール性水酸基を有する化合物１又は２分子以上と金属アルコキシド１又は２分子以上との反応により得られる金属化合物を有効成分とする荷電制御剤及びその荷電制御剤を含有する静電荷像現像用トナー。 （もっと読む）

【課題】低温領域において優れた結晶性や配向性を備えた有機半導体からなる層を形成でき、かつ大気中で作成可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる層を有する有機半導体素子の製造方法であって、基体上に有機半導体前駆体からなる層を形成する工程と、前記有機半導体前駆体に光を照射する工程と、を有し、前記有機半導体前駆体からなる層が、前記有機半導体前駆体としてビシクロ骨格を分子内に少なくとも一つ有するポルフィリン化合物またはアザポルフィリン化合物を含む有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属元素の材料への組み込みを均質にでき、組み込むべき金属元素に特異な化学作用を開発する必要がない、金属元素がドープされたポリマー材料を調製するプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、金属元素がドープされたポリマー材料を調製するプロセスに関し、少なくとも１つのエチレン性機能を含む少なくとも１つのモノマーを重合する工程を含み、このモノマーが金属元素と錯化している。
このプロセスによって得られた材料の、触媒、または発光材料もしくは磁性材料、またはレーザーターゲット用構成要素としての使用。
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【課題】有機溶剤への溶解性が高く、固体でも溶液中でも蛍光を発することができる希土類金属錯体で、特にその金属錯体の有機配位子は同じであるにもかかわらず、中心金属イオンの種類を変えるだけで、光の３原色をはじめとした種々の蛍光色を出すことが可能な希土類金属錯体及びそれを用いたインク組成物を提供する。
【解決手段】下記の式


（式中、Ｌｎは、イットリウム及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を示す。）で表される希土類金属錯体を用いることにより、有機溶剤に対する溶解性が高く、しかも、中心金属イオンの種類を変えるだけで光の３原色を得ることが可能な、インクジェット用インク組成物に適した蛍光発光材料を得る。 （もっと読む）

【課題】含ハロゲンベンゾポルフィリン、および該化合物を簡便に得ることができる新規製造方法の提供。
【解決手段】フタロニトリル（１）を還元して、イソインドール（２）を形成し、該イソインドールとトリピラン（３）とを反応させ、次いで酸化することによって、含ハロゲンベンゾポルフィリン（４）を製造する方法〔下記式中、Ｘは、ハロゲン原子、Ｙはアルキル基等を表す〕。
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少なくとも１つの金属および／または少なくとも１つの金属で構成される少なくとも１つの半導体化合物で構成される無機コアを含むナノ粒子は、コアの表面の少なくとも一部を覆って配置されたコーティングまたはシェルを含む。コーティングは、１つ以上の層を含み得る。コーティングの各層は、金属および／または少なくとも１つの半導体化合物を含み得る。ナノ粒子は、コーティングの表面に結合されたリガンドをさらに含む。リガンドは式、Ｘ−Ｓｐ−Ｚによって表され、式中、Ｘは、例えば１級アミン基、２級アミン基、尿素、チオ尿素、イミジゾール基、アミド基、ホスホン酸またはアルソン酸基、ホスフィン酸またはアルシン酸基、ホスホネートまたはアルセネート基、ホスフィンまたはアルシンオキシド基を表し；Ｓｐは、電荷移動させることが可能な基または絶縁基などのスペーサ基を表し；ならびにＺは、（ｉ）ナノ粒子に特定の化学特性を伝達可能であるのはもちろんのこと、ナノ粒子表面に特定の化学反応性を与える反応性基、ならびに／または（ｉｉ）環式、ハロゲン化、もしくは極性ａ−プロトン性である基を表す。ある実施形態において、少なくとも２つの化学的に別個のリガンドがコーティングの表面に結合され、少なくとも２つのリガンド（ＩおよびＩＩ）は式、Ｘ−Ｓｐ−Ｚによって表される。リガンド（Ｉ）では、Ｘは、ホスホン酸、ホスフィン酸、またはホスホネート基を表し、リガンド（ＩＩ）では、Ｘは、１級または２級アミン、またはイミジゾール、またはアミドを表す；両方のリガンド（Ｉ）および（ＩＩ）において、Ｓｐは、２つの化合物において同じまたは異なることが可能であり、電荷移動させることが可能な基または絶縁基などのスペーサ基を表し；Ｚは、２つの化合物において同じまたは異なることが可能であり、ナノ粒子に特定の化学特性を伝達可能であるのはもちろんのこと、ナノ粒子表面に特定の化学反応性を与える基の中から選択される基である。好ましい実施形態において、ナノ粒子は半導体材料を含むコアを含む。
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【課題】入手容易な試薬を用いて簡便かつ安価に収率良く製造でき、窒素複素環基がオキシ基に結合した配位子を有しており特異的に磁気的性質を示す銅複核錯体を提供する。その銅複核錯体から、立体選択的に製造される水酸基含有窒素複素環化合物を提供する。
【解決手段】銅複核錯体は、窒素複素環基の環上と三級窒素基とのそれらの窒素原子同士が共有結合基を介して架橋し該窒素複素環基がオキシ基に結合している対の配位子と、該対の配位子中の双方の該オキシ基を介してアルコキソ架橋している複核銅原子とを有し、該銅原子毎に、該対の配位子中の該窒素原子同士が一方ずつ配位している。水酸基含有窒素複素環化合物の製造方法は、この銅複核錯体にアンモニア水を加え、水酸基含有窒素複素環化合物を、遊離させるというものである。 （もっと読む）

【課題】結晶内に金属が連続的に近接配置されたワイヤ構造を有する錯体結晶を提供する。
【解決手段】本発明に係る錯体結晶は、錯体クラスターから構成され、その錯体クラスタは、ジベンゾイルメタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とビス（ペンタフルオロベンゾイル）メタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とを有し、それぞれの錯体平面を対向させるように交互に配置され、各錯体の中心金属間距離は４Å以下である。錯体中心の金属は同一であっても異なってもよい。 （もっと読む）

【課題】 内包フラーレンクラスターを含む組成物の各種溶媒への溶解度を改善すべく、この組成物を誘導体化する技術を提供する。
【解決手段】 内包フラーレンクラスターのアルキリデン基誘導体であって常温での溶解度が、ヘキサンに対して０．１ｍｇ／ｍＬ未満、かつ二硫化炭素に対して２ｍｇ／ｍＬ以上である誘導体およびその製造方法が提供される。望ましい形態として、アルキリデン基は架橋環構造を有し、内包フラーレンクラスターを構成するフラーレン類と結合する炭素に隣接する架橋環構造の橋頭をなしていてもよい。また、内包フラーレンクラスターの誘導体の常温における溶解度が、二硫化炭素に対して１ｍｇ／ｍＬ未満、かつ１−クロロナフタレンに対して１ｍｇ／ｍＬ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ハライドイオンの含有量が非常に少ないＮ−アルキルボラジンを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表わされる水素化ホウ素アルカリと、ＲＮＨ_３Ｘ（Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子である）で表わされるアルキルアミン塩とを溶媒中で反応させてＮ−アルキルボラジンを製造する工程を有するＮ−アルキルボラジンの製造方法であって、初期仕込み量の水素化ホウ素アルカリとアルキルアミン塩とを反応させる第１反応工程；および前記第１反応工程以降のＮ−アルキルボラジンを含む液に、水素化ホウ素アルカリをさらに添加して、水素化ホウ素アルカリとアルキルアミン塩とをさらに反応させる第２反応工程を有することを特徴とする、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造におけるＡＬＤチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）もしくはチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜製造に有用な前駆体を提供する。
【解決手段】β−ジケトネート及びＮ−メチルピロリドンの両方を含む新規なＳｒ及びＢａ錯体。例えば、Ｂａ2（ｈｆａｃ）4（ＮＭＰ）5やＳｒ2（ｔｍｈｄ）4（ＮＭＰ）4などが挙げられる。これらの錯体は揮発性であり、ＡＬＤチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）もしくはチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜のための可能な前駆体として使用することができる。 （もっと読む）