【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】このキャップメタル形成方法は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にキャップメタルを形成する方法であって、基板をインナーチャンバ内に配設された回転可能な保持機構に水平保持する保持ステップと、インナーチャンバを覆うアウターチャンバの上面に配設されたガス供給孔を介して、インナーチャンバとアウターチャンバ間にガスを供給するガス供給ステップと、インナーチャンバとアウターチャンバ間に圧力勾配を形成する圧力勾配形成ステップと、ガス供給ステップによりインナーチャンバ内のガス圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき液を供給して、領域の少なくともひとつにキャップメタルを形成するめっき液供給ステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用されても、保持器の表面に形成した被膜の剥離や金属成分の溶出が生じにくく、すべり性、耐摩耗性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】複数の針状ころ３と、この針状ころ３を保持する保持器２とを備え、硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用される針状ころ軸受１であって、上記保持器は、Ｎｉ-Ｂ-Ｗ被膜を上記潤滑油が接触する該保持器の表面部位に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、金属イオン含有ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルム中の金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

本開示は、ミクロ構造を形成する物品及び方法を記載する。方法は、くぼんだ表面を伴う１つ以上のくぼんだ形状を含む構造化表面領域を有する基材を提供する工程を含む。構造化表面領域は、実質的に平坦域を有さない。方法は、機能材料及び液体を含む流体組成物を構造化表面領域上に配置する工程を含む。方法は、液体を流体組成物から蒸発させる工程を含む。機能材料は、構造化表面領域の残余が、実質的に機能材料を有さないように、くぼんだ表面上に集まる。
（もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、微細で深い溝パターンを形成可能なメタルマスクを提供すること。また、微細で深い溝パターンを有するガラス成形型を提供すること。
【解決手段】開口パターン部１０ａと非開口パターン部１０ｂとを有するメタルマスク１０の非開口パターン部１０ｂを、触媒金属１８が付与された下地層１２の表面に積層された無電解Ｎｉめっきまたは無電解Ｎｉ合金めっきよりなるめっき層１４と、めっき層１４の表面を被覆するＮｉＦ_２層１６とから構成する。このメタルマスク１０を介して型基材部２０表面をエッチングする工程を経て、溝部を有するガラス成形型とする。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、低コストで生産することができ、しかも耐久性に優れた可変減衰力ダンパ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可変減衰力ダンパ１０は、磁性流体が充填されるシリンダチューブ１２と、シリンダチューブ１２の内部を第１油室１４と第２油室１５とに画成し、磁性流体を第１油室１４と第２油室１５との間で流通させる連通孔を有し、この連通孔内の磁性流体に磁界を印加するコイル３３を備えたピストン１６とを具備し、コイル３３への通電によって連通孔内の磁性流体の粘性を変化させて減衰力を制御する。シリンダチューブ１２は、その内周面に無電解Ｎｉめっきと加熱処理によって形成されたビッカース硬度が８００ＶＨＮ以上のＮｉめっき膜２２を備え、ピストン１６をＮｉめっき膜２２に対して摺動させる構造とした。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン１００の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は前記第２金属の合金１０６により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも１つの第一の還元剤、及び少なくとも１つの錯化剤を含み、ｐＨが８．５〜１２の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ピンホール欠陥を減少し、防食性を向上させるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】本実施例に係るめっき装置１０Ａは、被めっき体１１Ａを無電解めっき液１２に浸漬させて、被めっき体１１Ａの表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき層を形成するめっき装置であって、無電解めっき液１２を収容するめっき槽１３と、めっきを開始し、被めっき体１１Ａに無電解Ｎｉ−Ｐめっき層が形成される際に発生する水素ガスＧ量が一定状態になるまで被めっき体１１Ａを振動させる振動モータ１４と、被めっき体１１Ａと振動モータ１４とを連結する振動伝達部材１５と、振動モータ１４が発生する振動の振幅を調整するコイルバネ１６とを有する。発生する水素ガスＧ量が一定状態となるまで被めっき体１１Ａに振動を与え、被めっき体１１Ａに吸着された水素ガスの離脱を促進することで、無電解めっき層にピンホール欠陥が発生するのを防止し、防食性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】密着性がよく、錆が発生し難いめっきパターン部材及び電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に設けられた樹脂層２と、樹脂層２上に所定のパターンで設けられた被めっき層３と、被めっき層３上に設けられためっき層４と、めっき層４を隙間無く覆うように設けられた後処理層５とを有し、被めっき層３の下にある樹脂層２は、被めっき層３が設けられていない部分Ｂの厚さＴ_Ｂよりも厚い山形状又は丘形状からなり、被めっき層３は、樹脂層２の中腹より上に形成されているように構成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板から離隔して空隙を介して基板に対向する離隔対向部位を、基板上の犠牲層形成領域の凹凸態様に拘らず、所定の形状で形成するのに適したマイクロ構造体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ構造体製造方法は、例えば、複数の金属犠牲層３３，３５からなる積層構造を有する金属犠牲部をめっき法により基板１０’上に形成する工程と、金属犠牲部上に広がって基板１０’から離隔する部位を有し且つ基板１０’に支持される構造部１４を形成する工程と、金属犠牲部を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）