【課題】瘤欠陥のない円筒状精密部材を製造する上で有利な円筒状精密部材の製造方法このようなロール面の形状を写し取った転写物を製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒状部材の表面にめっき等の表面処理により形成された突起状の瘤欠陥について、前記瘤欠陥の箇所を欠陥検出手段により検出し前記円筒状部材のロール面に対して接線方向から加工用レーザービーム照射手段により加工用レーザービームを照射し前記瘤欠陥を除去することを特徴とする円筒状精密部材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】現像ゴーストの発生を長期にわたって抑制することができる現像剤保持体、現像装置、画像形成装置及び前記現像剤保持体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粗面化された中空円筒状の基体と、前記基体上に設けられた表面層であって、金属を含んで構成される表面層とを有し、前記金属は白金族元素と前記白金族元素よりも電気陰性度の小さな元素との合金を含んで構成したことを特徴とする現像剤保持体、該現像剤保持体を有する現像装置及び画像形成装置、並びに前記現像剤保持体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子を提供する。
【解決手段】光触媒化合物、金属触媒化合物及び光増感剤を含む溶液を基板にコーティングして光金属触媒層を形成した後、これを選択的に露光して結晶成長用核の潜在的パターンを得、該潜在的パターンを１種以上の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させて１層以上の金属パターンを得る、金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子。 （もっと読む）

【課題】めっき終端および電解めっきを使用する形成方法を提供する。
【解決手段】多層電子コンポーネントは、複数の内部電極と交互に配置された複数の誘電層を含む。内部アンカタブおよび／または外部アンカタブも、誘電層と選択的に交互に配置することができる。内部電極およびアンカタブの諸部分は、それぞれのグループで電子コンポーネントの周辺部に沿って露出される。各露出された部分は、所与のグループ内の他の露出された部分から所定の距離以内にあり、露出された内部導電要素のうちの選択された要素の間での薄膜めっきされた材料の堆積および制御されたブリッジングによって、終端構造を形成できるようになっている。電解めっきを、任意選択のクリーニングステップおよび焼鈍ステップと共に使用して、銅、ニッケル、または他の導電材料の直接めっきされた部分を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さの値が低くかつ微細クラックの少ない表面特性を有する、めっき性に優れた銅または銅合金材およびその製造方法、並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】表面粗さが算術平均粗さ(Ｒａ)で０．１μｍ以下、かつ最大高さ(Ｒｍａｘ)で１μｍ以下であり、さらに材料表面の微細クラックが当該表面の任意の１００μｍ角あたり１０個以下である銅または銅合金材を、仕上げ前圧延として、ショットブラスト処理した、Ｒａで０．１〜１μｍの表面粗さを有するロールを用いて圧延を行い、仕上げ圧延として、Ｒａで０．１μｍ未満の表面粗さを有するブライトロールを用いて、トータル圧延量を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で圧延を行い、製造する。 （もっと読む）

【課題】 電気的接触信頼性や耐摩耗性、外観状態、半田付け性、半田付け時の這い上がり防止性、耐食性、接触加圧時のウィスカの発生性、加熱時の外観変化（耐熱性）、価格などの多くの項目に対して満足のいく表面を備えた接触部及び半田付け部を備えた部品とそれを用いたコネクタとを提供すること。
【解決手段】
接点部及び半田接続部の内の少なくとも一方を備えたコネクタ用部品において、前記部品に用いられる母材上に、下地めっき層としてニッケルめっき層を施し、上地めっき層として下地めっき層上に錫とニッケルの合金めっき層を施し、前記合金めっき層は平均組成として、錫が４５原子％〜６０原子％未満で、残部が実質的にニッケルで５５原子％〜４０原子％未満の元素比率からなる。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１３の合計面積と、レジストパターン１７の合計面積と、レジストパターン１８の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンＡ〜Ｃのめっき処理を行う際のめっき領域Ｒ１３，Ｒ１７，Ｒ１８の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンＡ〜Ｃを極めて効率的に形成することができる。 （もっと読む）

アノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池、並びにアノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池を調製する方法を提供する。本発明は、少なくともケーシングの内面上、好ましくは、アノードケーシングの表面全体上に光沢スズ又は光沢スズ合金表面層を有するアノードケーシング、及びアノードケーシングを収容する電気化学電池に関する。アノードケーシング及びアノードケーシングを収容する電気化学電池を調製する方法を開示する。好ましい実施形態では、アノードケーシングは、アノードケーシングの表面全体がメッキされるように装置のクランプアセンブリの一部分が可変的又は交互にアノードケーシングの異なる部分に接触する可変接触ラックメッキ工程を用いて高電流密度でメッキされる。光沢スズメッキ表面は、ケーシングを用いる電池におけるガス発生を低減する高水素−過電圧金属である。 （もっと読む）

【課題】耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローＳｎめっき材、およびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】被覆層が素材側からＮｉまたはＮｉ合金下地めっき層、Ｃｕ−Ｓｎ合金中間めっき層，表層のＳｎめっき層からなり、１５５℃で１６時間加熱した際にＣｕ−Ｓｎ合金中間めっき層厚さが加熱前のＣｕ−Ｓｎ合金中間めっき層厚さの１〜１．３倍とすることにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の成長を抑制し、耐ウィスカー性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｚｎ系合金条及びそのＳｎめっき条を提供する。
【解決手段】１５〜４０質量％のＺｎを含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｚｎ系合金条において、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びＢｉ濃度の合計を１００質量ｐｐｍ以下、Ｃａ及びＭｇ濃度の合計を１００質量ｐｐｍ以下、Ｏ及びＳ濃度をそれぞれ３０質量ｐｐｍ以下に規制する。 （もっと読む）

【課題】高温下の環境に置かれてもキャリア箔と極薄銅箔とを容易に剥がすことができるキャリア付き極薄銅箔を提供する。並びに、前記キャリア付き極薄銅箔を使用したファインパターン用途の銅張積層板、プリント配線板を提供する。
【解決手段】キャリア箔、剥離層、極薄銅箔からなり、前記剥離層と極薄銅箔間に、Ｐの酸化物又は／及び水酸化物、又は／及びＰを含有する合金が介在するキャリア付き極薄銅箔である。
前記Ｐの付着量は、０．００１ｍｇ／ｄｍ^２〜１ｍｇ／ｄｍ^２である。
また、係るキャリア付き極薄銅箔を用いて銅張積層板、プリント配線基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度を０．０５質量％以下に調整する。母材は、更にＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられた、長寿命の可動接点が得られる、銀被覆ステンレス材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄又はニッケルを主成分とする合金を基材と、
前記基材の上に形成された主としてニッケル、コバルトから選ばれる１つ以上の金属と銅からなる第二中間合金層と、
前記第二中間合金層の上に形成された主として銀と銅からなる第一中間合金層と、
前記第一中間合金層の表面の少なくとも一部に形成された銀又は銀合金からなる被覆層とを備えた可動接点用銀被覆複合材料。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。母材は、更にＺｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。
【解決手段】平均濃度で１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材として、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、該Ｓｎ相の表層のＺｎ濃度を０．１〜５．０質量％に調整する。母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 （もっと読む）

【課題】接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられた、長寿命の可動接点が得られる、銀被覆ステンレス条およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはニッケルを主成分とする合金からなる基材と
前記基材の表面の少なくとも一部に形成されたニッケル、コバルト、ニッケル合金およびコバルト合金の何れか１つからなる下地層と、
前記下地層の上に形成された銅または銅合金からなる中間層と、
前記中間層の上に形成された銀または銀合金からなる最表層とを備え、
被覆層としての前記下地層、前記中間層および前記最表層に含まれる銅の総量が被覆面積１ｍ^２あたり０．０２５ｍｏｌ以下であることを特徴とする可動接点用銀被覆複合材料。 （もっと読む）

【課題】導電性接着材で接合するパッド、半田で接合するパッドの何れでも接合強度を高くできる電子部品収納用セラミックパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性金属と接着樹脂の混合体からなる導電性接着材２０を介して電子部品１９を接合するための接続端子パッド１４と、半田２４を介して外部に接合するための外部接続端子パッド１５を有し、これらの表面に電解めっき法で形成されるＮｉめっき被膜１７及びＡｕめっき被膜１８を有する電子部品収納用セラミックパッケージ１０において、Ａｕめっき被膜１８をＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定するＡｕめっき被膜１８の表面に付着するＡｕめっき浴液を構成する成分の残さの内のＡｕを１とした時のＣＮの定量値が２以下、ＡｕＣ_２Ｎ_２の定量値が０．５以下、アミン類の定量値が０．２以下である。 （もっと読む）

本発明は１または複数の薄膜をシートの上部表面、特に好ましくは連続的に動作するロールからロールへ移動するシートへ電気めっきする方法を提供する。本発明の１特徴では、元素または複数の層中の層の厚さのモル比は多元素層の同調が予め定められたモル比の範囲または同調された厚さを有する多元素を得るために行われることができるように検出される。さらに別の特徴では、本発明はロールからロールへ移動するシートが動くとき電気めっき装置を使用して薄膜を導電表面へ連続的に電気めっきし、ロールからロールへ移動するシートの一部へ電気めっきされた薄膜の厚さを検出し、それに対応して厚さの信号を発生する。これに関して、連続的に電気めっきするとき、薄膜の厚さはロールからロールへ移動するシート部分に続くロールからロールへ移動するシートのそれに続く部分についての厚さ信号を使用して予め定められた厚さ値へ調節される。 （もっと読む）

【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 （もっと読む）