【課題】酸素供給時におけるめっき液の流れへの影響を低減し、信頼性の高いものを得る、めっき膜の製造方法、及びめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき液５中に少なくとも一対の電極２０ａ，２０ｂを配し、めっき液５中に基材Ｐを浸漬する。そして、一対の電極２０ａ，２０ｂに電圧を印加し、めっき液５中に含有された水を電気分解することでめっき液中に酸素を発生させるとともに、基材Ｐにめっき膜を形成する。 （もっと読む）

本明細書では無電解銅めっき溶液を開示する。この溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、ポリアミン系錯化剤と、化学光沢剤成分と、ハロゲン化物成分と、この無電解銅めっき溶液を酸性にするのに十分な量のｐＨ調整物質とを含む。また、無電解銅溶液を調製する方法も提供する。水性銅塩成分は、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、エチレンジアミン硫酸銅（ＩＩ）、ビス（エチレンジアミン）硫酸銅（ＩＩ）、およびジエチレンアミン硝酸銅（ＩＩ）からなる群から選択され得る。
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【課題】膜厚ムラの発生を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】開口部Ｋを有する処理槽５２内に貯留された処理液Ｌに処理対象物ＷＦを浸漬して、薄膜を形成する。処理槽５２を介して処理液Ｌの温度を調整する第１温度調整装置７３と、開口部Ｋに臨む処理液Ｌの温度を調整する第２温度調整装置７２とを有する。第１温度調整装置７３は気体を用いて処理液の温度を調整し、第１温度調整装置７３及び第２温度調整装置７２の双方に温度調整された気体を供給する。また、第２温度調整装置７２は蓋体５４と処理液の液面との間の気体を介して処理液の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】経時的な増粘を防止し、保存安定性が高い金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】金属化合物と、樹脂成分とを含有する金属膜形成用組成物において、樹脂成分としてカルボキシル基を含有していない水溶性ポリマー、又は５０ｍｇ／ｇ以下の酸価を有する水溶性ポリマーの少なくともどちらか一種の水溶性ポリマーを用いた。 （もっと読む）

銅相互接続層を、例えばＴＦＴ−ＬＣＤフラットパネル相互接続システムにおいて使用されるガラス基板などの基板上に堆積させる方法。本発明に従う方法は、ａ）任意に、基板を清浄化する工程と、ｂ）任意に、この基板をミクロエッチングする工程と、ｃ）触媒化層を基板上に堆積させて、触媒化基板を得る工程と、ｄ）触媒化基板を、調整溶液を用いて調整して、調整触媒化基板を得る工程と、ｅ）前記基板又はまたはその少なくとも一部をＮｉ及びＰの前駆体を含んだウェッツバス混合物と接触させることによって、前記触媒化基板に無電解ＮｉＰ層を鍍金して、ＮｉＰ鍍金調整触媒化基板を得る工程と、ｆ）銅用触媒層をＮｉＰ鍍金層上に堆積させる工程と、ｇ）Ｃｕ層を前記銅用触媒層上に堆積させる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜と金属層との密着性を向上させることのできる接着方法の提供、及び、非晶質炭素膜を備える放熱部材と電極金属層との密着性が改善された半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質炭素膜の表面に、第一の金属層を形成する工程と、熱処理によって前記第一の金属層をナノ粒子化する工程と、形成した金属ナノ粒子をマスクとして、前記非晶質炭素膜の表面を局部的にエッチングする工程と、前記エッチングを施した非晶質炭素膜の表面に、第二の金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする非晶質炭素膜と金属層との接着方法、並びに該接着方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素等の高圧二酸化炭素を用い、射出成形等からなる形状精度の要求されるポリマー成形品の表面改質方法にあって、成形品の形状寸法精度を維持したまま表面改質する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】機能性材料が表面に偏在したポリマー成形品の製造方法であって、無機成分を２０％以上４０％以下含む非晶性熱可塑性樹脂を用いて、射出成形により前記ポリマー成形品を成形し、その後、高圧容器内で、前記ポリマー成形品に、機能性材料を溶解させた高圧二酸化炭素を接触させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は表面に機能性を有する樹脂成形体を製造するための熱可塑性樹脂のサンドイッチ射出成形法、および熱可塑性樹脂の無電解メッキ法に関する。
【解決手段】上記課題を解決するために、サンドイッチ射出成形法により、スキン層とコア層からなる樹脂成形体を製造する方法であって、第一の可塑化シリンダー内で樹脂を可塑化計量し、第一の溶融樹脂とする時に、高圧二酸化炭素に溶解させた機能性材料を前記第一の可塑化シリンダー内へ導入し、前記第一の溶融樹脂に、前記機能性材料および前記高圧二酸化炭素を混合するステップと、前記混合された第一の溶融樹脂を金型内に射出充填して前記スキン層を形成するステップと、第二の可塑化シリンダー内にて可塑化計量した第二の溶融樹脂を前記金型内へ射出充填して前記コア層を形成するステップとを有することを特徴とする方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、孔径が５０〜１０００ｎｍである細孔を有する金多孔質体の製造方法、および当該金多孔質体を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる金多孔質体の製造方法は、例えば、モリブデン板を塩化金塩酸に１時間浸漬し、金ナノ粒子を析出させる工程（「コーティング工程」）、アルゴン雰囲気中９３０℃で１０分間、上記モリブデン板を加熱して金ナノ粒子同士を接合する工程（「焼結工程」）、および酸化雰囲気中で上記モリブデン板を９００℃程度まで加熱してモリブデン板を酸化および昇華させて除去する工程（「昇華工程」）を含む。上記製造方法により、例えば、孔径が１００〜３００ｎｍである細孔を有し、空孔率は１４．５％、厚さ５００ｎｍである膜状金多孔質体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材上にコランダム結晶からなるコランダム層が形成されたコランダム積層体を容易に製造できる方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属酸化物膜成膜性を有するアルミニウム含有化合物が溶解された酸化アルミニウム膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記酸化アルミニウム膜形成用溶液を、酸化アルミニウム膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に酸化アルミニウム膜を形成する酸化アルミニウム膜形成工程と、上記酸化アルミニウム膜形成工程により、上記基材上に形成された酸化アルミニウム膜をコランダム結晶化温度以上に加熱することにより、上記酸化アルミニウム膜をコランダム結晶からなるコランダム層とする結晶化工程と、を有することを特徴とする、コランダム積層体の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】積層チップコンデンサ等のセラミック電子部品の外部電極に無電解めっきを施す際にセラミック層を溶出させにくい無電解めっき液の提供、及びセラミック電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】セラミック層１と内部電極２からなるチップ本体３、および下地電極４から構成されるセラミック素子８の下地電極４の上に、Ｎｉを無電解めっきするための無電解めっき液であって、ニッケル及び還元剤を含有し、ハロゲン含有量が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下であり、ｐＨが７〜１０である無電解めっき液である。また、Ｎｉめっき層の上に公知の方法によってＳｎめっき層を形成することによってセラミック電子部品１００を構成する。 （もっと読む）

本発明は、金属被覆粒子の熱処理方法、その方法により得られる粒子、及び印刷可能な電子機器の製造、又はＥＭＩ遮蔽のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】めっき伸びやめっき付着を効率よく抑制でき、かつ、セラミック層の溶出を十分に抑制できる無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック素子の下地電極上に無電解ニッケルめっきを行う工程を備え、この工程では、セラミック素子を、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、かつ、ｐＨが７〜１０である無電解めっき液と接触させる。 （もっと読む）

【課題】埋込み銅配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成することによって銅配線を保護することができるようにする。
【解決手段】内部に埋込み銅配線を形成した基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて銅配線の表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板の表面を洗浄し、洗浄後の基板の表面に還元液を接触させて基板の表面を還元処理し、還元処理後の基板の表面を洗浄し、しかる後、無電解めっき液に基板の表面を接触させて銅配線の表面に保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】強固に密着された金属被膜を有する金属被覆高分子材料を提供する。また、簡易な工程で、低コストに、しかも環境に対する負荷の少ない、高分子材料の金属被覆方法を提供する。
【解決手段】無電解メッキによって金属被覆された高分子材料において、無電解メッキ前の高分子材料が、その表面および内部に無電解メッキ触媒形成性金属成分を、高分子材料の表面から２０μｍの深さにおける合計金属量換算で、５〜５×１０^４ｇ／ｍ^３の範囲で分布して有することを特徴とする高分子材料。また、還元によって無電解メッキ触媒となる金属錯体と極性を持つ共溶媒とを含む、超臨界二酸化炭素流体を高分子材料に接触させ、該高分子材料の表面に金属錯体を固着させつつ還元し、その後、無電解メッキ処理を実施する、高分子材料の金属被覆方法。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき液から亜リン酸イオンを除去するとともに次亜リン酸イオンの補充を行なうことで無電解ニッケルめっき液を長寿命化することのできる経済的に有利な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液中に被めっき物を浸漬させて、前記被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を施す無電解ニッケルめっき方法において、亜リン酸イオンが蓄積された前記無電解ニッケルめっき液をニッケルめっき槽から抜き出し、抜き出された前記無電解ニッケルめっき液を、アミン含有有機溶媒と次亜リン酸含有水溶液とを接触させて有機相中に次亜リン酸アミン錯体を形成させ相分離して得られる次亜リン酸アミン錯体含有有機相に接触させ、有機相中に亜リン酸イオンを亜リン酸アミン錯体として抽出するとともに水相中に次亜リン酸イオンを移行させた後、相分離して得られる水相を前記ニッケルめっき槽に戻すことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

【課題】真空中での処理を行うことを必要とせず、生産効率ならびに加工自由度を向上させた３次元金属微細構造体の製造方法を提供する。また、多数の金属微細構造体を互いに接触しない状態で３次元空間に配列させることを可能にした３次元金属微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】任意の立体形状を備えた３次元金属微細構造体の製造方法において、光を照射することにより電子を放出する電子供与体を光硬化性樹脂に添加した改質樹脂に対して、短パルスレーザー光を照射して２光子吸収微細造形法により３次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成する第１の工程と、上記第１の工程により形成されたポリマー構造体に無電解めっきを施して、上記ポリマー構造体の表面に金属膜を形成する第２の工程とを有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 セラミック粒体とアルミニウムまたはアルミニウム合金との充填密度を均一として性能のばらつきを抑えることができる複合材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複合材１が、粒度が比較的大きなセラミック粒体４を４０〜８５容積％、アルミニウム５を１５〜６０容積％含み、セラミック粒体４間の間隙にアルミニウム５が連続相を形成し、かつ、セラミック粒体４とアルミニウム５との界面に隙間がないようにした本体部２と、この本体部２の厚さ方向の表面を高精度の平滑度で覆う熱伝導性に優れた被覆部３とを備えて構成され、本体部２を、アルミニウム５をキャビティの下方から真空で吸引するとともに当該キャビティの上方から圧力を付与しながらセラミック粒体４間に含浸させて形成し、被覆部３を、無電解メッキにより形成されたメッキ層で形成する。 （もっと読む）