【課題】本発明は、将来の設計および隙間を埋める必要性に対応するために拡張可能である、柔軟な構造で設計された電気化学堆積システムを供給し、および他の処理システムの要求に見合うための、十分な処理量を供給する。
【解決手段】電気化学堆積システムは、通常、メインフレーム・ウェーハ移送ロボットを有するメインフレームと、前記メインフレームに接するように配置されたローディング・ステーションと、前記メインフレームと接するように配置された一つ以上の処理セルと、および前記一つ以上の電気処理セルに流体で接続された電解液供給とを具備する。 （もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑止しつつ均一なめっき膜を形成するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明による電気めっき装置は、ホルダ２０、めっき槽１０、電源７０、スイッチ回路２３とを具備する。ホルダ２０は、被めっき体４０を有する半導体ウエハ３０を保持する。めっき槽１０アノード電極５０を含むめっき液１００を保持する。電源７０は、被めっき体４０とアノード電極との間に定電圧を供給する。スイッチ回路２３は、電源７０に対して、被めっき体４０と並列に接続される。ホルダ２０は、スイッチ回路２３を介して電源７０に接続されるダミーカソード電極２２とを備える。ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。スイッチ回路２３は、ダミーカソード電極２２がめっき液１００に接した後に、電源７０とダミーカソード電極２２との接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】複数の部材を積層して積層構造体を製造する場合に、部材間の接合強度を向上させる積層構造体の製造方法、及び、インク流路内の部材間の接合強度と耐インク性を向上させるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の部材４１０，４２０，４３０，４４０，４５０，４６０，４７０が一部に架橋性樹脂４１５，４６５を介して積層されている積層構造体４００を用意し、架橋性樹脂が露出している部分に高圧流体３１５を供給することにより、該架橋性樹脂の架橋度を増大させた後、積層構造体から高圧流体を除去する。インクジェット記録ヘッドの場合、高圧流体を除去した後、さらに、第２の高圧流体とめっき液とを混合して攪拌した混合流体３１７により、インク流路４９０の内壁４２２にめっき膜４２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高密度化されたプリント基板等のシート状製品に対しても、その搬送時に適切な案内が可能であって、かつ、不均一なメッキの発生を抑制できる製品ガイド装置を備えたメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】メッキが施される被処理物Ｗを垂直状態に保持しながらメッキ処理用タンク内を搬送するメッキ処理装置において、被処理物Ｗの搬送時に、被処理物Ｗを所定方向に案内する製品ガイド機構を設け、この製品ガイド機構は、メッキ処理用タンク内のメッキ液２０の液面上のフロート１２に接続され、液面の変化に追随して揺動する。製品ガイド機構をランダムに揺動させることで、被処理物Ｗの特定部位への電流を遮断しないようにして不均一なメッキ層が形成されるのを解消する。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第１の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第２の成膜工程と、を含み、第１の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから１０秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル（ｍｍ）で表した基板直径Ｄにｒｐｍで表した回転数Ｎを使ってＤ×Ｎ×πで定義した周速が６０００×πｍｍ／分以下となるような第１の回転数Ｎで回転され、被処理基板にメッキ電流が１０ｍＡ／ｃｍ²以下の第１の電流密度で供給され、第２の成膜工程では被処理基板は、第１の回転数よりも大きな第２の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度で供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィルムの搬送速度を上げても、フィルムの汚れを低減させることができるフィルム支持装置及びめっき被膜付きフィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６０Ａと洗浄槽７０Ａとの間に感光ウエブ１８を空中搬送させる支持装置２００Ａが配置されている。支持装置２００Ａには、感光ウエブ１８の導電面１８Ａに接触する導電面支持ローラ２０２、２０４と、これらの間に感光ウエブ１８の裏面１８Ｂに接触する裏面支持ローラ２０６とが設けられている。導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６には、それぞれ洗浄装置２１０、２１２、２１４が配設されており、導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６の下部が洗浄液２１７に浸漬される洗浄液受け槽２１８、２２０、２２２と、洗浄液２１７の水面を一定に保つオーバーフロー堰２２６、２２８、２３０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生を抑制することができるめっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一端に開口１０を有するめっき槽２と、めっき槽２の開口１０側に設けられ、被処理物Ｗを保持する保持手段４と、保持手段４と対向してめっき槽２内に設けられたアノード電極３と、めっき槽２内を、めっき液が貯められるとともに保持手段４により被処理物Ｗが保持される第１の領域１２ａと、第１の領域１２ａの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第２の領域１２ｂと、に分離する分離体１２と、第２の領域１２ｂに貯められた液体と、前記分離体１２と、を介して第１の領域１２ａ内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段９と、を備えたことを特徴とするめっき装置，該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーめっき皮膜を短時間に評価する評価方法を提供する。
【解決手段】鉛フリーめっきが施された媒体３１における鉛フリーめっき皮膜の評価方法であって、前記鉛フリーめっき皮膜３２の一部の領域を鉛フリーめっき皮膜が融解するまで加熱した後に凝固させ、前記加熱させた後凝固させた領域３２ａの体積変化率を測定することを特徴とする鉛フリーめっき皮膜の評価方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】被処理面へのシール位置の位置決め精度を向上できること。
【解決手段】シリンダブロック１の被処理面であるシリンダ内周面３に処理液を導く際に、シリンダ内周面に接触してこのシリンダ内周面をシールするシール治具１３において、伸縮自在な材料にて構成され、浮き輪形状のシール部材３３と、このシール部材の下側面３３Ｃを支持するシール下板３４と、このシール下板に対向して配置され、シール部材の上側面３３Ｂを支持するシールベース３５とを有し、シール部材３３は、エアが内部に導入されたときに、シール下板３４とシールベース３５により規制されて半径方向のみに拡張され、シリンダ内周面３に接触可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】活性化された酸素を含む照射処理をした後でも、レジストパターンが開口しているシード層、あるいは、金属構造体の表面に対し、メッキの堆積が均一で、且つ、制御性よく行えるようにする。
【解決手段】Ｏ₂プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。この有機物の残渣の処理において、シード層１０３の上にシード層１０３を構成している金の酸化物などからなる表面層１０３ａが形成される。この表面層１０３ａを、塩酸溶液などの酸の溶液（ｐＨ３以下）による浸漬処理（表面処理）を１分間行うことで除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理面でのシールの不完全に起因する処理液の漏洩を確実に防止できること。
【解決手段】シリンダブロックの被処理面であるシリンダ内周面に処理液を導き、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するめっき処理方法において、シール部材がシリンダ内周面に接触して当該シリンダ内周面をシールするシール工程（Ｓ３〜Ｓ６）と、シリンダ内周面へ送液ポンプの駆動により処理液を導く送液工程（Ｓ７、Ｓ８）と、シリンダ内周面を含む空間に処理液が満たされた状態で、電極及びシリンダブロックへ所定の電荷を印加して、めっき前処理またはめっき処理を実施する処理工程（Ｓ９〜Ｓ１１）とを順次実施し、シール部材がシリンダ内周面に接触して実施されるシール工程によるシールを確認した後に、送液ポンプを駆動して送液工程を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】微細孔内への金属充填の均一性を向上させることにより、微細孔内へ金属を充填した後に突出した部分を研磨等により除去して平滑にする表面処理工程を不要とでき、または、この表面処理工程をより短時間で行うことができ、その結果、作業効率に優れる、増強電場を発生させる微細金属体を有する微細構造体の作製方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に微細孔を形成する微細孔形成工程（Ａ）と、微細孔形成工程（Ａ）において微細孔が形成された基材をメッキ液に浸漬させるメッキ液浸漬工程（Ｂ）と、メッキ液浸漬工程（Ｂ）の後に、加振手段により基体およびメッキ液を振動させて、メッキ液を微細孔内に浸入させる加振工程（Ｃ）と、加振工程（Ｃ）と並行してまたは加振工程（Ｃ）の後に、電解メッキにより微細孔内に金属を充填して、増強電場を発生させる微細金属体を形成する金属充填工程（Ｄ）とを有することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内でのめっき液の対流攪拌を阻害することなく、スラッジを除去する。
【解決手段】めっき液が貯留されるめっき槽１と、該めっき槽１の上部開口位置で被処理基板Ｓをめっき液に接触させつつカソード電極６に接続状態に支持する基板支持部３と、めっき槽１内に配置されたアノード電極９と、めっき槽１内にめっき液を供給する液供給手段４と、めっき槽１の上部からめっき液を外部に排出する液排出手段５とを具備するめっき装置であって、液供給手段４はめっき槽１の底部からめっき液を上方に向かって噴出する噴出口１１ａを有しており、該噴出口１１ａよりも半径方向外方位置に、めっき槽１中のスラッジＧを排出するスラッジ排出口２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】めっき物を優れた生産性と十分な耐食性とをもって低コストに製造可能なめっき物の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２２の内部に、隔膜２４にて陽極室２６とめっき室２８とを画成して、陽極室２６内に、クエン酸三ナトリウム溶液からなる陽極液３６と不溶性陽極３０とを収容する一方、めっき室２８内に、クエン酸三ナトリウムが添加されたスルファミン酸ニッケル溶液からなるめっき浴３８と被めっき物たる金属素材からなる陰極３２とを収容する。そして、それら不溶性陽極３０と陰極３２との間に電流を流して、電気めっきを行うことにより、該陰極３２の表面に、ニッケルめっき層を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電解めっき中の電位データを測定でき、従来の煩雑な操作を必要としない計測装置を提供する。
【解決手段】ＰＲパルス電解めっきにおいて、正電解時及び逆電解時におけるめっき対象物と参照電極３０との電位差の経時変化をそれぞれ測定する測定装置とする。前記めっき対象物と参照電極との電位差の波形データが入力された制御部には、入力済み波形データの波形記憶手段、前記記憶手段中の保管波形データから採取した所定時間内の波形データの波形切出手段、前記切り出された波形データにおける所定の基準点から所定時間内の正電解電位と逆電解電位とを読み取る電位読取手段、前記読み取られた正電解電位と逆電解電位とを記憶する読取電位記憶手段を具備し、めっき経過時間に対して正電解電位の時間―電位曲線及び逆電解電位の時間―電位曲線のモニタ手段を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりする方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２６と、被めっき体Wを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダ２４と、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され、該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドルを駆動するパドル駆動部を制御する制御部を有し、制御部は、パドルの移動速度の絶対値の平均が７０〜１００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにパドル駆動部を制御する。 （もっと読む）