【課題】 有害な鉛を含まず、優れたはんだぬれ性を有する錫電気めっき液、およびそのような錫電気めっき液を用いて電子部品等に錫被膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】 第一錫イオンと、有機酸と、２−ナフトール−７−スルホン酸またはその塩を含有し、実質的に鉛イオンを含有しない錫電気めっき液であって、任意に酸化防止剤および界面活性剤を含有する。有機酸がアルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１以上の酸であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】 めっき状態でも硬度が高く、優れた摺動性能を有するNi-P系電気めっき皮膜を提供する。
【解決手段】Niイオン、亜リン酸イオン、錯化剤及び0.15〜0.25wt％のサッカリンを含有するとともに、前記錯化剤が重量比率で乳酸：グリシン：酢酸＝ 0.5〜1.0： 1.0〜2.8： 0.5〜1.0からなる混合錯化剤であるめっき浴中にて電気めっきを行なう。
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【課題】建浴後の劣化が殆どなく、微細な溝や穴に対して銅の埋め込み性の良い電解銅メッキ用添加剤、それを用いた電解銅メッキ浴、及び電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物の使用：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は水素又は一般式（２）


で表される芳香族基、Ｍはアルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウム、Ａはベンゼン環又はナフタレン環、Ｒ^３はアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を表す） （もっと読む）

【課題】建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことを可能にする、電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及びこの銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】以下の一般式（１）で表される化合物からなる電解銅メッキ用添加剤：


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜３の置換基を有していてもよい炭素数５〜９のシクロアルキル基であり、Ｒ^１〜Ｒ^４の全てが同時に水素原子であることは無く、Ｍは、アルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウムを表す） （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスなどの電子部品をめっきしても、回路間の絶縁が不良となるなどの問題を生ずることのないめっき浴用添加剤、それに用いることのできるスルホカルボン酸剤、さらには、より高純度のスルホカルボン酸エステル剤、およびこれを用いたより高品質の界面活性剤を提供する。
【解決手段】 スルホカルボン酸を主成分とし、該スルホカルボン酸に対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸剤、および、スルホカルボン酸エステルを主成分とし、該スルホカルボン酸エステルに対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸エステル剤である。スルホカルボン酸は、チオール基を有するカルボン酸を、過酸化水素で酸化することにより好適に得ることができ、スルホカルボン酸エステルは、さらに、これをエステル化することにより好適に得ることができる。 （もっと読む）

被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 （もっと読む）

【解決手段】 マイクロビアやスルーホールをめっきする方法であって、少なくともコンディショニング工程と電気めっき工程を有し、前記コンディショニング工程では、基材を浸漬すべき、少なくとも１種の光沢剤成分、および塩化物および／または臭化物を含有する溶液が用いられ、前記電気めっき工程での電解液は、少なくとも１種のキャリアーおよび／またはレベラーを含有する。
【効果】 （１）ブラインドマイクロビアの充填、（２）スルーホールの充填、（３）スルーホールめっきに関する驚異的な改善が認められた。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮させる。
【解決手段】 可溶性銅塩とベース酸を含有し、ベース酸が有機酸であり、錯化剤に特定の脂肪族チオアミノカルボン酸又はその塩（メチオニンなど）、脂肪族メルカプトカルボン酸又はその塩（メルカプトコハク酸など）、スルフィド類（３,６−ジチアオクタン−１,８−ジオールなど）、アミノカルボン酸類（ジエチレントリアミンベンタ酢酸など）、或はチオ尿素類を選択した電気銅メッキ浴である。また、ベース酸の種類を問わず、上記錯化剤に準じた種類の錯化剤を含むメッキ浴も有効である。特定の錯化剤を含む有機酸又は無機酸の銅浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有する。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)芳香族スルフィド類、芳香族メルカプタン類、チオ尿素類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸などが、(ｂ)の芳香族スルフィド類には３,４,５−トリヒドロキシ−４′−アミノジフェニルジスルフィドなどが、芳香族メルカプタン類には２,６−ジヒドロキシ−２−メルカプトピリジンなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】 スズとスズより貴な金属（銀、ビスマス、銅など）との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ（合金）陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−Ｎ,Ｎ−二酢酸、メチルグリシン−Ｎ,Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)脂肪族スルフィド類、脂肪族メルカプタン類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸、３−アミノピラジン−２−カルボン酸などが、(ｂ)の脂肪族スルフィド類には４,７−ジチアデカン−１,１０−ジオールなどが、脂肪族メルカプタン類にはチオグリコールなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】凹部を有する被めっき物に対して、煩雑なめっき液の調整を行うことなく、凹部に対する良好な埋込性を発揮できる新規な電気めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する酸性電気銅めっき液であって、塩化物イオン濃度が、２〜１５ｍｇ／Ｌの範囲内であることを特徴とする、凹部に対する埋込性に優れた酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】酸性銅水溶液のパルス逆電解法を、印刷用シリンダ、特にグラビア印刷用シリンダに銅を堆積させるために使用する。
【解決手段】メッキ組成物は、概して、銅イオン、対イオン、塩化物イオン、ポリアルキレングリコール、及び浴可溶性二価の硫黄化合物を含む。この利点は被メッキ物上へ電着された銅膜厚分布の向上、金属廃棄物の低減、メッキ処理時間の短縮、生産能力の向上等である。 （もっと読む）

本発明は構造化硬質クロム層の生成方法に関し、該方法において、クロムは電解質から被加工物上に析出され、該電解質は、ａ）５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌの無水クロム酸に相当する量のＣｒ（ＶＩ）化合物と、ｂ）０．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの硫酸と、ｃ）５ｇ／Ｌ〜１５ｇ／Ｌの、１〜６個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸とを含む。電解質は、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸のアルカリ金属塩、モリブデン酸のアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム、バナジウム酸のアルカリ金属塩、バナジウム酸のアルカリ土類金属塩、ジルコン酸アンモニウム、ジルコン酸のアルカリ金属塩およびジルコン酸のアルカリ土類金属塩より選択される化合物のいずれも実質的に含まず、１２％以下のカソード電流効率で処理される。本発明は、コーティングの生成方法、構造化硬質クロム層、コーティングおよび電解質にも関する。
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本発明は、表面処理を行わなくても塗装膜との密着性に優れ、且つ耐食性にも優れためっきを得ることのできる電気めっき液組成物を提供することを課題とする。本発明は、（Ａ）Ｚｎイオンを１〜６００ｇ／ｌ、（Ｂ）鉄族元素イオンを１〜６００ｇ／ｌ、（Ｃ）タングステン酸系化合物をＷイオンとして０．１〜２００ｇ／ｌ、及び（Ｄ）数平均分子量が１，０００〜１０００，０００の水溶性又は水分散性有機高分子化合物を０．５〜５００ｇ／ｌ含有することを特徴とする有機高分子複合電気亜鉛合金めっき液組成物に関する。 （もっと読む）

金属又はプラスチック部品の大きな領域上に、高研磨で、装飾的な光沢があり、滑らかで且つ平坦な銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液は、ａ）少なくとも一種の酸素含有高分子添加剤と、ｂ）少なくとも一種の水溶性硫黄化合物を含み、その中で、水溶液は、付加的に、ｃ）一般式（Ｉ）を有する少なくとも一つの芳香族ハロゲン誘導体を含み、式中で、ハロゲンとなるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６基の個数は１〜５の範囲であるという条件付きで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は、それぞれ独立して、水素、アルデヒド、アセチル、ヒドロキシ、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル、炭素数１〜４のアルキル及びハロゲンからなるグループから選ばれる基である。
【化１】

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