【課題】本発明は、真空中において特に２次元的に重量物を搬送させるのに適した重量物搬送アシスト機構及び重量物搬送アシスト方法を提供し、また、それらを適用した成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】重量物を一次元的又は２次元的に搬送させるメイン軸を有し、前記メイン軸の負荷を低減する重量物搬送アシストする際に、前記搬送は一端を前記真空チャンバの壁に回転可能に固定され、他端に回転可能に設けられた前記重量物を有するリンクを有するリンク部を介して行われ、前記重量物を駆動するメイン軸の負荷を低減するようにアシスト軸によって前記一端にトルクを付与することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 光学素子成形用型の型母材にＦＣＶＡ法によってｔａＣ膜を成膜する工程において、開角の大きな凸形状の型の周辺の傾斜部の膜質が劣るのを防ぐ。
【解決手段】 光学素子成形用型の型母材１０に、ＦＣＶＡ法によりｔａＣ膜１２を成膜する工程で、型母材１０を浮遊電位に保ち、絶縁部材３ａ、３ｂを介して型母材１０を保持する型母材保持部材２に電圧を印加する。また、型母材１０に内設した磁石４によって、型母材１０の転写面の法線方向に磁力を作用させる磁場を形成することで、膜質を均一化する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）

【課題】安定したスパッタ運転を可能にし、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜を製膜可能にするスパッタリングターゲット、その製造方法、ターゲット材原料を提供する。
【解決手段】加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。このように、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンでターゲット材が形成されているため、抵抗率を低下させることができる。その結果、安定したスパッタ運転を可能にすることができる。そして、シリコンの純度を高めたターゲット材を用いてスパッタリングで作製したＳｉＯ_２膜について、原子番号が１１以下の金属の含有は光学特性を低下させない。その結果、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にダブルグレーデング構造を有し、かつ面内均一性を有するＣＩＧＳ膜を効率的に製造することができる成膜装置および、高い光電変換率を有する光電変換素子を効率的に製造する光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置において、成膜用基板Sを一方向に搬送する基板搬送機構を備え、蒸着室内に、成膜用基板の搬送方向Aに沿って上流側から順に、Ｃｕ蒸着源21とＧａ蒸着源22とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｇａ第１蒸着源群31、Ｃｕ蒸着源とＩｎ蒸着源23とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｉｎ第１蒸着源群32およびＣｕ−Ｉｎ第２蒸着源群33、およびＣｕ蒸着源とＧａ蒸着源とが行方向および列方向に交互に配置されてなる行列状のＣｕ−Ｇａ第２蒸着源群34を配置する。 （もっと読む）

【課題】生産性を落とすことなくガラス基板を効果的に冷却することで蒸着処理時の有機層の変質・劣化を防止し、これにより高品質の有機層を形成する。
【解決手段】ガラス基板７の一方の面７ａの側に一又は複数の層を形成するに際し、層は有機層４を有すると共に、層における少なくとも一種の層が蒸着処理により形成され、蒸着処理時、ガラス基板７の他方の面７ｂにガラス基板７を冷却するための冷却板１５の一方の面１５ａを直に面接触させることとし、かつ、この面接触により、各々の合わせ面７ｂ，１５ａが剥離可能な程度に密着した状態となるようにした。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の劣化を防止しつつ、長期間にわたる連続運転を可能とする。
【解決手段】るつぼホルダ１３内に、赤外線を主な波長とする加熱波を放射する放射加熱器２１を、赤外線を透過可能な材質からなる加熱波透過管２２に内装して配置し、放射加熱器２１からの加熱波をるつぼ本体１２内の蒸着材料Ｍの表面に照射して加熱し、蒸着材料Ｍの表面のみを蒸発または昇華させる。蒸発または昇華された蒸着材料Ｍが、加熱波透過管２２の表面やるつぼ本体１２、るつぼホルダ１３の内面に付着しても、加熱波により加熱されて再蒸発または再昇華される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するにあたり、経時変化による屈折率の変化を抑えることのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】酸素及び窒素の少なくとも一方を含むガスを導入しながら、表面の温度を６５０°Ｃ〜１１００°Ｃの間に保持したＭｇＦ_２１３１をイオンでスパッタリングすることにより、ＭｇＦ_２の少なくとも一部を分子状態で跳び出させ、分子状態のＭｇＦ_２で基板１０２上へ膜を形成する第１成膜工程と、基板上に酸化物を成膜する第２成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が所定の材料を含み、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜面にダメージを与えることなく、効率よく酸化物透明導電膜を成膜し、かつ装置コストを抑制する。
【解決手段】単一のスパッタ装置１を用いて成膜用基板Ｓ上に酸化物透明導電膜を成膜する方法であって、成膜中におけるスパッタ装置１の投入電力を一定とし、成膜時の圧力（Ｐ）、およびターゲットＴと成膜用基板Ｓとの距離（ｄ_ＴＳ）の積（Ｐ×ｄ_TS）で表される成膜パラメータを、酸化物透明導電膜の成膜開始時に６０Ｐａ・ｍｍ以上とし、酸化物透明導電膜の成膜途中に、成膜パラメータが６０Ｐａ・ｍｍよりも小さくなるように、成膜時圧力および／または距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒ_２Ｏ_３を含有した酸化物スパッタリングターゲットであっても、防着板からのｄｅｐｏ膜の剥がれ落ちを抑制可能な酸化物スパッタリングターゲットおよびこれを用いて成膜された光記録媒体用酸化物膜を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】経時安定性の高い導電性酸化亜鉛膜を得る。
【解決手段】Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０²¹ atoms/cm³以下とする。 （もっと読む）