【課題】均一な膜厚で分布するパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜でセラミックスを主成分とする多孔質体の表面が被覆されるめっき物、均一な膜厚で分布するパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜でセラミックスを主成分とする多孔質体の表面上を被覆する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法を用いて、セラミックスを主成分とする多孔質体１３をめっき液２２中に浸漬させる時に、攪拌強度Ｇ値を２５０（１／ｓ）以上にてめっき液２２を攪拌することで、セラミックスを主成分とする多孔質体１３の表面をパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜２で被覆する。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のエッチング処理を施すことなく、高分子繊維又は炭素繊維の表面にメッキ処理により均一な金属皮膜を均一且つ密着性よく形成することができるメッキ前処理方法及び均一な金属皮膜が均一且つ密着性よく形成されている高分子繊維又は炭素繊維の製造方法を提供する
【解決手段】油剤を含有しない高分子繊維糸条又は炭素繊維糸条が無芯で又は多孔性管を芯として捲き回されてなる高分子繊維又は炭素繊維材料を、有機金属錯体を含む超臨界流体又は亜臨界流体に浸漬することにより高分子繊維又は炭素繊維表面に有機金属錯体を付着させる第１工程と、高分子繊維又は炭素繊維表面に付着した有機金属錯体を還元して活性化させる第２工程とを含むことを特徴とする高分子繊維又は炭素繊維のメッキ前処理方法。 （もっと読む）

【課題】基材上に塗布された薄膜の表面にレーザー光を照射することで薄膜を加熱して焼成する場合に、目標とする物性の薄膜を形成する。
【解決手段】母材３０の壁面３０ａ上に薄膜材料４２を含む溶液を薄膜状に塗布する薄膜塗布工程においては、薄膜２０のレーザー光透過率が厚さ方向位置に応じて変化するようにレーザー光吸収塗料が混入された溶液を母材３０の壁面３０ａ上に塗布する。焼成用加熱工程においては、この塗布された溶液による薄膜２０の表面２０ａにレーザー光６５を照射することで、薄膜２０を加熱して焼成する。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第１ニッケルメッキ層を形成する工程と、第１ニッケルメッキ層上に第２ニッケルメッキ層を形成する工程と、第２ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Ｔ_plateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度：Ｔ_bottom（ｔ）を、１５０℃〜２５０℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Ｔ_b-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度：Ｔ_top（ｔ）を、温度差ΔＴ（ｔ）＝｛Ｔ_bottom（ｔ）−Ｔ_top（ｔ）｝≧１０℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 （もっと読む）

【課題】複数の部材を積層して積層構造体を製造する場合に、部材間の接合強度を向上させる積層構造体の製造方法、及び、インク流路内の部材間の接合強度と耐インク性を向上させるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の部材４１０，４２０，４３０，４４０，４５０，４６０，４７０が一部に架橋性樹脂４１５，４６５を介して積層されている積層構造体４００を用意し、架橋性樹脂が露出している部分に高圧流体３１５を供給することにより、該架橋性樹脂の架橋度を増大させた後、積層構造体から高圧流体を除去する。インクジェット記録ヘッドの場合、高圧流体を除去した後、さらに、第２の高圧流体とめっき液とを混合して攪拌した混合流体３１７により、インク流路４９０の内壁４２２にめっき膜４２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】余計なプロセスを省きながら形成可能な膜厚の自由度が高いパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コロイドに微粒子を分散させた液体材料２を基板１に接触させ、基板１上にエネルギービーム７を照射することで液体材料２中の少なくとも一つの成分を基板１上に固定する際に、基板１の少なくとも一部が液体材料２に接触しておらず、かつその液体材料２に接触していない部分からエネルギービーム７を入射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、表面に導電体２を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い無電解めっき方法であり、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地金属上に無電解めっきにより金属を積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、導電体２へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、導電体２を浸漬することを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】形成されためっき面の外観不良が発生しないフィルムキャリアテープの製造方法とその製造に用いられる無電解スズめっき装置を提供する。
【解決手段】無電解スズめっき装置は、フィルムキャリアテープ２に無電解スズめっきを施すめっき槽１と、該めっき槽１のめっき液面より上に配置された液切り治具１１とシャワー装置１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき液を短期間で交換することなく配線パターン間の金の析出が抑制されるめっき装置と、めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１０は、めっき液７を貯留する金属製のめっき槽１、めっき液７に浸漬される電極２および電源部６を備えている。めっき槽１には、それぞれ電源部６に繋がれた参照電極のリード線４と対極のリード線５とが接続されて、めっき槽１が陽極とされ、電極２には、電源部６に繋がれた試料電極のリード線３が接続されて、電極２が陰極とされる。電源部６によって、めっき槽１と電極２との間の電位差が自然分極電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液の温度や流動を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】リザーブ槽２０からポンプ５０によってめっき液Ｂをめっき槽１０へ導入させ、多孔管６０の吐出口６２よりめっき槽１０上方へ吐出させることで、めっき槽１０内のめっき液Ｂに流動が与えられる。このとき、吐出口６２が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管６０の上方および両側方であり、さらに、多孔管６０の上部に多孔質板９０が設けられていることから、めっき槽１０内のめっき液Ｂの流動は均一化される。また、めっき液Ｂの温度については、リザーブ槽２０内に設けられたヒーター８０、ヒーター制御部８１および攪拌機７０によって調節され、その後に温度調節されためっき液Ｂがめっき槽１０へ導入される。 （もっと読む）