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Fターム[4K024GA01]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | 性質、目的 (2,187) | メッキ密着性 (210)

Fターム[4K024GA01]に分類される特許

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【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のpH緩衝剤とを含有し、pHが2.2〜5.5に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度xが1.71mol/L以上であって、ニッケルイオンのモル濃度xとハロゲンイオンのモル濃度yとのモル濃度比x/yが3.0<x/y≦10.0である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極6a、6b上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜7a、7bが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜7a、7b上にスズ皮膜8a、8bを形成する。
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【課題】フレキシブル回路基板などに適した。耐屈曲性および密着性に優れるフィルム金属積層体を提供する。
【解決手段】可とう性を有する高分子フィルム上に下地金属層を形成し、その上に上部金属導電層を形成したフィルム金属積層体において、前記下地金属層がリンを10質量%以上含有するニッケル合金からなるフィルム金属積層体。前記Ni−P合金は前記フィルムとの密着性に優れ、かつ密着性向上のための熱処理時に硬度が増加しないため、良好な密着性と耐屈曲性を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、めっき液に界面活性剤を加えることなく、被めっき基板に形成された微細な溝や穴にめっき液を浸入させることができ、めっき欠け、めっき抜けの発生がない高品質のめっきを行うことができるめっき方法及び装置を提供する。
【解決手段】被めっき物に電解又は無電解めっきを行なうめっき方法であって、めっき液中の溶存気体を脱気した後、又はめっき液中の溶存気体を脱気しながらめっきを行なう、及び/又は、前処理液中の溶存気体を脱気した後、又は前処理液中の溶存気体を脱気しながら前処理を行い、その後めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】 微小で複雑な形状の基体に対しても薄膜が作製できる方法を提供する。
【解決手段】 アクチノイド及び希土類からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む電解浴中において、Fe、Co及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種を有する基体を陰極に使用して溶融塩電解を行う方法、または、AB、AB2、AB3、AB5、A2B7、A2B17、A3B、A4B13及びA5B23(式中、Aは、同一または相異なって、アクチノイドまたは希土類を示し、Bは、同一または相異なって、Fe、CoまたはNiを示す。)からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む電解浴中で溶融塩電解を行う方法。 (もっと読む)


【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板1上に単分子膜2が形成され、前記単分子膜2上に中間膜3が形成される。前記中間膜3に含まれるピロリル基及び単分子膜2に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜3は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜5を構成する無電解メッキ膜6が前記中間膜3上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 (もっと読む)


【課題】ポリ乳酸樹脂成形品を被めっき物として、密着性に優れためっき皮膜を形成する手段を提供する。
【解決手段】以下の(a)〜(c)の工程:(a)酸に溶解性の有機添加剤を含むポリ乳酸樹脂成形品を、強酸水溶液からなるエッチング液に接触させたる工程、(b)aの工程に付したポリ乳酸樹脂成形品を、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤から選択される一種以上の界面活性剤を含む水溶液に接触させる工程、および(c)bの工程に付したポリ乳酸樹脂成形品を、パラジウム−錫コロイド水溶液に接触させる工程を含む、ポリ乳酸樹脂成形品に対する無電解めっきのための前処理方法。 (もっと読む)


【課題】ダイレクト鍍金法において電気鍍金により銅膜等の金属膜形成の際における鍍金析出性及び外観性等の鍍金特性に優れるダイレクト鍍金用樹脂組成物、この組成物を含む成形品、及び、ダイレクト鍍金法により形成された、金属膜又は合金膜を備える鍍金成形品を提供する。
【解決手段】本発明のダイレクト鍍金用樹脂組成物は、ゴム強化ビニル系樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物であって、該ゴム強化ビニル系樹脂は、ジエン系ゴム質重合体〔a1〕及びエチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔a2〕を含有し、上記ジエン系ゴム質重合体〔a1〕及び上記エチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔a2〕の合計量が、上記熱可塑性樹脂組成物全体に対して3〜30質量%であり、該合計量に対する上記エチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔a2〕の含有量の比が0.01〜0.4である。 (もっと読む)


【課題】表面の粗さが適度に設定された樹脂層を得ることができる樹脂層の形成方法、その樹脂層の形成方法を用いためっき方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂より成る基材2と、基材中に分散された混合物4とを含む樹脂層32を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト12により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】ポリ乳酸樹脂成形品を被めっき物として、比較的安全な処理液を用いて、めっき外観、物性などに優れためっき皮膜を形成することが可能な新規なめっき方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属水酸化物を含有するエッチング水溶液にポリ乳酸樹脂成形品を接触させた後、更に、界面活性剤を含む水溶液からなるコンディショニング液に該ポリ乳酸樹脂成形品を接触させることを特徴とするポリ乳酸樹脂成形品に対する無電解めっき用触媒付与のための前処理方法、
該前処理方法で前処理を行った後、無電解めっき用触媒を付与し、次いで、無電解めっきを行うことを特徴とする、ポリ乳酸樹脂成形品に対する無電解めっき方法。 (もっと読む)


【課題】 金属層との密着強度が高く、かつ、絶縁性が高い電子部品用機材及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで水素共与体の存在下において紫外線を照射してメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によってメッキ下地金属層を形成し、さらに表面メッキ層を形成した後、又は形成する前に前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にすることにより電子部品用基材を製造する。 (もっと読む)


【課題】 リードフレームに対する密着性を向上させた鉛フリーのSn−Biめっき皮膜を得る方法を提供する。
【解決手段】 電流値を可変できるアノードとカソードを有するめっき槽を備えためっき装置を使用して、初期には低い電流密度でめっき皮膜を形成し、段階的に電流密度を高めてめっき皮膜を形成する。たとえば電流密度を3段階に変化させ、はじめに5〜8A/dm の電流密度でめっき皮膜を形成し、続けて10〜15A/dm の電流密度でめっき皮膜を形成し、さらに続けて15A/dm を越え20A/dm 以下の電流密度でめっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および/またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、(a3)金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、(a4)電気めっきにより、表面抵抗率が1×10−1Ω/□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 (もっと読む)


【課題】高いメッキ密着力と高誘電率を両立させ得るメッキ用高誘電性液晶性ポリマー組成物を提供する。
【解決手段】充填剤を40〜70重量%(組成物中)含有する液晶性ポリマー組成物であって、該充填剤がリン酸塩からなる無機充填剤20〜50重量%(組成物中)と、平均長径が0.01〜30μmで1MHzにおける誘電率が50以上であるチタン酸金属塩20〜50重量%(組成物中)との混合物であることを特徴とするメッキ用高誘電性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】密着性の高いメッキ膜を煩雑な化学的前処理(下地処理)を施すことなく作製し得る方法を提供すること。
【解決手段】本発明によって提供される方法は、金属製基材(2)の表面にメッキ膜(4)を作製する方法であって、表面が粗い硬質の微粒子から成る硬質微粉(P)を前記基材の表面に投射して該基材表面(2A)に微視的な凹凸(2B)を形成すること、および、該凹凸の形成された基材表面にメッキ処理を施すことを包含する。本方法では、チタン、アルミニウム等の難メッキ性金属から成る基材表面に高密着性メッキ膜を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】 湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションを促進することなく、めっき作業時間の短縮を図り、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を安定して確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含み、(1)上記前処理工程は、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、(2)上記無電解めっき処理工程は、無電解ニッケルめっき処理工程であり、(3)上記厚付け銅めっき処理工程は、上記無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも1つのめっき処理工程である。 (もっと読む)


【課題】
プラスチック成形体表面に対し、シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、前記プラスチック成形体表面に金属被膜を形成している。
しかしながら、シランカップリング剤の塗布方法を用いると、前記プラスチック成形体基材表面に余分なシランカップリング剤が残り、残った前記シランカップリング剤が前記密着性の向上を邪魔し、適切に前記密着性を向上させることが出来ないという課題があった。

【解決手段】
プラスチック成形体基材と金属被膜間の密着性を向上させたプラスチック成形体ならびに前記プラスチック成形体を用いた物品を提供するために、プラスチック成形体基材の表面に単分子膜を形成する工程と、(b)前記単分子膜上に、金属被膜をメッキ形成する工程を用いて、プラスチック基材の表面が基材表面に共有結合した単分子膜を介して金属被膜で被われているプラスチック成形体を提供する。 (もっと読む)


【課題】 皮膜の耐久性と、有彩色性とを兼備した表面層を持つ金属ガラス部品及びその表面層の形成方法を提供する。
【解決手段】 金属ガラス部品(10)の表面に、硝酸とふっ酸の合せ水溶液(18)を反応させて酸化皮膜(12)除去を行うと共に、アンカー結合形状(14)を金属ガラス部品(10)の表面に準備する界面活性処理を行い、次いで、電気メッキまたは無電解メッキを行うことにより金属ガラス部品(10)の表面にメッキ皮膜(16)を形成する。
これにより、耐久性と有彩色とを兼備した金属ガラス表面層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】安価で金属メッキが可能な、石炭灰−ポリオレフィン系樹脂からなる金属メッキ用石炭灰混合樹脂、導電性部材及び導電性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属メッキ用樹脂組成物は、石炭灰とポリオレフィン系樹脂を混合して得られる樹脂組成物であって、その組成が、石炭灰とポリオレフィン系樹脂の合計量に対し、石炭灰で20〜70重量%とするものである。この組成物を用いた樹脂成型品は、例えばABS樹脂などに用いられる通常の金属メッキ処理工程を用いることによりメッキが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 ポリイミド樹脂上に金属めっき皮膜を析出させるにあたり、十分なポリイミド−金属皮膜間の密着性を確保できる技術を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド樹脂をアルカリ処理した後、触媒付与処理、無電解金属めっきおよび電解金属めっきを行うポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法であって、前記アルカリ処理と触媒付与処理の間に塩基性アミノ酸水溶液処理を行うことを特徴とするポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法。 (もっと読む)


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