【課題】 基材表面に担持された金属錯体を低温で還元剤により還元して、基材表面に熱分解残留物を含まない金属核を形成することにより、基材材質への影響が少なく、金属核の基材表面への密着性を向上する。
【解決手段】 先ずめっき金属と同一の金属を含む金属錯体１２を溶かした亜臨界流体又は超臨界流体を基材１１に接触させることにより、基材１１表面を脱脂しかつエッチングするとともに、基材１１表面に金属錯体１２を担持させる。次に基材１１表面に担持した金属錯体１２を還元剤を用いて還元することにより、金属錯体１２中の金属を基材１１表面に析出させて金属核１３を形成する。 （もっと読む）

基板と、パターニングされた導電性金属相とを備えていて、その導電性金属相が、還元可能な可溶性金属塩と、還元触媒と、還元剤の組み合わせの逐次的インクジェット噴射または同時インクジェット噴射によって基板上に選択的に堆積された物品。層構造を有する基板上では、その選択的に堆積された導電性金属相が、基板の微細構造と絡み合う。このような物品の形成方法も提示する。この方法の特別な一実施態様では、基板表面への導電相の選択的堆積は、まず最初に、還元可能な可溶性金属塩と還元触媒を含む組成物を所定の領域にジェット噴射した後、還元可能な金属塩と還元剤を含む組成物をその同じ所定の領域にジェット噴射することを含む。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ形成のない、または少ないプリント配線基板用の保護層を提供する。
【解決手段】 （ｉ）少なくとも１つの非導電性基層、（ii）少なくとも１つの銅および／または銅合金層、および（iii）スズ含有層を持つ被覆品において、層（ii）は層（ｉ）と層（iii）との間に位置する被覆品。この被覆品は、スズ含有層（iii）が、少なくとも１種の他の金属を含有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の材料の違いによってプロセス条件を変えたりすることなく、配線の表面に金属膜を選択的に成膜でき、しかも、不要となったバリア膜を、機械的な要素が相対的に少ない方法で除去できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜１０内に配線用凹部１２を形成した基板表面にバリア膜１４を形成し、次いで配線用凹部１２内ならびに基板表面に配線材料１６を成膜した基板Ｗを用意し、基板表面に成膜した余剰の配線材料１６を除去して配線用凹部１２内に埋込んだ配線材料１６で配線１８を形成するとともに、該配線形成部以外のバリア膜１４を露出させ、配線１８の表面に金属膜２０を選択的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化銀を熱分解して得た銀画像から簡便かつ穏和な方法によって非加熱部の酸化銀塗膜を除去して、高精細かつ高導電性の銀画像を作製する方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀塗膜を加熱処理することによって得た銀画像を、酸性溶液で処理して非加熱部の酸化銀塗膜を除去する。その後、さらに加圧・水洗処理を施すとさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第１のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第２のめっき液によるパルスまたはＰＲパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第３のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】光沢に優れ、変色、ムラのない銀皮膜を形成することが可能な、スプレー塗布用等として有用な２液性無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】（ｉ）銀化合物及びアンモニアを含む銀含有水溶液、並びに
（ii）還元剤を含む還元剤含有水溶液
の２液からなり、
更に、一般式：Ｒ¹Ｒ²Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＲ³）_nＲ⁴（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコシキ基又はエポキシ基である。ｎは、１〜４の整数である。）で表されるエチレンアミン類が、銀含有水溶液及び還元剤含有水溶液のいずれか一方又は両方に含まれていることを特徴とする、２液性無電解銀めっき液。 （もっと読む）

アクチュエータ素子において、アクチュエータ素子を主として構成する材料を変えることなしに、優れた変位量及び変位速度を備えたアクチュエータ素子を提供する。アクチュエータ素子が屈曲する方向に面する表面に凹凸を備え、前期凹凸が屈曲を容易にするための波形形状を形成するアクチュエータ素子を用いる。また螺旋状に形成された管状のアクチュエータ素子については、所定の直径のワイヤーを捲きつけて管状体の表面に螺旋状の凹凸を設け、所定の操作を行うことにより螺旋状に形成されたアクチュエータ素子の製造方法により製造する。
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【課題】 例えば配線等の下地金属の内部にボイドを発生させることなく、下地金属の露出表面に無電解めっきによって金属膜を確実に形成でき、しかも、スループットを向上させることができるようにする。
【解決手段】 下地金属を形成した基板の表面に無電解めっきにより金属膜を形成するに際し、基板の表面を、カルボキシル基を有する有機酸またはその塩の水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液で洗浄し、洗浄後の基板の表面を、金属触媒イオンを含む溶液に前記洗浄液を混合した処理液に接触させて基板の表面に触媒を付与する。 （もっと読む）

化学的及び電解的に加工物（１）を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ（短絡）又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク（２）とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも１つの運搬キャリッジ（１８）、少なくとも１つの保持要素（１４、２５）及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも１つの接続手段（１２、１３、３５）を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン（３）と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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【課題】鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜が形成された製品であって、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に製造可能な製品を提供する。
【解決手段】コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】 アラミドの繊維、繊維束や糸などのアラミド繊維材料に無電解銀めっきを均等に付着する。
【解決手段】 アラミド繊維材料に無電解銀めっきを施すめっき方法において、アラミド繊維材料は、巻き芯Ｂに巻いて巻き体Ｗにする。巻き芯Ｂは、開口率が半分位以上の高透液性にする。無電解銀めっき液は、弱還元剤又は析出遅延剤を含み、銀の析出反応が活発な時間が長い低反応性にする。アラミド繊維材料の巻き体Ｗには、低反応性の無電解銀めっき液を供給し、めっき液の析出反応が活発である間、めっき液が巻き体Ｗを内側から外側又は外側から内側への一方向に流れる順流工程と、順流の逆方向に流れる逆流工程とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部（４ｂ）上に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）を形成し、その上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成し、その上に無電解Ａｕめっき層を形成する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成する工程では、下地の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）から無電解Ｐｄめっき液中へのニッケルの溶出量が５×１０^−６ｋｇ／ｍ^２以下となるようにする。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）と無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）の界面には、１０ｎｍ以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部（４ｂ）に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

他の還元剤をも含む無電解メッキ液又は金属含有溶液を処理する方法。本方法は、アノード、カソード及び該アノードと該カソードとを分離する水素イオン透過性膜を含む反応容器を準備すること、金属含有液体をアノードと接触させること、陰極電解液をカソードと接触させること、アノード及びカソードに電流を流して存在する還元剤を酸化すること、使用済み陰極電解液及び部分的処理済み液体を電極から、場合によっては反応容器から別個の貯槽に取り出すことを含む。部分的処理済み液体及び陽極電解液を、それぞれカソード及びアノードと接触させ、再びアノード及びカソードに電流を流して、金属イオンの過半数をカソード上にメッキさせる。還元剤を酸化する工程及び金属イオンをメッキする工程は、順番を変えてもよい。
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本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】シアン化物を含まない浸漬めっき溶液、およびアルミニウムまたはアルミニウム合金基板の表面にシアン化物を用いずに亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。
【解決手段】本発明は、ｐＨが約３．５〜約６．５であり、亜鉛イオン、ニッケルおよび／またはコバルトイオン、フッ化物イオンを含む、非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液を提供する。１つの実施形態においては、本発明の浸漬めっき溶液は、１つ以上の窒素原子、１つ以上の硫黄原子、あるいは硫黄原子および窒素原子の両方を含む少なくとも１つの抑制剤とをさらに含む。本発明は、さらに、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板を、本発明の非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液に浸漬し、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板の表面に亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。任意で、亜鉛合金をコーティングされたアルミニウム基板またはアルミニウム合金基板は、無電解または電解金属めっき溶液を用いてめっきされる。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）