【課題】無電解めっきにより形成された電極間に不要なめっき膜が析出せず、ショートの発生を防止することのできる電極形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上にめっき用被覆部材２によりパターニングを行うパターニング工程と、該パターニングされためっき用被覆部材２を有する基板にめっき触媒６を付与する触媒付与工程と、該めっき触媒６が付与された基板に無電解めっきによりめっき処理することにより、めっき触媒６が付与された部位にめっき膜を形成する無電解めっき処理工程と、めっき膜形成後にめっき用被覆部材２を除去する除去工程とを有する電極形成方法で、触媒付与工程とめっき処理工程との間に、めっき用被覆部材２によりパターニングされた基板を、めっき用被覆部材２に対して相溶性を有する溶液を用いて、めっき用被覆部材２を除去することなく、該めっき用被覆部材２上のめっき触媒６を不活化させる不活化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環２の開口にガラス４によりリード部材５を気密封着した気密端子１に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材５に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液８に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材５の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜９を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 （もっと読む）

【課題】高温のリフロー炉に複数回通過させてもはんだ付け性が劣化したり、めっき皮膜に微細なクラックが発生することのないようにする。
【解決手段】セラミック素体６の表面に形成された導電部７上に２層構造のＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。
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カルコゲニド型メモリ・デバイスにおいて導電性相互接続部の上側に金属キャップを形成する方法が提供され、該方法は、基板１０の上側に第１導電性材料の層２１を形成する工程と、基板及び第１導電性材料の上側に絶縁層２０を堆積させる工程と、絶縁層に開口２２を形成して、第１導電性材料の少なくとも一部分を露出させる工程と、絶縁層の上側に且つ開口内に第２導電性材料３０を堆積させる工程と、第２導電性材料を部分的に除去して開口内に導電性区域を形成する工程と、開口内の導電性区域を絶縁層の上面よりも低い高さまで凹ます工程と、開口内の凹まされた導電性区域の上側に第３導電性材料のキャップ４０を形成する工程と、キャップの上側にカルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックを堆積させる工程と、カルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックの上側に導電性材料を堆積させる工程とを備え、第３導電性材料は、コバルト、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの合金の群の中から選択される。
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セラミックスなどの材料からなる基体粒子の表面全体にパラジウム層が形成さたパラジウム層付粒子の周囲を、白金により被覆した白金被覆粒子からなる白金被覆粉末は、電極材料として好適である。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきにおいて部分的金属不着部のある被めっき物形成方法、それを利用した電解めっき膜形成方法、被めっき物、電解めっき膜を提供する。
【解決手段】液体状態の合成樹脂に、その合成樹脂を硬化させる硬化剤と水に溶解する水溶性物質とを混合して、その混合物を成形して固化させて基材を形成する。そしてその基材のめっき処理を施す被めっき面の少なくとも一部領域を削って合成樹脂に内包された水溶性物質を基材の被めっき面に露出させ、基材を無電解めっき液に浸漬させて、被めっき面に露出した水溶性物質を無電解めっき液に溶解させながら、被めっき面の被めっき面に露出した水溶性物質に対応する以外の領域に無電解めっき膜を形成する。さらにその無電解めっき膜に、電解めっき処理を施して、空孔を有する電解めっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハーなどに均一にめっきを施すために行う、洗浄および濡れ性向上のためのアルカリ性洗浄に使用する洗浄剤であって、アルカリ金属を含まないアルカリ性洗浄剤を提供すること。
【解決手段】 リン酸またはその塩を含み、水酸化テトラアルキルアンモニウム塩によりｐＨ１１．５以上の強アルカリ性にしたアルカリ金属フリーめっき前洗浄剤。
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金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】 割りスリーブに形成されためっき層の表面硬度を確保して耐磨耗性を向上させると同時に、割りスリーブを長期間にわたって使用した場合にもめっき層の表面が変色しないように耐候性を向上させることである。
【解決手段】 スリーブ本体１６と、このスリーブ本体１６の少なくとも内周面にめっき層１７が形成されてなる略円筒状の割りスリーブにおいて、前記めっき層１７を少なくとも２層で形成する。そして、下地めっき層１８を非結晶構造のめっきで形成し、表面めっき層１９を結晶構造のめっきで形成することによって、めっき表面の耐摩耗性と耐候性とを満足させる。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ガス混合物からＨ_２、Ｎ_２、Ｏ_２又はＣＯ_２として市場で重要なガスをガス分離することを許容するシステムの提供。
【解決手段】 この課題は、層系を含有するガス分離システムにおいて、
− μｍの域の平均ポロシティーを有する貫通開放孔のある機械的に安定な基体層、並びに
− 該基体層の少なくとも一方の側に配置された、１ｎｍよりも小さい平均孔直径を有するＴｉＯ_２および／またはＺｒＯ_２を包含する貫通孔の多孔質機能層
を特徴とする、上記ガス分離システムによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板１２上に高アスペクト構造体１１を形成する構造体の形成方法であって、下地基板１２上に、中央導電部１３ａ及び中央導電部１３ａを囲う外周導電部１３ｂを形成し、これら中央導電部１３ａ及び外周導電部１３ｂに無電解界めっきによってめっき２３を析出させ、その後、外周導電部１３ｂに析出しためっき２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理液を使用して、膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続して成膜できるようにする。
【解決手段】 表面の配線用凹部に埋込み配線を形成した基板を用意し、基板の表面に処理液に接触させつつ、基板の表面に対する処理液の相対的な流動状態を変化させて、配線の表面に膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光性樹脂で作製したレジストパターンの凹部に酸化銀と還元剤の混合物を充填して、埋め込み法によって導電性画像を作製する方法において、高温で処理することなく、それによりレジストの薬品処理性を変えることもなく、耐熱性の低い支持体でも適用可能で、レジストの浸食による画像の形成不能も避けられる、導電性画像作製方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀の還元剤として感光性樹脂に対し非浸食性のものを用いる。特に、グリセリン、還元糖、ポリエチレングリコールが好適である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂素材のめっきにおいて、樹脂とめっき金属層との密着強度を向上させるとともに、めっき処理に要するコスト削減を達成する。
【解決手段】 樹脂素材に対してめっき皮膜を樹脂めっき方法において、樹脂素材をオゾン溶液で処理する工程と、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、セリウム、鉄、マンガン、ロジウム触媒から選択される金属触媒の１種以上を吸着させる工程とを含むことを特徴とする樹脂めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜層と透明導電体を有する発光素子において、透明導電体の抵抗を増大させることなく金属薄膜層をオーミックコンタクトさせた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体をなす第二導電型層７上に設けた金属薄膜層９と、該金属薄膜層９上に設けた透明導電体１２とを少なくとも備えてなる発光素子１であって、前記透明導電体１２は、２層以上の透明導電膜１０、１１からなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。
【解決手段】 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。 （もっと読む）

銀などの金属でポリマー発泡体を金属処理する方法により、抗微生物材料を製造する金属処理ポリマー発泡体の製造方法。発泡材料はポリウレタン、ポリエステル、ポリエーテル、またはこれらの組み合わせである。本方法は金属の３次元的な表面コーティングである。金属処理された基材は耐久性を有し、かつ高度に粘着性である。このように金属化された発泡体は高効率なフィルターおよび／または抗微生物製品である。ろ過機構はおもにファン・デル・ヴァール引力による。抗微生物活性は、部分的には刺激に応答した選択的な金属の放出によると思われる。 （もっと読む）