【課題】ＩＴＯがアモルファスとなる成膜温度で、低抵抗で表面が平坦なＩＴＯ透明導電膜を、膜剥がれを起こさずに安定して形成するための形成方法、それによって形成されたＩＴＯ透明導電膜、およびそれを形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜の形成装置１００は、レーザー光Ｌの照射機構を備えており、真空チャンバー１内で、スパッタリング法によりＩＴＯの薄膜を形成する成膜工程と、薄膜にレーザー光Ｌを照射するレーザー光照射工程とを繰り返えすことによりＩＴＯ透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】設計通りに衝撃波を制御できるように内部形状および内部表面加工された小型精密な超音速ノズル、好適にはＰＶＤ用超音速ノズルを提供すると共に、当該超音速ノズルを製造可能な切削工具を提供する。
【解決手段】特殊な加工をした超硬複数刃であって、該複数刃が回転対称に配置されている切削工具を使用し、スロート部の内部直径が０．１ｍｍ〜３．０ｍｍであり、管内部の表面粗さＲａが０．２μｍ以下である、手のひらサイズの小型で、ノズル内部の空洞部が精密に加工された超音速ノズルを提供する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の自重たわみを安定させると共にこのたわみを利用して基板との密着を容易にする蒸着用メタルマスクを提供する。
【解決手段】金属フレーム１０と、金属フレーム１０に固定され、複数の開口１１を有する金属箔１２と、から構成され、金属フレーム１０の内縁の角部に基板受け部１３が設けられ、基板受け部１３のみによって基板２０が支持されることを特徴とする、蒸着用メタルマスク１。 （もっと読む）

【課題】多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法を提供する。
【解決手段】物品上に複数の層を形成する方法は、陰極と陽極との間でアークを形成することによりプラズマを発生させる段階と、有機化合物からなる第一の材料をプラズマ中に注入して物品上に第一の層を堆積させる段階と、有機金属物質からなる第二の材料をプラズマ中に注入して第一の層の上に第二の層を形成する段階と、ケイ素含有有機化合物からなる第三の材料をプラズマ中に注入して第二の層の上に第三の層を堆積させる段階とからなる。また、基材１１０と、基材上に配置された中間層１２０と、中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、第二の層上に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層とからなる製品にも関する。中間層を重合有機ケイ素物質又は重合炭化水素物質、第二の層を金属酸化物又は硫化亜鉛、第三の層を酸化した有機ケイ素物質とする。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲットおよび酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、該透明導電膜形成材料は、チタンが原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下、窒素とチタンが原子数比でＮ／Ｔｉ＝０．１〜０．６となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体であり、前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、低原子価酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを長期間に亘って均一に使用できると共に、成膜速度を向上させることができるマグネトロンスパッタ装置によって、ＬａＢ_６膜を下地である基体上に成膜した場合、ＬａＢ_６膜が剥離し易いことが判明した。
【解決手段】基体の表面を窒化した後、引き続き同一処理装置内にて、基体の窒化された前記表面にスパッタによりＬａＢ_６の膜を形成することによって、基体から剥離し難いＬａＢ_６膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基材上に薄膜を形成する方法において、真空チャンバー内にＳｉターゲットを設置する工程、該真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後の該真空チャンバー内に反応性ガスとしてＮ_２及びＣＯ_２を含有するスパッタガスを導入する工程、を有し、（ＣＯ２流量／全スパッタガス流量）で表される流量比を制御することにより薄膜の屈折率を制御する。 （もっと読む）

【課題】良好な可視光の透過率とある程度の電気抵抗を維持しながら、エッチング特性に優れた透明電極膜であり、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、ノジュールの形成や異常放電を少なくすることができるターゲットとなり、さらにターゲットの製造に際して、焼結性の高い粉体を供給するための粉砕工程において、粉砕メディア（ジルコニア）からの汚染（コンタミ）を無視できる組成のターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウム中に酸化ジルコニウム５重量％（超）〜１０重量％含有することを特徴とする透明電極膜。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類金属フッ化物およびアルカリ金属フッ化物層の上に、接着性が強く、拭き取る動作に安定性があり、水および汚れをはじく層を製造させる方法および組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、最外層としてアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物の層を有するか、またはアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物からなる光学的基材上に、高真空中でのポリフルオロカーボンを用いる熱蒸着により、疎水性層を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。
【解決手段】 基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜（光半透過膜、遮光膜）の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化（線幅の太り）を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分としSn／In原子数比で0.001〜0.614のスズを含む酸化物焼結体により構成され、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が54〜75であることを特徴とする。Ｌ^＊値が54〜75である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理を施すことによってガラス基板の一方の面全域に所定の薄膜を形成するに際し、ガラス基板の他方の面に余剰薄膜が形成されるのを可及的に防止する。
【解決手段】一方の面である表面１ａ全域に、紫外線遮断膜７が形成されたガラス基板１を製造するための方法である。成膜処理、例えばスパッタリングによって紫外線遮断膜７を形成する際、ガラス基板１の裏面１ｂを、該裏面１ｂ全域を覆う支持ガラス基板１７の支持面１８に対して剥離可能に直接接着させる。これにより、成膜処理中にはガラス基板１を安定的に支持することができて高精度の紫外線遮断膜７を形成することができる一方で、成膜処理後にはガラス基板１を支持ガラス基板１７から容易に取り外すことができる。しかも、成膜処理に伴って、ガラス基板１の裏面１ｂに余剰薄膜が形成されることもない。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数材料の同時蒸着により形成される混合薄膜の膜厚及び組成を同時に検出するための計測装置を備えた混合薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】被蒸着体にｎ個の材料からなる混合薄膜を形成する装置において、被蒸着体側から斜めに複数の波長λ１、λ２・・・λｎの光が入射し、入射光の一部に混合薄膜中で光吸収が起こり、混合薄膜の表面で全反射した後、再度被蒸着体側に出斜してくる光の減衰率は、元の光強度に対して、Ｒλ１＝ｆ１（ｄ１，ｄ２・・・ｄｎ）、Ｒλ２＝ｆ２（ｄ１，ｄ２・・・ｄｎ）、Ｒλｎ＝ｆｎ（ｄ１，ｄ２・・・ｄｎ）と表されるので、Ｒλ１、Ｒλ２・・・Ｒλｎを測定し、上記式を連立して解いて、ｄ１，ｄ２・・・ｄｎを求めることにより、被蒸着体上に堆積する混合薄膜の組成と膜厚の時間に対する推移を同時に計測しながら混合薄膜を形成する混合薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜する層に成膜材料以外の材料が混入することを抑制し、発光素子の性能低下を防ぐ、成膜方法の提供を課題の一つとする。
【解決手段】基板の一方の面上に形成された吸収層と、吸収層上に形成され、基板の一方の面の最表面に形成された、成膜材料を含む材料層とを有する第１の基板の一方の面と、基板の被成膜面の最表面に形成された下地層を有する第２の基板の被成膜面を対向させて配置し、第１の基板の他方の面側から加熱処理を施すことで、加熱された材料層に含まれる成膜材料で、下地層上に成膜材料層を形成する成膜方法であり、成膜材料層の主成分と下地層の主成分に同じ物質を用いる成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料とし、該膜形成材料中に含まれるチタンと亜鉛との原子数比がＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下である。 （もっと読む）