【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着ステージを移動しながら、多層膜の蒸着を行う場合に、蒸着マスクと基板の熱膨張の差によって、蒸着マスクと基板が位置ずれを起こすことを防止する。
【解決手段】
蒸着ステージにおいて蒸着マスクを介して基板に所定の蒸着を行い、その後蒸着マスク、基板および押さえ板３０の組を移動させ、他の蒸着ステージにおいて、蒸着マスクを介して基板に他の蒸着を行う。蒸着マスク、基板、押さえ板３０の組が移動している間、冷却ローラ６０を押さえ板３０に接触させ、蒸着マスクを介して基板に他の蒸着を行っている間は、冷却ローラ６０は押さえ板３０からは離しておく。冷却ローラ６０は金属で形成され、表面に高分子材料がコーティングされており、内部を冷却媒体が流れることが出来る。基板および蒸着マスクの温度が上がって熱膨張することを回避することが出来るので、有機ＥＬ表示装置の製作裕度を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したＭｏ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＫとＮｂとの複合酸化物でなる粉末とＭｏ粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を０．４〜９．０質量％含有し、Ｍｏ母相中に内接円直径が２０μ
ｍ以下の凝固した前記複合酸化物が分散するＭｏ系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のＭｏ系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Ｍｏの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】真空装置内におけるマスク組み立て体と素子基板の対を移動するときに、搬送装置においてガイドローラ等とマスクフレームとが接触した時の衝撃によって蒸着マスクと素子基板との相対位置がずれることを防止する。
【解決手段】蒸着マスクを配置し、素子基板が載置されたマスクフレーム２１の両端部が搬送用ベルト２００によって支えられ、回転ローラ１００が回転することによって搬送用ベルト２００が移動するとともにマスクフレーム２１が移動する。搬送用ベルト２００が接触する回転ローラ１００には曲率が形成されており、この曲率に沿って搬送用ベルト２００も同様の曲率を有する。この構成においては、クラウン効果によって搬送用ベルト２００の蛇行が抑制されるので、搬送用ベルト２００に載置されたマスクフレーム２１、蒸着マスク、素子基板等は、横ずれを生ずることなく搬送することが出来る。したがって、蒸着マスクと素子基板との相対的な位置ずれを生ずることは無い。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する蒸着材料中の不純物の基板及び堆積膜中への付着を防止すると共に、成膜チャンバー内を短時間で高真空に到達させ、真空排気後短時間で蒸着の成膜速度安定性を実現した蒸着方法、及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも蒸着源４ａ、４ｂに対向する面を備えたダミー部材７を、成膜チャンバー１の真空排気の過程で該成膜チャンバー１内に搬入し、該ダミー部材７に所定の厚さの蒸着膜を形成した後、実基板２への蒸着を行うことにより、ダミー部材７に堆積する蒸着膜に、蒸着源４ａ、４ｂから放出される不純物や成膜チャンバー１内に残留する水分が取り込まれ、実基板２に堆積する膜に混入する不純物が低減され、実基板２へ蒸着を行う際の圧力に達するまでの時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】アライメント動作回数を少なくすることによって、基板とマスクへのダメージを低減し、且つ、マスク蒸着の生産性を向上したアライメント方法、及びアライメント装置を提供する。
【解決手段】搬入直後の基板３の重力方向の振動をレーザー振動計２で計測し、得られた振動データに基づいて、振動制御部４が逆位相の振動波を発生し、該振動波を基板３に付与して基板３の振動を低減した後、基板３とマスク４とのアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】プリベーク・ポストベーク工程を経ても弱酸でのパターニング処理が可能な特定の組成の非晶質膜を結晶化することにより、耐候性が高く、高抵抗な透明導電膜を製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｓｎ、元素Ａ（ただし元素Ａは、Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙ，Ｙｂから選ばれる１種以上）および酸素からなる非晶質透明導電膜であって、当該膜を構成する元素の原子比を、ｘ＝［元素Ａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）、ｙ＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）としたときに、ｘ＝０．００２〜０．０５、かつ、−０．６１２ｘ＋０．０８０６≦ｙ≦−１．０２ｘ＋０．１５１である非晶質透明導電膜を、酸素共存下で２５０℃から３００℃で加熱し、結晶質透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の回収手段を備えた蒸着装置において、蒸着材料の回収効率を向上し、生産性の改善を図る。
【解決手段】材料容器９から噴出部５までの第１流路１１と、材料容器９から材料回収容器１０までの第２流路１２に、検出口６，７を設け、該検出口６，７から噴出する蒸着材料の噴出状態を検知する検出器３，４を配置し、材料容器９から検出口６までのコンダクタンスと、材料容器９から検出口７までのコンダクタンスを等しく構成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．１〜５００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は３〜５０％の範囲の気孔率を有することが好ましく、１〜５００μｍの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍであるＺｎＯ粉末とバインダと有機溶媒とを混合してＺｎＯ粉末の濃度が４５〜７５重量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してＺｎＯ多孔質焼結体を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。ここで、第１の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第２の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物は湿熱耐久性に劣り、湿熱耐久性を向上しようとすると抵抗率が高くなる、すなわち導電性が悪くなるという課題があった。
【解決手段】基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。
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【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット（２９ａ，２９ｂ）をスパッタして回転ドラム（１３）に保持され回転する基板（Ｓ）及びモニタ基板（Ｓ０）に、第１薄膜であるＡ膜を目標膜厚Ｔ１で形成した後、Ａ膜の形成に使用したターゲット（２９ａ，２９ｂ）をさらにスパッタし、Ａ膜と同一組成の別薄膜である第２薄膜であるＣ膜を目標膜厚Ｔ３で形成するための方法であって、膜厚監視工程Ｓ４，Ｓ５と、停止工程Ｓ７と、実時間取得工程Ｓ８と、実速度算出工程Ｓ９と、必要時間算出工程Ｓ２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板等の破損を低減し、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、基板を載置する蒸着ステージとマスクを相対的に移動させ、前記基板と前記マスクを密着させ、真空中雰囲気において前記基板に蒸着材料を蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置または製造方法において、前記密着は、前記駆動源の負荷を状態量として監視し、前記状態量の変化に基づいて前記移動を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】空気接触面に付着した金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層から成る耐傷性を有する保護層を提供する。
【解決手段】この保護層の厚さは、通常、１〜３ｎｍであり、酸化後、光学吸収を持つ。この層は、始めに主に未酸化又は未窒化状態で付着される。該金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層は、空気に曝された後、数日以内に完全に酸化する。この層を酸素又は窒素等の反応性ガスを含むプラズマ、放電、又はイオンビームに曝す場合は、この保護層の厚さは、２〜５ｎｍであってもよい。 （もっと読む）

【課題】波長400〜700nmで製造ばらつきを考慮しても最大反射率が0.1％以下の反射防止特性を有し、製造の際にも安定した分光反射特性が得られる反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長400〜700nmの光において1.45〜2.12の屈折率を有する基板上に、前記基板から順に第１層〜第４層を形成してなる４層構成の反射防止膜であって、前記第１層〜第４層が、それぞれ独立に100〜150nmの光学膜厚を有し、前記基板の屈折率N0、及び前記第１層〜第４層の屈折率N1〜N4が、(0.78×N0+0.40)≦N1≦(0.78×N0+0.62)、(0.30×N0+1.20)≦N2≦(0.30×N0+1.73)、1.48≦N3≦1.94、及び1.15≦N4≦1.27を満たすことを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。
【解決手段】鱗片体が積層してなる構造を有する酸化ガリウム粉末粒子を含有する酸化ガリウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物相と、ＡｌおよびＴｉを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするＺｎＯ系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】 焼結体表面の平滑性に優れ、スムーズな供給を可能とする、酸化マグネシウム焼結体からなる、プラズマディスプレイの保護膜用蒸着材を提供することである。
【解決手段】 酸化カルシウムを２〜５０質量％含み、かつ相対密度が９５％以上である酸化マグネシウム焼結体からなるプラズマディスプレイの保護膜用蒸着材であって、
酸化マグネシウム焼結体が、ＢＥＴ比表面積が５ｍ^２／ｇ以上、レーザ回折散乱式粒度分布測定による体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ_５０）が０．1〜０．５μｍ、レーザ回折散乱式粒度分布測定による体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ_１０）と体積基準の累積９０％粒子径（Ｄ_９０）との比Ｄ_９０／Ｄ_１０が１０以下である、純度９９．５質量％以上の酸化マグネシウム微粒子を原料とする、プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材。 （もっと読む）