【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 （もっと読む）

【課題】基板両面におけるめっき液流速差を十分確保し、小径かつアスペクト比の高いスルーホール内においてもめっき液を十分に安定供給できる湿式処理法の提供。
【解決手段】治具を用いてスルーホールを有する基板を湿式処理する方法であって、治具３は、上下面が開放され側面が平板６で包囲された筒状平板であり、前記筒状平板内に複数の基板４を所定の間隔で配置、保持する基板保持部７，基板間の下端に配置された液流動発生部，所定の基板間の基板上部および筒状平板の外周側面に配置された隔壁５ａ、５ｂを有し、処理液２を貯液した処理槽１内に、基板４を保持した冶具３を設置し、偶数列または奇数列に配置された液流動発生部を駆動させてスルーホールに対して垂直方向に処理液を流通させ、基板４上部より噴出する処理液２を隔壁５ａ、５ｂにより隣接する基板間を避けて治具外周に流出させて湿式処理する湿式処理方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に、側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマーを塗布してプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、（ｂ）該プライマー層表面に、無電解メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有するポリマーを塗布してポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、（ｃ）該ポリマー層に無電解メッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、（ｄ）無電解メッキを行い、ポリマー層上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を有する金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】めっき析出の面内均一性に優れ、めっき析出速度が高く、密着性に優れためっき膜を形成させるめっき方法の提供。
【解決手段】基材上に式（１）及び（２）のユニットを含む共重合体を含有する組成物を接触、硬化させて被めっき体を形成し、触媒を付与し、めっきする工程を有し、これらの工程間において被めっき体にアルカリ液を接触させる工程を更に有するめっき方法。
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金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び／又は３−オクタノイルチオ−１−プロピルトリエトキシシランを含む。 （もっと読む）

【課題】金（Ａｕ）やスズ（Ｓｎ）などを無電解メッキする時にニッケルや銅などの下部金属層の腐食を効率的に抑制できる無電解メッキ液を提供する。
【解決手段】無電解メッキ液は、金（Ａｕ）やスズ（Ｓｎ）などの金属塩を含むメッキ溶液に、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリアニリン、ポリチオフェン、スルホン化ポリアニリンなどの導電性高分子の単量体の少なくとも１種、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物等の提供。
【解決手段】ラジカル重合性基、１０≦ｐＫａ≦１６の炭素原子に直接結合した活性水素を有する官能基、及びイオン性吸着基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物等を提供する。 （もっと読む）

ニッケル含有金属および金含有金属で順次にめっきされる外部銀含有電気端子を備えるＬＴＣＣデバイスが記載されている。 （もっと読む）

【課題】プラスチック成形体に対して、プラスチック成形体に密着し且つプラスチック成形体との接触面が平滑な配線パターンを形成する製造方法およびプラスチック成形体を得る。
【解決手段】本発明の製造方法は、表面部２に金属元素含有微粒子３を分散させたプラスチック成形体１を用意することと（図１（Ａ））、プラスチック成形体１についての配線パターン４の輪郭の領域に対してレーザ光１０などの電磁波を照射して、電磁波が照射された表面部２または表面部２に分散した金属元素含有微粒子３を選択的に除去することと（図１（Ｂ））、除去処理後のプラスチック成形体１を、アルコールを含む無電解めっき液に常圧下で浸漬して、配線パターン４の形状に無電解めっき膜を形成することとを含む（図１（Ｃ））。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現するキャップメタル形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被処理面に形成された銅配線上にキャップメタルを形成する方法であって、基板Ｗを回転可能に保持するステップと、保持された基板Ｗを基板の被処理面に沿った向きで回転させるステップと、基板Ｗの周縁部の被処理面上に一定間隔で対向して撹拌部材１５５の端部を配置するステップと、被処理面にめっき処理液を供給するステップと、めっき処理液の供給を停止するとともに撹拌部材１５５を移動して該撹拌部材１５５の端部を基板Ｗの被処理面から離間させるステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、特に有機ベースのコンデンサを製造する際に使用する有機誘電性化合物用の新規なアンカー基に関する。プリプレグ又は他の慣用の配線板基板に関する並行プロセスにおいて銅上の付加的メタライジングなしで製造することができるコンデンサが記載されている。引き続き、予め作成されたコンデンサ層を配線板中に組み込むことができ、それにより、この配線板の面積に対して面積／費用の利点が生じる。
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【課題】無機シアン化物や、微生物による分解が困難なＥＤＴＡおよびその塩を用いなくても、長期にわたって安定して運転が可能な無電解銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤及びｐＨ調整剤を含む無電解銅めっき液において、第一錯化剤として、モノアミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含有し、第二錯化剤として、ジアミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含有し、且つ、めっき液中の銅イオン濃度に対して前記第一錯化剤の濃度が１〜３０倍モルであり、該銅イオン濃度に対して前記第二錯化剤の濃度が２倍モル未満である、無電解銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第１ニッケルメッキ層を形成する工程と、第１ニッケルメッキ層上に第２ニッケルメッキ層を形成する工程と、第２ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅、銀、これらの合金等の素材上に、直接、良好な無電解パラジウムめっき皮膜又は無電解金めっき皮膜を形成することを可能とする、無電解めっき用の新規な前処理剤を提供する。
【解決手段】（i）水溶性パラジウム化合物、
（ii）ハロゲン化水素酸、金属ハロゲン化物及びハロゲン化アンモニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種のハロゲン化物、並びに
（iii）アルキレンジアミン、ポリアルキレンポリアミン、ポリアミドポリアミン及びポリアミドポリアミンの架橋化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の窒素原子含有化合物
を含む水溶液からなる無電解めっき用活性化液。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルムに金属イオンを含浸させた後、金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、金属イオン含有ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルム中の金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】触媒付与処理を行った後、配線表面における異状粒状金属の発生及び配線表面のめっき膜のラフネス悪化を防止しつつ、コバルト合金膜等のめっき膜を配線の表面に選択的に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜に設けた配線用凹部内に金属を埋込んで形成した埋込み配線を有する基板を用意し、基板表面を触媒付与液に接触させて配線表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板表面に洗浄液を供給しつつ該表面を物理的に洗浄し、しかる後、基板表面に無電解めっきを行って配線表面にめっき膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、２５μｍ^２当たり３個以下であることを特徴とする接続端子部。 （もっと読む）