【課題】回転軸の外周面とこの外周面に外嵌される回転伝達部材の内周面との密着力を向上させて、回転伝達部材や締付け用のボルトを小さくにする。
【解決手段】回転伝達部材は、回転軸の外周面に密着可能な円筒内周面を有し、内径方向に縮径可能になった摩擦締結部材１１と、摩擦締結部材１１の半径方向外側に形成された第１テーパー部と、該第１テーパー部と接触する第２テーパー部を半径方向内側に有する締付け部材と、第１テーパー部と第２テーパー部との接触状態を変更させる変更手段とを有している。摩擦締結部材１１の円筒内周面に、ダイヤモンド粒子４３を分散して含有した無電解ニッケル層４０が被覆されている。変更手段によって第１テーパー部と第２テーパー部との接触状態を変更させる。 （もっと読む）

【課題】銅表面に１，０００ｎｍを超す凹凸を形成することなく、銅表面と絶縁樹脂との接着強度を確保し、各種信頼性を向上させることができる銅表面の処理方法、ならびに当該処理された配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面の処理方法において、銅表面に貴金属を離散的に形成する工程、前記銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理して酸化銅を形成する工程、前記酸化銅を、還元剤を含むアルカリ溶液で還元処理して金属銅を形成する工程、前記金属銅の表面にニッケル、コバルト、ニッケルとコバルトの合金、ニッケルおよびコバルトの２層から選択される無電解めっき皮膜を形成する工程を有する銅表面の処理方法。 （もっと読む）

【課題】従来用いられている無電解銅めっき液と比較して安全性の高い無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂に対して、良好な密着性と優れたエッチング性を兼ね備えた導電性皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】還元剤として次亜リン酸又はその塩を含む自己触媒型無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂上にニッケル含有率２０〜７０重量％の銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂上への導電性皮膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】製造効率が向上し、傷付き及び焼切れが防止され、均一な厚さで金属めっき層が形成された光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供する。
【解決手段】シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を透明基板上に塗布、乾燥させ、透明基板上に前処理層を形成する工程、前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、めっき保護層が形成されずに露出した前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成し、透明基板、めっき保護層及び金属導電層を有する積層体を得る工程、及び長尺状の積層体を、陽極及び陰極を浸漬させためっき液中に連続的に浸漬させた後、長尺状の積層体にめっき液を介して陽極及び陰極から通電して電気めっきを行うことにより金属導電層上に金属めっき層を形成する工程、を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属層を含む微細な構造体を簡便に製造できる製造方法および該製造方法により製造される構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部または全部を残したまま、前記鋳型の一部または全部を除去する工程とを行うことにより前記基材上に構造体を形成し、前記基材と前記構造体とを分離する。または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより前記基材上に構造体を形成し、前記基材と前記構造体とを分離する。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき層に形成された貫通ピンホールを封鎖することにより耐食性に優れためっき層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材１上に、無電解Ni-Pめっきを行う第１めっき工程と、第１めっき工程によって形成された第１めっき層３の表面をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程によって処理された第１めっき層３上に、無電解Ni-Pめっきを行い第２めっき層５を形成する第２めっき工程を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき浴の強アルカリ性への耐性が付与された、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記導電性膜の形成方法を用いて形成された導電性膜を提供することにある。
【解決手段】ガラス基材上に、前記ガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するラジカル重合開始剤を前記ガラス基材に結合させる工程と、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着しうる部位とを有するポリマーを接触し、３２０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光により露光を行う工程と、無電解めっき触媒となる金属イオンを吸着させ、該触媒金属イオンを還元して薄膜を形成した後、無電解めっき処理を行う工程と、を有することを特徴とする導電性膜の形成方法、それを用いた形成された導電性膜。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ポリシラザンから生成されるシリカ膜を短時間で形成できる方法を提供する。
【解決手段】基材上に、ポリシラザンを含有するポリシラザン膜を形成した後、レーザ光またはマイクロ波を照射して前記ポリシラザンをシリカに転化させる工程を有するシリカ膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に無電解めっきを行って、これからフォトマスクを得、このフォトマスクのめっき金属層と基板との密着性が良好であり、このフォトマスクを使用して、例えばＰＤＰ用の大型スクリーン版を、安価に得ることができるスクリーン印刷用スクリーン版の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の上に無電解めっきを行って金属膜を形成し、その上にフォトレジスト膜を形成し、パターンを露光・現像し、画像形成後にエッチングして、パターンを形成し、このパターンをフォトマスクとして使用してスクリーン印刷用スクリーン版を製造する。 （もっと読む）

【課題】Pｄ活性化処理を行わずとも、被めっき金属微粒子を無電解めっき法によりめっき用金属にて良好にめっきする方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】被めっき金属微粒子は、まず第三工程においてその表面が清浄化処理されて、機械油、手垢、グリスなどの油脂類、あるいは軽度に脆化した酸化物や水酸化物などが除去され、ついで第一工程において高温度の大気中での加熱や酸化力のある酸水溶液などで酸化処理されてその表面に均一な酸化膜が形成され、最後に第二工程において所望のめっき用金属を自己触媒析出する無電解めっき液に浸漬して無電解めっきされる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの露出面を覆うすずめっき層を形成する際、すずの針状結晶の析出、及び成長を抑制する。
【解決手段】絶縁基材上に銅層から成る配線パターンが形成され、配線パターン上に配線パターンを部分的に覆う絶縁体から成る保護層が形成された配線基板を、めっき液に浸漬して、配線パターンの露出面を覆うすずめっき層を形成する配線基板のめっき形成方法であって、配線基板をめっき液に浸漬する浸漬処理の途中で、配線基板をめっき液から引き上げて浸漬処理を中断する中断処理を１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、孔径が５０〜１０００ｎｍである細孔を有する金多孔質体の製造方法、および当該金多孔質体を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる金多孔質体の製造方法は、例えば、モリブデン板を塩化金塩酸に１時間浸漬し、金ナノ粒子を析出させる工程（「コーティング工程」）、アルゴン雰囲気中９３０℃で１０分間、上記モリブデン板を加熱して金ナノ粒子同士を接合する工程（「焼結工程」）、および酸化雰囲気中で上記モリブデン板を９００℃程度まで加熱してモリブデン板を酸化および昇華させて除去する工程（「昇華工程」）を含む。上記製造方法により、例えば、孔径が１００〜３００ｎｍである細孔を有し、空孔率は１４．５％、厚さ５００ｎｍである膜状金多孔質体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、特に平均粒径が２０μｍ以下の微粒子であっても優れためっき密着性を有する導電性無電解めっき粉体及びその工業的に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性無電解めっき粉体は芯材粉体の表面をメラミン樹脂で被覆処理し、更に無電解めっきにより金属皮膜が形成されてなることを特徴とする。また、その製造方法は該芯材粉体と該メラミン樹脂の初期縮合物を接触させて該初期縮合物の重合反応を行って該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体を得る工程、次いで該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体の表面に貴金属を担持させる工程、次いで該貴金属を担持させた該芯材粉体を無電解めっき処理する工程とを、含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ポリイミド等のポリマー基板の改良されためっき方法に関する。
【解決手段】 本発明は、ポリマー基板をプラズマジェット又はコロナ放電表面処理で表面処理する工程、ポリマー基板を水酸化物及びイオン性パラジウムを含むエッチング液でコンディショニング及びエッチングする工程、ポリマー基板をイオン性パラジウムで活性化する工程、ポリマー基板上のイオン性パラジウムを還元する工程、無電解ニッケル層を調製したポリマー基板上にめっきする工程、及び無電解銅層を無電解ニッケル層上にめっきする工程を含む。本発明のプロセスは、ポリマー基板を電解めっきするためにポリマー基板を調製する改良された方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】一貫して湿式法により絶縁基体の表面に密着性の優れためっき層を形成しためっき体、およびめっき方法を提供することにある。
【解決手段】ガラス基板に対する酸・アルカリ洗浄工程ＳＴ１工程、マスキング工程ＳＴ２、触媒化処理工程ＳＴ３、無電解ニッケルめっき工程ＳＴ５、金めっき工程ＳＴ６をこの順に行う。ニッケルめっき層としては、リン含有量が６〜１０質量％のニッケルめっき層（柱状析出タイプの中リンニッケルめっき層）を用いる。また、中リンニッケルめっき層を形成する前段階で行う洗浄工程では、水洗浄として超音波洗浄を行い、水洗浄後には水溶性有機極性溶媒による溶剤洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有する銅表面の前処理方法。 （もっと読む）

新規の無電解めっき方法を提供する。触媒被膜をマイクロチャンネル装置内に適用することができる。無電解触媒被膜によって燃焼及び水蒸気改質を含む様々な反応を実施することができる。
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マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）