金属前駆物質とアルコール溶媒を含有する反応混合物を提供する段階と、反応器を通して反応混合物を連続的に流す段階と、反応混合物にマイクロ波またはミリメートル波エネルギーをかける段階であって、そのマイクロ波またはミリメートル波エネルギーが反応混合物の近傍に局在化される段階と、アルコール溶媒が金属前駆物質を金属に還元するように、反応混合物をマイクロ波またはミリメートル波エネルギーで加熱する段階であって、その加熱が反応器内で起こる段階とを含む、ナノ結晶性金属を形成する方法。
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【課題】基材表面を触媒化処理することなく、基材表面上に直接金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が還元剤を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】
金がエタノールに代表されるアルコール系水酸基含有化合物溶媒中にコロイド状に分散した金コロイドアルコール溶液と、フッ素系高分子材料とを接触させて該高分子材料の表面に金微粒子を付着させた後、金微粒子の表面を活性化させ、次いで、無電解又は電解金メッキを行うことを特徴とする、フッ素系高分子材料表面への金皮膜の形成方法、及び、該方法で得られた金皮膜付きフッ素系高分子材料。
【効果】
実質上、不純物を含まない（すなわち金の単元素よりなる）金メッキ被覆層をフッ素系有機高分子材料の表面に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上の汚染の低減，及び処理費用の削減を測りつつ，その表面への流の供給,除去を効率良く行う装置並びに方法を提供する。
【解決手段】 多数の実施形態の１つとして、基板を処理するための方法と該方法に使用する近接型プロキシミティプロセスヘッドが開示される。該方法は、第１の流体メニスカスと、該第１の流体メニスカスを少なくとも部分的に取り囲む第２の流体メニスカスと、を生成する工程を含み、第１の流体メニスカスおよび第２の流体メニスカスは、基板の表面上に生成される。 （もっと読む）

本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

無電解金属めっき浴中へナノメーターサイズの粒子を添加することによって、該めっき浴中で発生するシーディングの低減又は除去がもたらされる。該シーディングの低減化によって、塗膜中の混在物又は孔食の低減化がもたらされる。一般的には、保全と頻繁におこなわれるタンク洗浄のスケジュールを通常の２〜３日間を越えて延長させることができる。塗膜の特性は、該浴中での該粒子の共沈着によって改良される。硬度、耐食性及び耐水性等の特性が改良される。 （もっと読む）

白金族に属する金属及びビスマスの酸化物を含む皮膜を有する導電性基体からなる電極用素子を用いることによって、従来用いられている鉛電極の有する欠点のない電極用素子を提供することができる。
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化学的及び電解的に加工物（１）を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ（短絡）又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク（２）とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも１つの運搬キャリッジ（１８）、少なくとも１つの保持要素（１４、２５）及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも１つの接続手段（１２、１３、３５）を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン（３）と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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【課題】 還元剤溶液を用いることなく簡便な工程で作成することができる上、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較して簡素化することができ、しかもミクロ〜ナノスケールで金属メッキパターンを正確に形成することができる無電解メッキ触媒を提供する。
【解決手段】 高分子−金属クラスター複合体からなる無電解メッキ用触媒。
高分子−金属クラスター複合体が、金属化合物の蒸気を、高分子化合物に、ガラス転移温度以上、不活性ガス雰囲気下において接触させ、金属化合物の蒸気を高分子内部に浸透させると同時に還元することにより得られたものである無電解メッキ用触媒。 （もっと読む）

本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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【課題】 材料成長のための方法および装置を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ液に曝されるウエハの表面を選択的に加熱するための方法および装置が提供される。放射エネルギ源による選択的加熱は、ウエハ表面と無電解メッキ液との間の境界において温度上昇を引き起こす。この温度上昇は、ウエハ表面においてメッキ反応を生じさせる。したがって、ウエハ表面には、適切に定められた放射エネルギ源によってウエハ表面の温度を変動させることによって開始され且つ制御される無電解メッキ反応を通じて材料が成長される。また、ウエハ表面に近接する上方の位置に平面部材を配することによって、平面部材とウエハ表面との間に無電解メッキ液を閉じ込めることもできる。メッキ反応を通じて成長される材料は、平面部材の平面性に適合する平坦化層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）