【課題】酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜である。前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質の薄膜を形成することができる成膜装置の提供。
【解決手段】
ターゲット１１を保持するターゲットホルダ１０と、ターゲットホルダ１０を回転可能な回転機構８０と、成膜用基板２１を保持する基板ホルダ２０と、電子線を発生する電子線発生装置３０と、電子線収束装置４０と、レーザ光照射装置５０とを備えた回転ターゲット式成膜装置である。電子線収束装置４０は、回転機構８０により回転するターゲット１１に対して、電子レンズを形成することにより電子線発生装置３０から発生された電子線を収束させ、もってターゲット１１の少なくとも一部を液体化する。レーザ光照射装置５０は、液体化されたターゲット１１の少なくとも一部にレーザ光を照射してアブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板にイオンボンバード処理を施した後、この透明基板上にイオンプレーティングにより厚さ５〜２０ｎｍ、好ましくは厚さ５〜１０μｍの銀を含む金属薄膜を蒸着させて、抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍおよび５００ｎｍの光の透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上である透明導電薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの製造時およびスパッタリング時に割れを生じることのない高強度な酸化亜鉛焼結体および高抵抗な酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０^５Ω・ｃｍ以下である円筒形状の酸化亜鉛焼結体から成るスパッタリングターゲットを作製する。
またジルコニウムを１０〜２０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であり、膜厚１００ｎｍのとき、波長５００ｎｍの透過率が７５％以上の酸化亜鉛薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。波長７００ｎｍおよび８００ｎｍの少なくとも一方の光の透過率が６０％以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が８０％以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上の含有量が１０体積％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】耐湿熱性に優れ、可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる太陽電池用透明電極膜、およびそれを設けた太陽電池を提供することである。
【解決手段】
本発明の太陽電池用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】マスクをフレームに引っ張り溶接するときに発生しうるシワを改善することが可能な、マスクフレーム組立体、マスクフレーム組立体の製造方法、および有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フレームと、フレームに第１方向に引っ張られた状態で設けられるマスクと、を備え、マスクは、複数の蒸着用パターン部が備えられる蒸着領域と、蒸着領域より厚く形成され、蒸着領域の両側に前記第１方向に沿って延設されるエッジ部と、蒸着領域より厚く形成され、第１方向と垂直の第２方向に隣接した蒸着用パターン部の間に少なくとも２つ以上形成されるリブと、を備えるマスクフレーム組立体が提供される。 （もっと読む）

【課題】 イオンプレーティング法による、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 （もっと読む）

【課題】加熱による蒸着材料の劣化を抑制しつつ、より安定に蒸着材料を対象部材に蒸着することのできる真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空蒸着装置１は、開口部を有し、蒸着材料３を収容可能な容器４と、該容器４に蒸着材料３が収容された場合に、蒸着材料３と接触するよう容器４内に固定配置された、外部から個別に加熱制御可能な複数の熱源５と、を備える。熱源５を蒸着材料３と直接接触させることにより、効率良く蒸着材料３を加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い無機配向膜を低コストで形成する。
【解決手段】プラズマ生成領域を挟むように対向配置された２つのターゲット５を備えるスパッタ粒子放出部３と、基板１０を水平方向に搬送する搬送手段６ａを収容する成膜室２と、を備えるスパッタ装置１を用いて、搬送される基板１０にスパッタ粒子２７を入射させて、１０基板に接する下層配向膜１３２と液晶分子３７に接し液晶分子３７の配向を制御する上層配向膜１３１を含む無機配向膜３１を形成する方法であって、スパッタ粒子２７の基板１０に対する入射角の範囲を入射角範囲と定義した場合において、下層配向膜１３２を形成する工程である第１の工程における入射角範囲である第１の入射角範囲が、上層配向膜１３１を形成する工程である第２の工程における入射角範囲である第２の入射角範囲に比べて広いことを特徴とする無機配向膜３１の形成方法。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く耐熱性に優れた配線材料として汎用されているＡｌ−Ｎｄ／Ｌａ合金の耐アルカリ腐食性を向上させることが可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、Ｎｄおよび／またはＬａを０．１〜３原子％含有するＡｌ基合金からなり、Ａｌ基合金中に含まれるＦｅ量が、Ｎｄおよび／またはＬａの合計量の１／７６以下に制御されている。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方
法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法である。この形成方法により成膜された透明導電膜は、該透明導電膜中に含まれる亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射防止膜の中間屈折率膜として用いられる、屈折率１．５〜２．０を示す酸窒化ケイ素膜を形成する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、スパッタリング法により、基材上に希ガス及び反応性ガスからなる混合ガス雰囲気の真空チャンバー内で酸窒化ケイ素膜を形成する方法であり、前記反応性ガスに酸素及び窒素を含む時の放電電圧Ｖ_Ｘと、前記反応性ガスに窒素を含み酸素を含まない時の放電電圧Ｖ_０とが、（Ｖ_Ｘ／Ｖ_０）＞０．９となるように、前記混合ガスに含まれる希ガスを５０〜７０体積％とし、屈折率が１．５〜２．０の酸窒化ケイ素膜を得ることを特徴とする酸窒化ケイ素膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏなどの密着層を省略し、熱処理もすることなく、ガラスなどの絶縁層に直接配線をＣｕ合金により形成でき、また、表面平滑性の良好な配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、０．０１ａｔ％〜０．５ａｔ％のＢｉと、０．０５ａｔ％〜０．５ａｔ％のＩｎと、残部がＣｕ及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Ｃｕ合金とした。また、本発明は、絶縁層とＣｕ合金配線とが直接接合された接続構造において、Ｃｕ合金はＢｉ及びＩｎを含有しており、Ｃｕ合金配線は、絶縁層との接合界面側にＢｉ偏析層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。
【解決手段】低原子価チタンを２モル％超、１０モル％以下含有する酸化亜鉛焼結体であって、相対密度９５％以上で、かつ複合酸化物の含有割合が１０％以下である。この酸化亜鉛焼結体は、酸化亜鉛粉末と、亜鉛と低原子価チタンの複合酸化物粉末とを、低原子価チタンが２モル％超、１０モル％以下含有するように混合した後、成形し、次いで８００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）