【課題】真空槽内の真空雰囲気を維持しながら振動子から付着膜を除去できる真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽１１内に蒸着材料の蒸気を放出させ、ホルダ３２ａ、３２ｂに接触して保持された振動子３１ａ、３１ｂの表面に蒸気を付着させ、付着膜の膜厚を測定しながら、基板１６に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、付着膜の蒸発温度より融点の高い振動子３１ａ、３１ｂとホルダ３２ａ、３２ｂと、ホルダ加熱装置３３ａ、３３ｂとを用いて、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、ホルダ３２ａ、３２ｂの融点と振動子３１ａ、３１ｂの融点の両方より低い温度でかつ付着膜の蒸発温度以上の温度にホルダ３２ａ、３２ｂを加熱し、ホルダ３２ａ、３２ｂからの熱伝導により振動子３１ａ、３１ｂを加熱し、振動子３１ａ、３１ｂから付着膜を気化させて除去する。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着用マスクフレーム組立体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数個のスティック型分割マスクが採用されるマスクフレーム組立体１００であり、該マスクフレーム組立体１００は、単位画面に対応する蒸着用パターンを具備する複数の分割マスク１１０を具備し、さらに各分割マスクは、複数の部分マスク１１０ａ，１１０ｂが結合され、単位画面に対応する蒸着用パターン１１１を形成するように構成される。これにより、大型画面に対応するパターンを収容した分割マスクをエッチング誤差増大の恐れなく容易に製作することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚センサの使用寿命が長い真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空槽２１と、真空槽２１内を真空排気する真空排気装置２７と、真空槽２１内に露出する放出口１１ａ、１１ｂから蒸着材料の蒸気を放出する放出装置１２ａ、１２ｂと、放出口１１ａ、１１ｂと対面する位置に基板２６を保持する基板保持部２５と、放出された蒸気が入射する位置に配置され、付着した蒸気からなる付着膜の膜厚を測定する膜厚センサ１５ａ、１５ｂとを有し、基板保持部２５に保持された基板２６に薄膜を形成する真空蒸着装置２であって、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに向けてレーザーを照射するレーザー照射装置１８ａ、１８ｂを有し、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに付着した付着膜にレーザーが照射されると、膜厚センサ１５ａ、１５ｂから付着膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成される間隙に沿って、バッキングプレートに保護体を設けたものであり、
ターゲット部材が酸化物半導体であり、保護体が高分子シートであることを特徴とする分割スパッタリングターゲットとした。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 複数のスリット状の開口を持つ蒸着マスクにおいて、隣接するスリット状の開口間の箔が互いに接触して密着し、スリット状開口部が塞がって成膜パターンの不良を引き起こしてしまう。
【解決手段】連続して配置された少なくとも３つの前記開口の少なくとも一方の端部を、前記開口の長手方向に互いにずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１１Ｂ内において基板搬送方向Ｄの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にＬＡＳＥＲスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な導電性、透過率、を有し、低屈折率であり、且つ低温で成膜可能な結晶構造のＺｎＯ系透明導電膜、及び該ＺｎＯ系透明導電膜をフィルム上に成膜した透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はガリウムの少なくとも一方が１から１０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛からなり、透明基板上に形成された透明導電膜であって、透明導電膜は、可視光域における透過率が８５％以上であり、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．７５〜１．８０の範囲にあり、比抵抗が８．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】均一な蒸着膜厚分布と材料利用効率向上を実現し，かつ熱による基板に形成された蒸着膜へのダメージを与えず，ノズルつまりも防止する真空蒸着装置を実現する。
【解決手段】複数のノズル４が第１の方向に配列した蒸発源ユニット３１が複数幅方向に配列して蒸発源３を形成している。ノズル４の出口において、蒸発源３から放射される蒸発物質を左右から挟む形で第１の反射散乱板５と第２の反射散乱板６を配置する。蒸発源３に近い第１の反射散乱板５は加熱手段によって加熱され、蒸発源３から遠く、基板に近い第２の反射散乱板６は加熱手段を有さず、冷却手段を有する。これによって、基板における蒸着膜厚分布を均一化でき、蒸着材料の利用効率を上昇させ、基板に形成された蒸発物質に対する熱によるダメージを抑えることが出来、蒸着ノズル付近における蒸発物質の堆積を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に偏りなく均一に多品種の積層膜を成膜可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。また、複数の材料で形成される薄膜の組成を精密に制御することが可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半径方向に並べて配置された複数の蒸着源を有する蒸着源群を、回転軸に対して放射状に複数配置する。成膜は回転軸に対して基板が公転、または蒸着源群を配置したテーブルが自転、若しくはその両方をさせながら行う。その際、回転半径の小さい箇所と大きい箇所とでは線速度が異なるため、成膜速度を均一にするために、テーブルに半径方向に並べた蒸着源は、外側に向かうほど気化速度が速くなるよう制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを提供する。
【解決手段】シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータ及び、基板をコータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムであり、基板移送システムは、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、ギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、校正用膜厚センサー１０と、制御系６０と、を有し、蒸着源３０の開口部３２の中心から校正用膜厚センサー１０までの距離Ｌ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心からモニタ用膜厚センサー２０までの距離Ｌ₂との間にＬ₁≦Ｌ₂の関係が成り立ち、かつ、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心と校正用膜厚センサー１０とを結ぶ直線とでなす角度θ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心とモニタ用膜厚センサー２０とを結ぶ直線とでなす角度θ₂との間にθ₁≦θ₂の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】基材表面の選択的領域に気相から堆積層を形成するための蒸着マスクを用いる薄膜パターン形成工程において、薄膜パターンの位置ズレやパターンエッヂのボケがなく、基材表面へのキズ等の欠陥を与えることのない蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】非堆積領域とすべき部分を被覆して基材表面と密着させる材料が可撓性フィルム１１１からなる可撓性貼付フィルム１１０を用いた蒸着マスク１１を使用し、可撓性貼付フィルムを基材１０の成膜側全表面に密着させた後、所望の堆積層１３を形成すべき領域を覆う可撓性貼付フィルムを選択的に除去し、しかる後に堆積層を形成する成膜工程を実施し、最後に基材表面上に残された可撓性貼付フィルムを除去する。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、制御系６０と、校正用膜厚センサー１０と、を有し、モニタ用膜厚センサー２０と校正用膜厚センサー１０のうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、真空蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】大型のサイズであっても真直度に優れ、表面が平滑である高品質な円筒状ターゲット材を提供することを目的とするとともに、たとえ大型の円筒状ターゲット材を製造する場合であっても、曲がりや歪が発生することがなく、表面に疵が発生することのない円筒状ターゲット材の製造方法、及び、円筒状ターゲット材のシート被覆方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無酸素銅からなるターゲット材料に対して調質処理を施すターゲット材料調質処理工程Ｓ１０と、該工程により形成した調質処理済ターゲット材に対して追加工を施す調質処理済ターゲット材追加工工程Ｓ２０とを行い円筒状ターゲット材を製造する製造方法において、前記ターゲット材料調質処理工程Ｓ１０では、所定の焼鈍工程、及び、引抜き抽伸工程を行った後、ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５を行い、該ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５において、仕上げ焼鈍工程Ｓ１５Ａを行い、その後、仕上げ引抜き抽伸工程Ｓ１５Ｂを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）