説明

Fターム[4K024AB03]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ層の構造、組織 (2,947) | 3層メッキ (317)

Fターム[4K024AB03]に分類される特許

121 - 140 / 317


本発明は特に貴金属含有外層連続物を有する装飾物品に関する。本発明はさらに、この目的のために適した被覆方法に関する。該層連続物は、パラジウム含有下層に、電解により堆積されたルテニウムと、白金およびロジウムからなる群の元素との合金が続くことを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】回路パターンが形成される金属薄膜と樹脂材料との間の接合を向上させた印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の印刷回路基板は、回路パターンが形成される第1の金属膜10と、前記第1の金属膜の少なくとも一方の表面(図1では上面)に形成されるポリマー膜40と、前記第1の金属膜と前記ポリマー膜との間に配置される第2の金属膜20とを含む。第2の金属膜20は、前記第1の金属膜に面する第1の面21(図1では下面)と、前記ポリマー膜に面する第2の面23(図1では上面)とを有する。第2の面23は、前記第1の面よりも表面粗さが大きい。 (もっと読む)


本明細書に記載される実施形態は、一般に、電気化学電池またはキャパシタ用の電極構造に関し、特に、寿命がより長く、製造コストがより低く、プロセス性能が改良された、信頼性が高く費用対効果が高い電気化学電池またはキャパシタ用の3D電極ナノ構造を製造するための装置および方法に関する。
(もっと読む)


【課題】
低挿入力と高耐熱性を両立するコネクタに必要な金属条の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属条の製造方法であって、母材金属上にNi層、Sn-Cu合金層を順次積層させる第一工程と、前記積層された母材金属をSn-Cu共晶の融点以上に熱処理して、前記母材金属上の前記Ni層上に、Cu-Ni-Sn化合物とCu-Sn化合物とが混合した化合物層、Sn層又Sn系合金層が順次積層された構造を形成する第二工程と、を有し、前記第一工程では、前記Sn-Cu合金層としてCu含有率が5mass%以上のSn-Cu合金層を用いて製造することで、低挿入力と高耐熱性を両立する金属条を容易に製造することが可能である。 (もっと読む)


【課題】160℃の大気中で長時間保持した後の接触抵抗の上昇が少ない耐熱性に優れた導電材及び該導電材を効率よく製造する方法の提供。
【解決手段】素材上に少なくともSn層を形成するSn層形成工程と、前記Sn層をウエットブラスト処理するウエットブラスト処理工程とを含む導電材の製造方法である。該Sn層がめっきにより形成される態様、素材側から順にNi層、Cu層、及びSn層をめっきにより形成する態様、Sn層形成工程とウエットブラスト処理工程の間において、該Sn層形成工程により形成された層にリフロー処理を行うリフロー処理工程を含む態様、などが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Sn単体、またはSnとAg、Bi、Cuの群から選ばれる少なくとも1種とからなる合金から成る第1めっき層と、Inから成る第2めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第1めっき層のSnまたはSn合金の厚さtが2〜5μm、第2めっき層Inの厚さtが0.05〜1μmで、前記第1めっき層の厚さtと前記第2めっき層の厚さtの比が、0.025≦t/t≦0.2であることを特徴とする、リードフレーム材。 (もっと読む)


【課題】優れた外観、耐食性、耐磨耗性を有するめっき皮膜構造および工業的に使用可能な処理工程を提供すること。
【解決手段】以下の工程を包含する方法により、成形品の表面にめっきを処理するめっき成形品の製造方法:(a)成形品表面に、光沢硫酸銅めっきによって銅めっき皮膜を形成する工程、(b)該銅めっき皮膜の表面に3価クロムめっきを行い第1のクロムめっき皮膜を形成する工程、(c)該第1のクロムめっき皮膜の表面に、6価クロムめっきを行い、第2のクロムめっき皮膜を形成する工程。 (もっと読む)


【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度8000ルクス〜20,000ルクス、または例えば10,000ルクス〜15,000ルクスの光を、典型的には、0.25秒〜15秒間、より典型的には2秒〜15秒間、最も典型的には5秒〜10秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の20%〜50%、または例えば30%〜40%低減させる。 (もっと読む)


【課題】 特に、接触子を支持基板に適切に半田接合でき、さらに、接触信頼性を向上でき、長寿命化を図ることが出来る接触子及びその製造方法、ならびに、接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 接触子20は、固定部21と、固定部21から延出形成された弾性腕22とを有する導電性の芯部30の表面側に表面層38が形成された積層構造である。固定部21に形成された前記表面層38は、前記芯部30側から白金族層36及び、Au層37の順に積層されており、前記弾性腕22に形成された前記表面層38は、白金族元素とAuとを有する合金で形成されている。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材等への密着性を確保できる銅箔及び銅箔製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る銅箔1は、一方の表面に第1の凹部15を有する銅箔材10と、第1の凹部15の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部25を、第1の凹部15に対応する位置に有して一方の表面上に設けられる銅めっき層20とを備える。 (もっと読む)


【課題】多極化の小型端子に適し、微摺動磨耗による電気接触抵抗の上昇を抑えることができ、高い電気接続信頼性を有する端子・コネクタ用導電材料及び嵌合型接続端子を提供する。
【解決手段】導電性を有する基材2と、基材2の上に形成されたSn又はSn合金からなるSnメッキ層5とを備えた端子・コネクタ用導電材料であって、Snメッキ層5の積層方向厚さが、0.1〜15.0μmの範囲内とされており、Snメッキ層5の表面には、Ag−Sn微粒子が凝集したAg−Sn合金層6が形成されており、Ag−Sn合金層6の平均厚さが0.002〜1.0μmの範囲内に設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】前処理工程としてエッチング処理を行うことなく、ざらつきを有した樹脂基材の表面であっても、平滑なめっき処理表面を得ることができる樹脂基材のめっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する樹脂基材の処理表面にオゾン水処理を行う工程S12と、該処理表面に、金属触媒を吸着させる触媒吸着処理を行う工程S14と、該触媒吸着処理後の処理表面に、無電解めっき処理を行う工程S15と、該無電解めっき処理後の処理表面に、中心線平均粗さRaが0.1〜0.5μmの範囲となるように、半光沢金属めっき処理を行う第一の電気めっき処理工程S16と、該第一の電気めっき処理工程後の処理表面に、中心線平均粗さRaが0.03μm以下の範囲となるように、光沢金属めっき処理を行う第二の電気めっき処理工程S17と、を少なくとも含む。 (もっと読む)


シリカ粒子を内部に分散させた金属層を電気めっきするために、
a)第1の電位を有する第1のニッケル層を析出させる工程と、
b)前記第1のニッケル層上に前記第1の電位より負である第2の電位を有する第2のニッケル層を析出させる工程と、
c)基材上に金属を電着させるための溶液を用いて前記第2のニッケル層上に第3のニッケル層を析出させる工程と
を含む、基材上に金属を電着する方法、より詳しくは、基材上に耐腐食性ニッケル多層を形成する方法であって、
前記溶液が、析出させるべき金属のイオンおよびシリカ粒子を含有し、少なくとも1個のケイ素含有有機成分が前記シリカ粒子に提供され、前記ケイ素含有有機成分が、前記溶液に接触しつつ正電荷を前記シリカ粒子に付与する、アミノ、第四化アンモニウム、第四化ホスホニウムおよび第四化アルソニウムを含む群から選択される少なくとも1個の官能基を含む方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部12を形成した基板Wの表面の該凹部12表面を含む全表面に導電膜14を形成し、基板W表面の所定位置にレジストパターン30を形成し、導電膜14を給電層とした第1めっき条件で第1電解めっきを行って貫通電極用凹部12内に第1めっき膜36を埋込み、貫通電極用凹12部内への第1めっき膜36の埋込みが終了した後に、導電膜14及び第1めっき膜36を給電層とした第2めっき条件で第2電解めっきを行って、レジストパターン30のレジスト開口部32に露出した導電膜14及び第1めっき膜36上に第2めっき膜38を成長させる。 (もっと読む)


【課題】Crを用いず、錫めっき表面の酸化に起因する外観の劣化や塗料密着性の低下を抑制でき、しかも安価に化成処理が可能な錫めっき鋼板の製造方法および錫めっき鋼板ならびに化成処理液を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、Snの付着量が片面あたり0.05〜20g/m2となるようにSnを含むめっき層を形成した後、第1りん酸アルミニウムを18g/L超200g/L以下含み、pHが1.5〜2.4である化成処理液中で浸漬処理を施し、あるいは該化成処理液中で電流密度10A/dm2以下で陰極電解処理を施し、次いで乾燥を行って化成処理皮膜を形成することを特徴とする錫めっき鋼板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板101上にシード層102を形成する段階と、上記シード層102上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層103を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層102上にメッキ層104を形成する段階と、上記パターン層103に熱を加えて上記パターン層103を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 (もっと読む)


【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第1の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第2の成膜工程と、を含み、第1の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから10秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル(mm)で表した基板直径Dにrpmで表した回転数Nを使ってD×N×πで定義した周速が6000×πmm/分以下となるような第1の回転数Nで回転され、被処理基板にメッキ電流が10mA/cm2以下の第1の電流密度で供給され、第2の成膜工程では被処理基板は、第1の回転数よりも大きな第2の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第1の電流密度よりも大きな第2の電流密度で供給される。 (もっと読む)


【課題】加熱処理後の表面性状が良好で、ウィスカが発生しにくい接続部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金の角線材1を母材とし、その最表面2に、以下の(A)(B)の2つの群のうち少なくとも1つの群から選ばれる元素を総量で0.01質量%以上2質量%以下含有するスズ合金層が形成されている接続部品用金属材料。(A)Ga,In,Pb,Bi,Cd,Mg,Zn,Ag,Auの群から選ばれる少なくとも1種を、1種あたり0.01質量%以上1質量%以下含有する。(B)AlまたはCuから選ばれる少なくとも1種を、1種あたり0.01〜0.5質量%含有する。 (もっと読む)


【課題】加熱処理後の表面性状が良好で、かつ後工程におけるはんだ付け性が良好な接続部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金の角線材を母材とし、その最表面に実質的に銅およびスズで構成される銅スズ合金層が形成されている接続部品用金属材料において、前記最表面の銅スズ合金層は、さらに亜鉛、インジウム、アンチモン、ガリウム、鉛、ビスマス、カドミウム、マグネシウム、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも1種を、総量で前記スズの含有量に対する質量比で0.01%以上1%以下含有することを特徴とする接続部品用金属材料。耐熱性を向上させるために、母材からの金属拡散を防止するバリア性を持つニッケル等の下地めっきを母材表面に施してもよい。 (もっと読む)


【課題】被覆ゴムとの接着性に優れるとともに伸線性にも優れたスチールワイヤ材を提供することを目的とする。
【解決手段】スチールワイヤ材10のワイヤ本体11の周面に形成されたブラスめっき層12を、多層めっき構造とするとともに、ワイヤ本体11側の合金層21〜28(第1層〜第8層)を、加工性(伸線性)が良好である高Cu層(Cu組成比;65〜75wt%)とし、表面側の合金層31〜34(第9層〜第12層)を、接着耐久性が良好である低Cu層(Cu組成比;50〜60wt%)とした。 (もっと読む)


121 - 140 / 317