【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】有機物からなる防錆剤を用いた防錆処理やめっき処理を行わずに、回路パターンとなる銅回路板の表面の変色を防止するとともに、半田付け工程における半田濡れ性や耐熱性などの耐候性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、Ｐｄ活性化液に２０〜４０℃で２０〜６００秒間浸漬することにより銅回路板の表面にＰｄを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、３０〜６０℃程度の純水で温洗し、４０〜７０℃の温風により乾燥する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき触媒などの金属に対して十分な吸着性を有し、吸水性が低く、加水分解耐性に優れ、その表面上に形成される金属パターンの絶縁信頼性に優れた被めっき層（絶縁性樹脂層）を形成しうる被めっき層形成層組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】重合性基を有するユニット（Ａ）、ＣｌｏｇＰが０以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット（Ｂ）、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット（Ｃ）を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含み、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンを含有しない無電解錫めっき液であって、前記酸の少なくとも１成分として、リンゴ酸を５〜２００ｇ／Ｌ含有し、アルカンスルホン酸とアルカノールスルホン酸のアニオン部分が共存しないことを特徴とする無電解錫めっき液。及び前記無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物を浸漬した後、温度１１０〜１３０℃で４５〜９０分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする銅上に形成された錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無電解金属コーティング組成物に関し、無電解ニッケル皮膜を製造する方法およびそれにより作製される物品を提供する。
【解決手段】（ａ）基材を無電解ニッケル皮膜で被覆して被覆基材を用意し、（ｂ）被覆基材を、約５５０℃〜約７００℃の範囲の温度に約７〜約３０時間加熱することを含む加熱プロトコールに付すことを含む、無電解ニッケルコーティング組成物を製造する方法、および本方法で作成される物品。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用基板に金めっきを施す無電解金めっき液と金皮膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パラジウムめっき皮膜上に金皮膜を析出せしめる無電解金めっき液であって、シアノ基を含有しない水溶性金化合物、下記一般式（１）で表される化合物又はその塩類、Ｒ^１−Ｓ−Ｒ^２−ＣＯＯＲ^３（１）［一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、アルキル基が結合していてもよいアリール基、又は、アラルキル基を示し、Ｒ^２は、アルキレン基、アミノアルキレン基、アルキル基が結合していてもよいアリーレン基、又は、アラルキレン基を示し、Ｒ^３は、水素原子、アルキル基、アルキル基が結合していてもよいアリール基、又は、アラルキル基を示す。］及び、酸化還元電位が−３０ｍＶから−７００ｍＶの範囲である電子供与性化合物を含有することを特徴とする無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維強化炭素複合材の表面に金属皮膜を形成して炭素繊維の脱落を防止する方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材の被めっき物に対し、前処理工程、触媒付与工程及び無電解ニッケルめっき工程を含む金属被覆炭素繊維強化炭素複合材の製造方を採用する。そして、無電解ニッケルめっき工程では、ニッケルの沈着速度が遅い無電解ニッケルめっき条件を採用する。また、必要に応じて黒色化処理工程を付加し、光沢及び明度が小さな金属皮膜とする。 （もっと読む）

本発明は、長手方向に作業エッジ領域(130、230、…、730)が形成された平坦な細長い本体(110、210、…、710)を備えた、特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るためのドクターブレード(100、200、…、700)であって、作業エッジ領域(130、230、…、730)が、少なくともニッケル-リン合金を基材とする第1の被膜(150、250、…、750)により被覆されたドクターブレードに関し、第1の被膜(150、250、…、750)が、ドクターブレードの摩耗挙動を改善するための少なくとも1つの添加成分(160、360、460、660、760、761)を含むことを特徴とする。
（もっと読む）

太陽熱のための吸収コーティングの製造方法及び金属基材に塗布されるそのようなコーティング、特に、薄いアルミニウム金属シートに塗布されるコーティング。このコーティングは、金属酸化物前駆体をベースとするゾル−ゲルタイプのものであり、顔料粒子をその前駆体に親和的に混合した後、混合されたゾルラッカーを金属基材に塗布し、その後、必要な温度で湿った空気中で反応させてゾル−ゲルコーティングを得る。前駆体は、好ましくはＣｅＯ₂（ＮＯ₃）ベースのゾルでよいが、好ましくは２０％のＣｅＯ₂を有し、粒径が１０〜２０ｎｍであり、ｐＨが１．５である。また、顔料粒子は、マンガンフェライトブラックスピネル、Ｍｎ₃Ｃｕ₂ＦｅＯ₈でよい。 （もっと読む）

【課題】耐ウィスカ性の錫系コーティング層を銅基板の表面に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、０．５〜１．５μｍの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも７回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも２１７℃に加熱し、その後２０〜２８℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも０．２５μｍ厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー付与により高感度で硬化し、水溶液による現像により高解像度のめっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層パターンを形成し得る被めっき層形成用組成物、基板との密着性に優れた高解像度の金属パターンを簡易に形成しうる金属パターン材料の作製方法、及びこれにより得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、ラジカル重合性基を有するポリマー１質量％〜２０質量％と、水不溶性の光重合開始剤とを、２０質量％〜９９質量％の水溶性可燃性液体と水とを含有する混合溶剤に溶解してなる被めっき層形成用組成物、これを用いた金属パターン材料の作製方法、並びに、該作製方法により得られた金属パターン材料である。 （もっと読む）

堆積および処理時に導電性金属膜および金属線を形成するように適合させた金属錯体を提供する。該金属錯体は共有結合錯体であってよく、第1および第2の配位子を含みうる。低温処理を使用して該錯体を金属に変換することができる。該金属膜および金属線は純金属と同様の低い抵抗率および仕事関数を有しうる。貨幣金属を使用することができる(例えばAg、Au、Cu)。該配位子は、アミン、非対称アミンを含む供与結合配位子およびカルボキシレート配位子でありうる。硫黄錯体を使用することができる。カルボキシレート配位子を使用することができる。該錯体は高濃度の金属を有し得、芳香族炭化水素溶媒に可溶性でありうる。十分に揮発するように配位子を適合させることができる。インクジェット印刷を行うことができる。高導電率と共に高収率の金属を実現することができる。

（もっと読む）

【課題】ボイドのないポリマー層を、塗布液に用いる溶媒の沸点に関わらず、短い乾燥時間で形成することが可能な、ポリマー層の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のポリマー層の形成方法は、（ａ）ガラス転移温度が１８０℃以下のポリマーＰ、及び、該ポリマーＰを溶解する溶媒Ａを含む塗布液を、支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、（ｂ）該塗膜に、前記ポリマーＰを溶解しない、水及びアルコールの少なくとも一方を含む液体Ｂを接触させて、当該塗膜から溶媒Ａを取り除く工程と、（ｃ）該塗膜を乾燥する工程と、をこの順に含み、前記溶媒Ａと前記液体Ｂとが「溶媒Ａの沸点」＞「液体Ｂの沸点」の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】めっき下地の表面であって非回路となる部分について、レーザー光の照射による除去が困難な部分と、マスク材の被覆が困難な部分との双方が存在する場合にも、電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体１に施した無電解銅めっき２の表面において、レーザー光３の照射による除去が容易な非回路となる部分２２ａ〜２２ｄについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材４で被覆する。レーザー光３の照射によって除去されず、かつマスク材４で被覆されていない回路となる部分２１に電解銅めっき５を積層した後でマスク材４を溶解除去する。電解銅めっき５によってカバーされた回路となる部分２１以外の無電解銅めっき２をエッチング液で除去する。 （もっと読む）

【課題】導電ペースト用フィラーに適した高品質の銀被覆銅粉およびそれを用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、ＪＩＳ Ｚ８７２９に規定される明度Ｌ^*が５０以上である銀被覆銅粉。機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、銀被覆層の平均厚さｔ（ｎｍ）と銀被覆銅粉の明度Ｌ^*が下記(1)式の関係を満たす銀被覆銅粉。３９＋０.７６ｔ−３.５×１０^-3ｔ²≦Ｌ^* …(1)。銀の被覆量は例えば３０質量％以下である。酸素含有量は例えば１質量％以下、炭素含有量は例えば２質量％以下である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）