還元剤を使うことなく被金めっき金属表面の酸化を防止して、はんだ接合特性が良好な金皮膜を形成させる、置換型無電解金めっき液を開示する。水溶性金塩、電導性向上剤、イミノ２酢酸構造を有するキレート剤、主鎖または環中に窒素原子を２個以上含む有機化合物からなる表面酸化抑制剤、および残部としての溶媒を含んでなる、置換型無電解金めっき液。
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【課題】優れた導電性を有し、更に、芯材粒子との密着性が高くかつ凝集性が少ない導電性微粒子、メッキ浴の安定性が高い該導電性微粒子の製造方法、及び該導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電解メッキ法によりニッケル、銅、及びリンを含有する合金メッキ被膜が形成されている導電性微粒子、好ましくは合金メッキ被膜中の厚さ方向のリン含有量が、芯材粒子側よりも合金メッキ被膜表面側で少ない導電性微粒子、金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、ニッケル塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して初期無電解メッキ反応を行い、その後、ニッケル塩、銅塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して後期無電解メッキ反応を行う該導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基材の種類にかかわらず、短時間で、かつ薄膜金属層と、基材との間で優れた密着性を有する薄膜金属積層体が得られる薄膜金属積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上への薄膜金属積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
（１）基材を準備する工程
（２）基材表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物の気体状物を、４００℃以上の熱源を介して吹き付け処理する工程
（３´）紫外線硬化型樹脂からなる下地層を形成する工程
（３）薄膜金属層を金属イオンの還元処理、例えば、銀鏡反応により形成する工程 （もっと読む）

【課題】
無電解Ni-Auめっき時に、ウエハーチップ及び硝子の裏面に金属（主にAu）がつい
ていると、密着性の悪いめっき皮膜が成膜してしまい、密着性が悪いとめっき液中
に剥離した金属が溜り、めっき液が使用できなくなってしまう事が問題である。
【解決手段】
めっき液に裏面を触れさせなければめっきは成膜しないので、ウエハーチップ及び硝子を治具のシリコンゴム上に置き、後ろから真空に引っ張り、チップ及び硝子を治具で保持する。そのため、チップ及び硝子とシリコンゴムが密着するため、めっき液がチップとシリコンゴムの間を通過できなくなるため、裏面にめっき液が触れず、裏面にめっきが付かない。 （もっと読む）

【課題】反転通電における信頼性でばらつきが大きく、十分ではないという問題がある。
【解決手段】支持基板の表面に設けられた配線導体の上に、メッキ層を有する熱電素子が半田により接合されてなる熱電モジュールであって、上記支持基板対して垂直な断面におけるメッキ層がなす断面曲線の最大高さＲｍａｘが３〜３０μｍである素子が少なくとも一つあることとした。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の材料の違いによってプロセス条件を変えたりすることなく、配線の表面に金属膜を選択的に成膜でき、しかも、不要となったバリア膜を、機械的な要素が相対的に少ない方法で除去できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜１０内に配線用凹部１２を形成した基板表面にバリア膜１４を形成し、次いで配線用凹部１２内ならびに基板表面に配線材料１６を成膜した基板Ｗを用意し、基板表面に成膜した余剰の配線材料１６を除去して配線用凹部１２内に埋込んだ配線材料１６で配線１８を形成するとともに、該配線形成部以外のバリア膜１４を露出させ、配線１８の表面に金属膜２０を選択的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第１のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第２のめっき液によるパルスまたはＰＲパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第３のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 表面の摩擦係数が小さく、耐久性に優れた複合金属材料を提供する。
【解決手段】 表面がフラーレン或いはフラーレン誘導体３を含む金属１で構成される複合金属材料。 （もっと読む）

【課題】 各種の優れた特性を有する多層膜の製造方法で、スパッタリング法はコストが非常に高いという問題点がある。また電気めっき法による多層膜の作製方法は低コストであるが、従来の技術では低電流あるいは低浴電圧時に成膜速度が極端に低下するという問題点があり、電流あるいは電圧を瞬時に切り替えるための特殊な電源装置が必要であった。
【解決手段】 目的に応じた組成をもつ無電解めっき成膜可能な単一のめっき液中で、還元剤による無電解めっき成膜と外部から投入する電力による電気めっき成膜を連続して行うことで、機能性を有する多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化銀を熱分解して得た銀画像から簡便かつ穏和な方法によって非加熱部の酸化銀塗膜を除去して、高精細かつ高導電性の銀画像を作製する方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀塗膜を加熱処理することによって得た銀画像を、酸性溶液で処理して非加熱部の酸化銀塗膜を除去する。その後、さらに加圧・水洗処理を施すとさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】
メッキ高さが高く多段段差形状を有するメッキ形成物の形成を可能にする。
【解決手段】
ネガ型ホトレジスト組成物を、（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）酸発生剤、（ｃ）その他の成分を含有するネガ型ホトレジスト組成物とし、
（Ａ）ネガ型ホトレジスト組成物の層を形成し、加熱後、露光する。
（Ｂ）前記工程（Ａ）を２回以上繰り返してネガ型ホトレジスト層を積み重ねた後、全ての層を同時に現像することで多層レジストパターンを形成する。
（Ｃ）多層レジストパターンにメッキ処理を行うことによりメッキ形成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に配線用の微細凹部を形成した後の一連の配線形成処理を、ドライ処理とウェット処理の混合した処理を経ることなく連続的に安定して行えるようにする。
【解決手段】 表面に堆積した絶縁膜６２の内部に配線用の微細凹部６４を形成した基板Ｗを用意し、この基板Ｗの表面にウェット処理によりバリア層６８を形成し、このバリア層６８の表面にウェット処理によりシード層７０を形成し、このシード層形成後の基板の表面にウェット処理により配線層７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 多ビット磁石タグを製造する既存の技術は、時間がかかり及び／又は高度に画成された磁気素子を製造することができない。
【解決手段】 本発明は、多数の情報ビットを表面に有する磁気タグを製造する方法において、無電界堆積反応で前記表面に磁性材料を堆積することにより前記情報ビットの幾つか又は全部を形成するステップを備えた方法を提供する。
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【課題】 例えば配線等の下地金属の内部にボイドを発生させることなく、下地金属の露出表面に無電解めっきによって金属膜を確実に形成でき、しかも、スループットを向上させることができるようにする。
【解決手段】 下地金属を形成した基板の表面に無電解めっきにより金属膜を形成するに際し、基板の表面を、カルボキシル基を有する有機酸またはその塩の水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液で洗浄し、洗浄後の基板の表面を、金属触媒イオンを含む溶液に前記洗浄液を混合した処理液に接触させて基板の表面に触媒を付与する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板の表面にめっき用触媒を均一に付着させることができ、高品質の無電解めっき膜を形成可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっきを、Ｓｉ基板表面の酸化物を除去する工程（手順Ｓ１）、酸化物が除去されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ２）、Ｓｉ基板の表面に存在する水素をハロゲンで置換する工程（手順Ｓ３）、水素がハロゲンで置換されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ４）、Ｓｉ基板の表面にめっき用の触媒を付与する工程（手順Ｓ５）、めっき用の触媒が付与されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ６）、Ｓｉ基板の表面に所要の無電解めっき膜を形成する工程（手順Ｓ７）、めっき膜が形成されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ８）、洗浄後のＳｉ基板を乾燥する工程（手順Ｓ９）とを経て行う。 （もっと読む）

【課題】実行するのがより簡単であるにも関わらず、粗さが低く、且つ、従来技術の材料の圧電定数よりも高い圧電定数を有する圧電性材料を得る方法を提供する。
【解決手段】１つまたはそれ以上の圧電性の酸化セラミックに基づいて材料を作成する工程であり、以下の連続するステップを構成する。
ａ）酸化物セラミックの前駆体として、酸化セラミックの粉末とゾルゲル溶液、つまり、圧電性である酸化物セラミック及び／もしくは圧電性の酸化セラミックの前駆体であるゾルゲル溶液を含む分散の層を基板へ液体による方法で蒸着する。
ｂ）ステップａ）を１回またはそれ以上繰り返すステップで、それによって少なくとも２つの層から成る多層構造のフィルムを得る。
ｃ）相当するセラミックに変換する為に前記の層を熱処理する。
ｄ）ステップａ）と同一もしくは異なるゾルゲル溶液で多層構造を浸漬被覆することにより、ステップｃ）で得られた多層構造のフィルムを浸透するステップ。
ｅ）ステップｄ）を１回もしくはそれ以上反復するステップ。
ｆ）前記多層構造を熱処理し、多層構造のフィルムを浸透しているゾルゲル溶液を変換して相当するセラミックに変換するステップであること。 （もっと読む）

基板をメッキするための方法及び装置であって、該装置が、中に位置決めされた少なくとも１つの基板移送ロボットを有する中央基板移送エンクロージャを含む、方法及び装置。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板活性化チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板スピン・リンス・ドライ・チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっており、また、該中央基板移送エンクロージャと連通しているアニールチャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。また、基板移送チャンバと連通し、かつ少なくとも１つの基板移送ロボットに接近可能な、少なくとも１つの基板ポッドローダも設けられている。
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【解決手段】 フェロ−マンガン−アルミ合金の表面を洗浄する段階と、アルカリ性溶液を利用してフェロ−マンガン−アルミ合金の表面の油脂を除去すると同時に、フェロ−マンガン−アルミ合金の表面を活性化する段階と、アルカリ性溶液の電解方式を利用してフェロ−マンガン−アルミ合金の表面を活性化する段階と、フェロ−マンガン−アルミ合金の表面に対してめっきを行う段階とを含むフェロ−マンガン−アルミ合金の表面めっき処理方法。
【効果】 フェロ−マンガン−アルミ合金の表面の活性化を保持し、さらに再び鈍化するのを避けることができることにより、後続のめっき時におけるめっき層の付着性を改善することができるため、フェロ−マンガン−アルミ合金の表面のめっき品質を高め、めっき層が剥げ落ちる確率を減らし、さらに耐食性を相対的に増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】 ボイスコイルモータ用ヨークからの金属パーティクルや無機物のパーティクルの発生を抑制して高品質のボイスコイルモータ用磁気回路を得るための技術を提供すること。
【解決手段】 冷延低炭素鋼などの板状のヨーク材１１から、プレス機によりボイスコイルモータ用ヨーク部材１２を打ち抜く。次に、ヨーク部材１２の「非打ち抜き方向」から金型１４を当て、ヨーク部材１２のかえり面に面取り加工を施し、必要に応じて、微細なバリなどを取り除くための化学研磨を施す。最後に、ヨーク部材１２にＮｉの無電解メッキなどの手法により表面処理を行う。このヨーク部材１２のバリ取りは、バレル研磨や電解研磨によらず金型を用いたかえり面取り加工により実行されるので、バリに起因する金属パーティクルや研磨剤に起因する微粉末の磁気回路内への持込が抑制され、高品質のボイスコイルモータ用磁気回路を得るための技術を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ等の非金属基板表面に直接的にメッキ処理を行うことを可能とする。
【解決手段】 非金属からなるＳｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１表面に形成された無機酸化物微粒子の焼結体からなる下地薄膜１６１と、下地薄膜１６１上に無電解メッキ処理により形成されたメッキ膜 (Ｎｉ-Ｐ膜１６２)とを有する。
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