【課題】共鳴波長をチューニング可能な異方成長した微粒子の特徴と、より強い表面プラズモン増強場の生成が可能な近接微粒子の特徴とを併せ持つ複合金属ナノ粒子の簡略な製造方法と複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収材料並びに多光子吸収反応助剤を提供する。
【解決手段】形状異方性を有するナノ粒子(例えば、金)の表面に被覆された卑なる金属(例えば、銀)の少なくとも一部を、プラズモン増強場を発生させ得る、前記卑なる金属よりも貴なる金属(例えば、金)のイオンを含む溶液中でイオン化傾向の違いにより貴金属(例えば、金)に置換して複合金属ナノ粒子とし、これを含む多光子吸収材料または同反応助剤を、例えば、三次元多層光メモリ、光造形用材料、二光子蛍光顕微鏡へ応用する。 （もっと読む）

タイヤのような成形及び押出物品用の補強手段は、自身に結合したシリカゲルの層を有する金属構造体を有している。このシリカゲルは、ゴム配合物の成形／加硫中に遅い硬化段階を必要とせずに、補強手段をゴム配合物に結合させる。このシリカゲルは、１５０℃以下の温度でゾルを乾燥させることによってゲルが形成されるゾルゲルプロセスにより金属構造体に塗布してもよい。補強手段は、好ましくは、上記シリカゲルでコーティングされた複数のスチールワイヤーから形成されたケーブルである。シリカゲルのゴム配合物への結合をさらに向上させるために、ゴム配合物に有機シラン結合剤を含ませる、又は結合剤として有機シランを含む第２層を補強手段に設けてもよい。補強手段は、タイヤを強化し、幾何学的安定性を付与するのに特に有用である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎを含む化合物からなる基板に密着性良く無電解めっきを形成する製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎを含む化合物からなる基板１１を硫酸銅溶液に浸漬してこの基板１１上にＣｕ薄膜１２を形成する。その後、該Ｃｕ薄膜１２が形成された基板１１にＣｕよりもイオン化傾向の大きな金属を接触させたまま無電解めっきを開始して、無電解めっき膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理液に含まれる成分の濃度を適切に制御し、当該処理液を用いた被処理物の均一な表面処理を提供する。
【解決手段】メッキ液を用いてウエハ１３を表面処理する無電解メッキ装置１００は、処理槽１及び循環ライン３内を循環するメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第１濃度計４と、第１の濃度計とは異なる位置におけるメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第２濃度計５と、第１濃度計４及び第２濃度計５が検出した成分濃度又はこれらの成分濃度差が、所定の目標値になるように、処理槽１内及び循環ライン３内のメッキ液の流量を調整する制御部１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子（単一粒子）で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】金属の表面改質に関してイトロ処理法を更に発展させる。
【解決手段】歯科治療の前装冠の作製において、先ず、鋳造した金銀パラジウム合金2の表面に細かい凹凸を形成するためにサンドブラスト処理(S11)を行った後に、火炎を使って金銀パラジウム合金2の表面に酸化膜を生成する(S13)。次いで、シラン化合物とプロパンガスとを充填したボンベを装着したガンタイプのガスライターを使って火炎を金銀パラジウム合金2の表面に吹き付けるイトロ処理を行うことで上記酸化膜の上に水酸化ケイ素を生成する(S14)。次に、プライマー及びオペーク剤を塗布した後に硬質コンポジットレジンを築盛する(S15,S16)。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】長尺フィルム等に対して、連続して均一な高圧処理を行える方法および装置の提供。
【解決手段】高圧処理チャンバー内でロール状に巻回された被処理体を繰り出して走行させながら超臨界または亜臨界状態の高圧流体と接触させて高圧処理を行った後、ロール状に巻回することを特徴とする連続高圧処理方法、および高圧処理チャンバーを備えると共に、高圧処理チャンバー内に、被処理体の繰り出し手段と、複数の送りローラと、処理体の巻き戻し手段とを備えたことを特徴とする連続高圧処理装置である。 （もっと読む）

【課題】前駆体溶液に各々の組成部分が均一に混合される薄膜製造システムを提供する。
【解決手段】薄膜製造システム１０は、前駆体溶液２００を製造する前駆体溶液製造装置１１及び前記前駆体溶液を基板の表面に導入して薄膜を形成する薄膜堆積装置１２を備え、前記前駆体溶液製造装置１１は、吸収塔１１２と、該吸収塔に連通される液体貯蓄缶１１１及び気化装置１１０を備え、前記液体貯蓄缶は、膜めっき溶液を貯蓄し且つ前記吸収塔に前記膜めっき溶液を提供し、前記気化装置は、添加剤溶液を気化させ且つ前記吸収塔に気化された添加剤溶液を提供し、前記吸収塔は、前記膜めっき溶液に前記気化された添加剤溶液を吸収させて前駆体溶液を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】無水銅塩成分と、無水コバルト塩成分と、非水錯化剤と、非水溶媒とを含有する非水無電解銅めっき溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ３価のチタン塩を含む無電解スズメッキ浴において、簡便な操作で無電解スズ浴のメッキ機能を長期に安定化させる。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とレドックス系還元剤としての３価チタン塩と錯化剤とを含有した無電解スズメッキ浴を用いて、３価のチタンイオンから４価への酸化によりスズイオンを金属スズに還元して析出させる際に、スズメッキ浴に陰極と陽極を臨ませ、無電解メッキ処理と並行して、或は無電解メッキ処理後に、メッキ液を電解還元処理してチタンイオンを４価から３価に還元・再生する無電解スズメッキ方法である。微量の電圧で電解還元して、チタンイオンを４価から３価に還元するため、浴でのスズの析出作用を長期に保持できる。 （もっと読む）

【課題】高原子価金属化合物から金属膜を直接製造することができる組成物、金属膜の製造方法、及び金属粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】銅、銀またはインジウムの高原子価化合物、直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類およびＶＩＩＩ族の金属触媒から成ることを特徴とする、銅、銀またはインジウムの金属膜製造用組成物を用いて被膜を形成し、次いで加熱還元することにより、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。また、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物かの代わりに、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物からなる表層を有する銅、銀またはインジウムの金属粒子を用い、同様にして、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が１６ｍｇ／ｌ以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 （もっと読む）

【課題】フェライトメッキ法に基づいたフェライト膜付着体の製造方法であって均質なフェライト膜を有するフェライト膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体３とその基体３に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、基体３の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から基体３の表側に供給し、反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２〜１５０ｍ／ｓ^２の加速度を加える。 （もっと読む）

【課題】フィラメントの表面に均一な金属メッキ層が均一且つ密着性よく形成され、軽量で、高強度であり、導電性が優れ且つ均一である導電性高強力繊維糸を生産性よく製造することができる導電性高強力繊維糸の製造方法を提供する。
【解決手段】多数のフィラメントが集合されてなる高強力繊維糸を開繊して平板状のフィラメント束を形成し、該平板状のフィラメント束をプラズマ処理又は電子線照射処理する第１工程と、プラズマ処理又は電子線照射処理されたフィラメント束を、有機金属錯体を含む超臨界流体又は亜臨界流体に浸漬することによりフィラメント表面に有機金属錯体を付着させる第２工程と、フィラメント表面に付着した有機金属錯体を還元して活性化する第３工程と、このフィラメントをメッキ液に浸漬して無電解メッキ処理を行い金属メッキ層を形成する第４工程を含むことを特徴とする導電性高強力繊維糸の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）