【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】還元剤の使用量が少なく、実用析出速度を維持し、かつ液安定性に優れた無電解金めっき液と無電解金めっき方法を提供する。
【解決手段】金塩と、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンまたはｐ−フェニレンジアミン等のフェニル化合物系還元剤と、エチレンジアミン等の水溶性アミンと、不純物金属隠蔽剤と、ｐＨ緩衝剤とを、含有する無電解金めっき液、およびその無電解金めっき液を用いた析出速度が向上し安定性に優れた無電解金めっき方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＣＣ基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が７重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、低コストで生産することができ、しかも耐久性に優れた可変減衰力ダンパ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可変減衰力ダンパ１０は、磁性流体が充填されるシリンダチューブ１２と、シリンダチューブ１２の内部を第１油室１４と第２油室１５とに画成し、磁性流体を第１油室１４と第２油室１５との間で流通させる連通孔を有し、この連通孔内の磁性流体に磁界を印加するコイル３３を備えたピストン１６とを具備し、コイル３３への通電によって連通孔内の磁性流体の粘性を変化させて減衰力を制御する。シリンダチューブ１２は、その内周面に無電解Ｎｉめっきと加熱処理によって形成されたビッカース硬度が８００ＶＨＮ以上のＮｉめっき膜２２を備え、ピストン１６をＮｉめっき膜２２に対して摺動させる構造とした。 （もっと読む）

【課題】ヘッダータンクを構成する部材の必要な部分にのみ薄くかつ均一な亜鉛付着層をする。
【解決手段】移送されているアルミニウム製ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)に、無電解亜鉛めっき液(114)が含浸された軟質体(110)を接触させることによって、前記ヘッダータンク(101)の一部領域(34)に無電解亜鉛めっきを行って亜鉛付着層(103)を形成する。また、前記軟質体(110)として、外形形状が略円柱形状に形成されるとともに該略円柱形状の中心軸線を回転軸(111)として回転可能に支持された多孔質軟質体であってその外周面の一部に周方向に沿ってヘッダータンク受容凹溝(112)が形成されてなる多孔質軟質体を用い、ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)を、前記多孔質軟質体(110)の受容凹溝(112)内に接触状態に嵌め込むことによって無電解亜鉛めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】水素分離用薄膜として供する緻密なパラジウムと銀合金膜を作製するに当たり、非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させて成膜し、６００℃以下の加熱で迅速に合金化させた水素分離用薄膜を提供する。
【解決手段】パラジウムと銀とを含むメッキ浴に、種核を付着させた多孔質基材を浸し、メッキを施す過程において、一定の流速で連続的に銀含有水溶液を添加することで、両元素の析出速度を制御して、一定の組成比のパラジウムと銀を深さ方向に均一に成膜する方法、及び該方法で作製した水素分離用薄膜。
【効果】非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させた水素分離膜として供するためのパラジウムと銀の合金膜を作製する方法及びその水素分離用薄膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 導電性無電解めっき粉体の無電解めっき工程で形成する突起の大きさや数及び突起の有無を制御し、さらに無電解めっきされない粉体を充分に低減することで、接続抵抗の充分な低減を図り、異方導電性材料または導電性材料に用いた場合に優れた接続信頼性が得られる導電性無電解めっき粉体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 めっき触媒を芯材粉体の表面に担持させてめっき触媒担持粉体を得るめっき触媒担持工程と、無電解めっき液を用いて上記めっき触媒担持粉体を無電解めっきし、無電解めっき粉体を得る無電解めっき工程と、を少なくとも含み、上記無電解めっき工程において、上記芯材粉体に担持されていない上記めっき触媒の存在下で無電解めっきを行うことで、該めっき触媒により上記無電解めっき液を自己分解させ、めっき表面に突起を形成させる、導電性無電解めっき粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来に比較して、第２の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、第１の無電解金属めっき層、第２の無電解金属めっき層がこの順に積層されている多層金属めっき基材を製造するにあたり、基材表面に触媒を有するリード基材を、第２の無電解金属めっき浴に先に浸漬させた後、引き続き、基材表面に第１の無電解金属めっき層が積層された本体基材を、第２の無電解金属めっき浴に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】導電性及び絶縁性に優れた高信頼性の異方導電性フィルムを実現可能な導電粒子、該導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子及びその製造方法、並びに該絶縁被覆導電粒子を用いた異方導電性接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の導電粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と、を備え、金属層は、樹脂粒子に近い順に、銅又は銅合金を含有する第１の層と、パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】金属模様または金属文字を有する曲面または平面体の製造方法およびそれによる曲面または平面体を提供する。
【解決手段】金属製曲面または平面体の模様または文字の被作成表面の全面に印刷インキまたは塗料によりマスキングをする第１工程と、該マスキング面にレーザー照射により模様または文字を形成する第２工程と、該形成された模様または文字部に電解メッキまたは無電解メッキによる金属メッキを、前記マスキング面より盛り上がるように施す第３工程と、必要により、前記金属メッキされた模様または文字部以外の面に化粧コートをする第４工程よりなる金属模様または金属文字を有する曲面または平面体の製造方法、およびそれによる曲面または平面体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銀鏡反応を用いて金属パターンと、プラスチック基板との密着性に優れた金属パターン形成体を高生産性で製造可能な金属パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。真空紫外光を用いて高精細なパターン状の真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造できる、パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、プラスチック基板を用い、上記プラスチック基板の表面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、上記真空紫外光照射工程において、真空紫外光が照射されたプラスチック基板の、真空紫外光照射面上に、銀鏡反応を用いて金属膜を形成する金属膜形成工程と、上記金属膜形成工程によって形成された金属膜をパターニングする金属膜パターニング工程と、を有することを特徴とする、金属パターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属またはその合金の層が表面または内部に適用された成形製品の作製方法を提供する。
【解決手段】この方法では、成形型が使用され、この方法は、成形工程および金属化工程から構成され、成形工程および金属化工程は、両方とも、成形型内で行われ、該金属化工程は、無電解プロセスよりなり、本発明は、さらに、該方法により得られた成形製品を含むデバイスに関するものである。 （もっと読む）

【課題】金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れた金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、（ａ４）形成されためっき膜をパターン状にエッチングする工程と、を有し、前記ポリマー層が下記１〜４の条件の全てを満たす金属パターン材料の作製方法。条件１：２５℃−５０％での飽和吸水率が０．０１〜１０質量％、条件２：２５℃−９５％での飽和吸水率が０．０５〜２０質量％、条件３：１００℃煮沸水に１時間浸漬後の吸水率が０．１〜３０質量％、条件４：２５℃−５０％で、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の接触角が５０〜１５０度 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の小さい金属薄膜を形成することが可能な、金属薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の基材上に金属薄膜を形成する方法は、基材上に、金属のイオンを還元するための還元剤を含むメッキ液を用いて金属薄膜を形成する方法であって、上記還元剤として、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記金属の粒子を形成する第一の還元剤と、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記粒子を核として、当該核の表面にさらに上記金属を析出させる第二の還元剤と、を用いる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂の表面に、過マンガン酸塩処理などによる樹脂の表面粗化処理および錫を含む触媒付着処理を必要とせず、均一かつ密着性に優れためっき皮膜を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂を、陰イオン性界面活性剤、有機溶媒およびアルカリ成分を含む前処理溶液で処理し、その後、特定ｐＨ値の貴金属イオン含有溶液により処理し、無電解めっき処理を行う。 （もっと読む）