【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅めっきによって銅を良好に埋め込むことのできる抑制剤と、促進剤および平滑剤を必須の有効成分として含有する電解銅めっき浴、およびこの電解銅めっき浴を用いた電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、特定のブロック重合体化合物からなる抑制剤を０．００１〜５質量％；特定の促進剤を０．０１〜１００質量ｐｐｍ；およびジアリルアミンと硫酸化合物との塩・マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン・Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリル酸共重合体と硫酸化合物との塩、塩化メチルビニルイミダゾリウム・ビニルピロリドン共重合体、Ｎ−アシル−Ｎ’−カルボキシエチル−Ｎ’−ヒドロキシエチルエチレンジアミンまたはそのアルカリ金属塩（ここで、アシルは、炭素数８〜２０の脂肪族アシル基を示す）から選ばれる少なくとも１種の平滑剤を０．０１〜２５０質量ｐｐｍを含有してなることを特徴とする電解銅めっき浴に係る。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】シアン系の銀めっき液を使用しないで製造しても密着性が良好であり、高硬度で且つ高温環境下において変色し難い銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硝酸銀を含む硝酸系銀めっき液を使用して電気めっきを行うことによって、銅、鉄、アルミニウムなどやこれらの合金からなる素材上に銀めっき皮膜を形成する際に、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓ以下、好ましくは０．００５〜０．１Ａ／ｄｍ^２・ｓの電流密度上昇速度で上昇させた後に、２Ａ／ｄｍ^２以上、好ましくは２〜１０Ａ／ｄｍ^２の一定の電流密度に維持する。 （もっと読む）

本発明は、（１）水溶性三価クロム塩；（２）三価クロムイオン用の少なくとも１つの錯化剤；（３）ｐＨを２．８〜４．２にするのに十分な水素イオン源；（４）ｐＨ緩衝化合物；及び（５）硫黄含有有機化合物を含むクロム電解めっき溶液を含むクロム電解めっき溶液からなる。前記クロム電解めっき溶液は、装飾物品に接着性金属コーティングを施す方法で使用可能であり、前記コーティングは、塩化カルシウム含有環境における耐食性が強化されている。 （もっと読む）

【課題】黒色めっき皮膜及びその皮膜形成方法において、六価クロム化合物を含まないめっき液組成で六価クロム液使用の従来技術と同等以上に黒色度が高く均一で再現性良く繰り返し製造することができ、防錆性等の皮膜特性に優れていること。
【解決手段】被めっき部材１０を脱脂洗浄し（Ｓ１０）、水洗してアルカリ系脱脂洗浄剤を一旦除去し（Ｓ１１）、直流電源装置を使用して電解脱脂し（Ｓ１２）、再び水洗して（Ｓ１３）、塩酸に浸漬して酸洗浄し被めっき部材１０の錆・酸化皮膜等の除去を行い（Ｓ１４）、水洗して（Ｓ１５）、被めっき部材１０に付着する酸洗浄剤を除去した後、めっき槽内のめっき液１１（塩化クロム、炭酸コバルト、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸バリウムを含有する）に浸漬して直流電流を一定時間流して電解めっきを実施する（Ｓ１６）。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
（もっと読む）

【課題】亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属素材に対して、安定して密着性の良いストライク銅めっき皮膜を形成できる銅めっき液であって、さらに人体や環境に対する悪影響が少ない銅めっき液を提供する。
【解決手段】
下記（１）及び（２）に示す成分を含有し、ｐＨが１０．５〜１３の範囲内にあることを特徴とする、亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属用のストライク銅めっき液：
（１）酸化銅、水酸化銅、炭酸銅、蟻酸銅及び酢酸銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の２価の銅化合物
（２）下記式：


［式中、Ｍ^１及びＭ^２は同一又は異なって、それぞれ水素又はアルカリ金属である。］で表される基を２個以上有する有機ホスホン酸類。 （もっと読む）

【課題】バルク実装のような被めっき物がぶつかり合う状況での錫の削れカスが少なく、チップ部品同士のくっつきが少なく、かつ他のめっき特性も良好な錫めっき皮膜を得られる錫めっき液及びチップ部品のめっき方法を提供する。
【解決手段】（１）第一錫イオン、（２）錯化剤、（３）ノニオン系界面活性剤及び（４）酸化防止剤を含有する電気錫めっき液において、ノニオン系界面活性剤として、下記一般式（Ａ）で示される化合物及び下記一般式（Ｂ）で示される化合物を含有することを特徴とする、チップ部品用電気錫めっき液。一般式（Ａ）：Ｒ−（Ｃ_６Ｈ_４）−ＲＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ一般式（Ｂ）：ＨＯ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｌ−（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｍ−（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎ−Ｈ （もっと読む）

【課題】Crを用いず、湿潤樹脂密着性に優れ、かつ樹脂被覆後の表面外観を損なうことがない、ティンフリー鋼板の代替材となり得る表面処理鋼板、その製造方法およびこの表面処理鋼板に樹脂が被覆された樹脂被覆鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面の最表層に、TiとCoを含み、かつJIS Z8730:2002に規定されている物体色の色差を表すL*値が50以上、a*値が-2以上1.5以下、b*値が2.2以上12以下を満足する密着性皮膜を有することを特徴とする表面処理鋼板。 （もっと読む）

【課題】電解質溶液中に第一スズイオンを補給する改良された方法を提供する。
【解決手段】酸化第一スズを含む酸性溶液を用いて、水性電解めっき浴中にスズおよび合金形成金属を補給する方法が開示される。スズまたはスズ合金の電気めっき中に第一スズイオンおよび合金形成金属イオンが枯渇する。継続的かつ効果的な電気めっきプロセスを維持するために、スズおよびその合金形成金属を含むめっき浴の所定量がベールアウトされる。ベールアウトは、次いで、酸化第一スズおよび任意の合金形成金属を含む酸性溶液の所定量と混合される。その混合物は、次いで、めっき浴に戻されて、第一スズイオンおよび合金形成金属イオンをその定常状態濃度に戻す。 （もっと読む）

本発明は、窒素含有有機添加物、可溶性亜鉛塩及び場合によりＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＳｎ塩から選択される他の金属塩を含有する、酸性又はアルカリ性の亜鉛又は亜鉛合金浴の機能的層をメッキするために使用される方法に関し、その際、再生のための前記浴の組成物を、イオン交換樹脂を有する適切な装置を介して運搬して、シアニドイオンを除去する。
（もっと読む）

電着浴、電着システム、及び電着方法が提供される。幾つかの実施形態では、前記浴、システム、及び方法を使用して金属合金コーティングを堆積させる。
（もっと読む）

金属クロムを基板にめっきするめっき方法が開示される。方法は、硫酸塩及び／又はスルホン酸塩マトリクスを含む三価クロムめっき浴を使用する。方法は、また、不溶性陽極を利用する。マンガンイオンをめっき浴に添加することで、めっき浴を使用する際に有害な六価クロムイオンの形成を阻止する。 （もっと読む）

本発明は、めっき溶液にシアン化物を用いることなく、亜鉛ダイカスト物品にめっきを施す方法を含む。前記方法は、先ず前記亜鉛ダイカスト物品に亜鉛合金層のめっきを施し、次いで銅、ニッケル、クロム、スズ、又は黄銅でめっきを施すことを提唱する。好ましい亜鉛合金初期コーティングは、亜鉛−ニッケルである。 （もっと読む）

本発明は、特に、装飾物品上への、プラチナとロジウムの合金を含むコーティングの堆積のための電気化学的プロセスに関する。本発明の方法は、電着層が、予想に反して、銀の外観に極めて近い高い白色度を有するという規定条件が利用されることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）は０．０３〜０．５０（ｍｏｌ／Ｌ）の範囲であることが好ましく、また、ｐＨは５〜１０の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Ａの比（Ａ／Ｍ）が、５％以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 （もっと読む）