本発明は、式（Ｉ）の不飽和ジピロメテンボロンホウ素炭素及び蛍光又は蛍光若しくはエレクトロルミネセント解析のためのその使用、に関する。蛍光特性は配列−Ｎ−Ｂ−Ｎ−を含んで成る６個の炭素原子の中心にある環によって供され、Ｒ¹〜Ｒ⁷は化合物の特性（蛍光発光波長、蛍光量子収率）の変更を可能にし、置換基Ｓ¹及びＳ²の少なくとも一方は発色団の末端基を有しており、これが、発色置換基Ａと近い波長で分子が励起するのを可能にし、これは、好ましくは、紫外線のものに近い波長を有する発色置換基であって、ストークスシフトを強力に増大させるもの、から選択される。
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【課題】 新規なフラーレン誘導体を提供する。
【解決手段】 フラーレン骨格に５個の有機基の結合したフラーレン（以下５重付加フラーレンという）誘導体及びその金属錯体をアルカリ金属と反応させて得られる中間体に有機ハロゲン化合物を作用させることにより、フラーレン骨格上に更に２つの有機基が導入されて、７重付加フラーレン誘導体及びその金属錯体が得られる。更に、上記の７重付加フラーレン誘導体及びその金属錯体に有機金属試薬を反応させることにより、８重付加フラーレン誘導体及びその金属錯体が得られる。 （もっと読む）

【課題】長期間の貯蔵性を有して、更なる事前処理無しに被覆溶液を調製するために直ちに使用され得るＹＢＣＯ系超伝導体の調製のための前駆原料として適合する事前混合された粉末状前駆組成物の提供。
【解決手段】ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １：２：３の原子比を伴った各元素の塩からなる混合物を含む粉末状の前駆原料組成物からなり、その粉末前駆組成は、構成要素の適切な塩、特にトリフルオロ酢酸塩、酢酸塩またはそれらの混合物の形態で存在する。好ましくは、事前混合された粉末状前駆組成物内の含水量は１．５ｗｔ％未満であり、より好ましくは１ｗｔ％未満である。より少ない含水量は長期の貯蔵性を支援すると考えられる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス被着フィルム前駆物質の提供。
【解決手段】銅、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム又はインジウムを含有する金属ケトイミナート又はジイミナート錯体と、その製造及び使用方法が、ここに記載される。一部の態様においては、ここに記載され金属錯体は、例えば原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用可能である。 （もっと読む）

有機金属錯体、その製造方法、ならびにデバイスおよびサブアセンブリにおけるその使用を提供する。
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本発明は、ヒドロキシピリジノン誘導体−金属錯体と生体分子との複合体並びにそれらの製造方法に関する。該複合体は、ＮＭＲ診断における造影剤として適している。配位子の特殊な構成によって、高い緩和度が達成され、そしてＮＭＲＤ極大が増大する。 （もっと読む）

【課題】エーテル類の製造触媒及び電気化学ディバイス用材料として有用な一般式（１）を有するアルミン酸エステル化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）を有するアルミン酸エステル化合物


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は互いに独立に、炭素数１乃至８の直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキル基、炭素数３乃至６のアルケニル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基であり、ＯＡ_１，ＯＡ_２及びＯＡ_３は互いに独立に炭素数２乃至４のオキシアルキレン基であり、ｌは１乃至１００であり、ｍ及びｎは互いに独立に０乃至１００である。） （もっと読む）

【課題】 ホウ素原子および窒素原子の双方にアルキル基が結合しているヘキサアルキルボラジンを製造する過程において、トリアルキルボランが副生しない方法を提供する。
【解決手段】 化学式１で表されるボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させて、化学式２で表されるヘキサアルキルボラジンを製造する。式中、Ｒ^１は、同一または異なっていてもよく、アルキル基であり、Ｒ^２は、水素原子またはアルキル基であり、少なくとも１つのＲ^２が水素原子であり、Ｒ^３は、同一または異なっていてもよく、アルキル基である。
【化１】
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【課題】ＩＩＢ族およびＩＩＩＡ族化合物の改良された製造法を提供する。
【解決手段】式Ｒ^１_ａ’Ｍ１^ｂ’Ｙ^１_ｃ’（式中、各Ｒ^１は独立して（Ｃ_１−Ｃ_１０）有機基であり、Ｍ１はＩＩＢ族またはＩＩＩＡ族金属であり、各Ｙ^１は独立して（Ｃ_１−Ｃ_４）カルボキシレートまたはハロゲンであり、ａ’＝０〜２であり、ｂ’はＭ１の価数であり、ｃ’＝１〜３であり、ａ’＋ｃ’＝ｂ’である）の化合物を式Ｒ^２_ＸＭ２Ｙ^２_３−ｘ（式中、各Ｒ^２は独立して（Ｃ_１−Ｃ_１０）有機基であり、Ｍ２はＩＩＩＡ族金属であり、各Ｙ^２は独立して（Ｃ_１−Ｃ_４）カルボキシレートまたはハロゲンであり、ｘ＝１〜３である）の化合物と第３級アミンまたは第３級ホスフィンの存在下で反応させる工程を含み、Ｍ１の電気陰性度がＭ２の電気陰性度以上である化合物の調製方法。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】


（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。） （もっと読む）

【課題】ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９またはＳｒＢｉ_２（Ｔａ，Ｎｂ）_２Ｏ_９の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で製造するための原料として、不純物濃度Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎの各々≦５０ｐｐｂ、Ｂａ≦５００ｐｐｂと高純度であるＳｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２（Ｍ＝Ｎｂ，Ｔａ）の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｒとエタノールを反応させて得たＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２をエタノール中で再結晶し、次いで、回収したＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_５）_２と過剰のメトキシエタノールを反応させ、Ｓｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２に変換し、次いでこのＳｒ（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）_２１モルとＭ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５２モルと反応させ、Ｓｒ［Ｍ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５（ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３）］_２を合成し、次いでこのＳｒＭダブルアルコキシドを精密蒸留する。 （もっと読む）

【課題】 ＮＭＲシフト試薬を用いる場合，試薬自身のシグナルが基質のシグナルに重なり，測定の妨害をすることがしばしば起こる。発明者らが以前に発表したＮａ［Ｓｍ−（Ｒ ｏｒ Ｓ）−ｐｄｔａ］においても，そうしたシグナルの重なりが試料の光学純度を決定する際にしばしば障害となった。また，少量の試料を測定する場合，相対的に試薬のシグナルが強くなるため，よいスペクトルが得られにくかった。本発明では，試薬自身のシグナルが，基質のシグナルの化学シフト領域に観測されないシフト試薬を提供することにある。これにより，光学純度の決定が行えるようになり，また，試料が少量の場合にも絶対配置が決定できるようになる。
【解決手段】 以前発表したＮａ［Ｓｍ−（Ｒ ｏｒ Ｓ）−ｐｄｔａ］の配位子の酢酸部分の水素を重水素で置き換えた試薬Ｎａ［Ｓｍ−（Ｒ ｏｒ Ｓ）−（ｐｄｔａ−ｄ_８）］を合成し，これを用いることにより上記課題を解決した。 （もっと読む）

固体状態のα-Alq₃を350℃に等しいか若しくは350℃よりも高く且つ420℃よりも低い温度で加熱し、γ-Alq₃及びδ-Alq₃の混合物を得る工程を備えるトリス（8-オキソキノリン）アルミニウム（III）（Alq₃）のfac異性体の製造方法。
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表面結合基が５位で結合したポルフィリン化合物を開示する。この表面結合基は、式（Ｉ）（式中、Ｒは−ＣＨＣＨ₂又は−ＣＣＨであり、そしてＡｒは芳香族基である）を有する。そのような化合物を製造するために有用な方法および中間体も開示する。
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【課題】 なし
【解決手段】
多座配位子に付随した半導体ナノクリスタル。該多座配位子は、該ナノクリスタルを安定化する。
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【課題】成長速度が高く、かつ形成した膜の平坦性に優れた有機ランタン化合物及び溶液原料、ランタン含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機ランタン化合物は、有機金属化学気相成長法用原料であって、官能基としてシクロペンタジエニル基及びその置換体からなる群より選ばれた１種ないし３種のみがランタン元素に配位してなるか、又はシクロペンタジエニル基及びその置換体からなる群から選ばれた官能基とアミノ基及びその置換体からなる群から選ばれた官能基の双方のみがランタン元素に配位してなるか、或いは官能基としてアミノ基及びその置換体からなる群より選ばれた１種ないし３種のみがランタン元素に配位したことを特徴とする。 （もっと読む）

エレクトロルミネッセンス・デバイスは、ホストと発光材料を含む発光層を備えていて、該発光材料が、脱プロトン化されたビス(芳香族)アミン・リガンドまたはビス(芳香族)メテン・リガンドの2つの環窒素によって錯化されたホウ素を含むホウ素錯体を含有しており、該ホウ素錯体が第三級アミン置換基を含んでいる。本発明により、輝度効率が向上したELデバイスの発光層のための材料が提供される。
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陽電子放出化合物及びその製造方法を提供する。該化合物は、式（Ｆ）_ｍＧ（Ｒ）_ｎ（各Ｒは少なくとも１つの炭素、窒素、リン又は硫黄原子を含む基であり、Ｇは該炭素、窒素、リン又は硫黄原子を介してＲに結合し；Ｇはケイ素又はホウ素であり；Ｇがケイ素の場合、ｍは２〜５であり、ｎは１〜３であり且つｍ＋ｎ＝３〜６であり；Ｇがホウ素の場合、ｍは１〜３であり、ｎは１〜３であり且つｍ＋ｎ＝３〜４であり；上記式が帯電されている場合、該化合物は１又はそれ以上の対イオンをさらに有し；式中、少なくとも１つのＦは^１８Ｆである）を有する。 （もっと読む）

発光性ビス(アジニル)メテンホウ素錯体化合物を含有する発光層を含むOLEDデバイスであって、該錯体化合物が、縮合した少なくとも5個の環からなる錯体系を含み、かつ、少なくとも1つの環炭素上または環窒素上に、酢酸エチル溶媒中の濃度を10^-3M未満にして測定したときに最大発光波長が520nm未満になるような置換基を有するOLEDデバイスが開示されている。
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式：
Ｌ_nＣｕ（ＨＣＯＯ）・ｘＨＣＯＯＨ
［但し、ｘが、０〜１０の範囲にあり、
ｎが、１、２、３又は４を表し、そして
ｎ個のリガンドＬが、相互に独立して、それぞれ下記のリガンド：
式：Ｒ¹Ｒ²Ｒ³Ｐで表されるホスファン；
式：（Ｒ¹Ｏ）（Ｒ²Ｏ）（Ｒ³Ｏ）Ｐで表されるホスフィット；
式：Ｒ¹−ＮＣで表されるイソシアニド；
式：Ｒ¹Ｒ²Ｃ＝ＣＲ³Ｒ⁴で表されるアルケン；又は
式：Ｒ¹Ｃ≡ＣＲ²で表されるアルキン；
｛但し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が、相互に独立して、水素、直鎖又は分岐の、所望により部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル、アミノアルキル、アルコキシアルキル、ヒドロキシアルキル、ホスフィノアルキル又はアリール基を表し、各基の炭素原子数が１〜２０である。｝の１種を表す。］で表される銅（Ｉ）ホルマート錯体で、且つこの銅（Ｉ）ホルマート錯体から、トリフェニルホスフィン銅（Ｉ）ホルマート及び１，１，１−トリス（ジフェニルホスフィノメチル）エタン銅（Ｉ）ホルマートを除いた銅（Ｉ）ホルマート錯体；を分解して、金属銅を析出させる。 （もっと読む）