【課題】摺接部の耐摩耗性を向上し易い摺動部材を提供することを課題とし、そのような摺動部材を製造し易い製造方法を提供する。
【解決手段】被接部２１に当接して摺動する摺接部２３、２５、２６、２７を備え、摺接部２３、２５、２６、２７の表面に、複数の被覆層４１、４２・・・が界面を有して積層された被覆膜４０が形成された摺動部材２１、２２において、被覆膜４０は、界面を複数設けることにより、各被覆層４１、４２・・・を単独で被覆膜４０の膜厚に形成した場合に比べ、摩耗速度を小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】発電所などの高温環境で使われる部品の磨耗および擦り傷などの損傷を効果的に防止することが可能な、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供すること。
【解決手段】高温用部品がセットされるセッティング部、および前記高温用部品に対するスパッタリング空間を形成する蓋を備えたチャンバーと、前記セッティング部にセットされた高温用部品を回転駆動させる回転駆動手段と、前記チャンバーのスパッタリング空間を真空に保つための真空ポンプと、前記チャンバーのスパッタリング空間を不活性気体雰囲気に造成するための不活性気体供給部と、前記蓋の上面部と前・後面部に前記高温用部品を向いて複数設置されたターゲットと、前記ターゲットに対応するように前記蓋の上面部と前・後面部に設置され、ターゲットの原子を放出させて前記高温用部品に蒸着させる複数のスパッタガンと、前記回転駆動手段、前記真空ポンプ、前記不活性気体供給部および前記スパッタガンを制御する制御部とを含んでなる、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】層間接着性に優れるとともに、燃料や冷媒等に対する低透過性にも優れた燃料・冷媒用低透過部材およびその製法を提供する。
【解決手段】ポリフェニレンサルファイドおよびフッ素系樹脂の少なくとも一方からなる内層１の外側面に、無機系酸化膜を備えた中間層２が形成され、その外側に、高アミノ価のポリアミド系樹脂または下記の（Ａ）〜（Ｄ）を必須成分とするゴム組成物からなる外層３が形成されてなる燃料・冷媒用低透過部材であって、上記内層１の外側面がプラズマ処理により改質され、その改質面上に、化学的蒸着法（ＣＶＤ）または物理的蒸着法（ＰＶＤ）により、上記無機系酸化膜が成膜されている。
（Ａ）エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体およびエチレン−プロピレン共重合体の少なくとも一方。
（Ｂ）過酸化物加硫剤。
（Ｃ）レゾルシノール系化合物。
（Ｄ）メラミン樹脂。 （もっと読む）

【課題】
本発明は平ベルトのように回転をスムーズに伝達するベルトにアモルファス材を選択し、新しい製法開発により、従来の平ベルトよりもトルク伝達能力が大きくできる減速駆動機構ベルトの素材となるアモルファス円筒の製造装置及びアモルファス円筒製法を提供する。
【解決手段】
真空チャンバー１内部のターゲット４に対して平行な軸１４を有する薄肉ドラム１０を備え、薄肉ドラム１０の外周にターゲット４をスパッタ成膜するアモルファス円筒製造装置１００であって、真空チャンバー１外部から内部の薄肉ドラム１０の軸心に送気および排気の配管３６，３７がされ、配管３６，３７に気体又は液体の冷却材を還流させて薄肉ドラム１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層について、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段８と、接地電極４内に雰囲気ガス９を導入する雰囲気ガス供給部１０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをＴとして、半径１．５Ｔの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、電源部６が供給した電力により放電電極２と接地電極４との間に発生した電界へ磁界を加える磁界発生部８と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも多くの被処理物を１度に処理する。
【解決手段】 この発明に係る表面処理装置１０によれば、各被処理物２８，２８，…をプラズマ領域６４に送り込むための公転ユニット３２に複数のホルダユニット３４，３４，…が取り付けられ、これら複数のホルダユニット３４，３４，…のそれぞれに複数の被処理物２８，２８，…が取り付けられる。これにより、従来よりも多くの被処理物２８，２８，…を１度に設置することができる。そして、公転ユニット３２内の大回転板，それぞれのホルダユニット３４内の小回転板，およびそれぞれの被処理物２８を保持するホルダ４０、の各回転数が適切に設定されることで、各被処理物２８，２８，…に対して均一に表面処理が施されると共に、個々の被処理物２８に対してもその表面全体にわたって均一に表面処理が施される。 （もっと読む）

ここに開示している方法は、非平面的形状の表面に材料を成膜する方法である。この方法は、処理チャンバの搬送経路に沿って非平面的形状サブストレートを搬送しているときに、その非平面的形状サブストレートを回転させることにより達成される。従って、非平面的形状サブストレートは回転させられると同時に処理チャンバの中を搬送され、その回転によって、非平面的形状サブストレートの表面領域の全体に成膜が行われるようにすることも、その表面領域のうちの成膜処理を施そうとする任意の目標領域に成膜が行われるようにすることも可能であり、また必要とされる均一な成膜が行われるようにすることができる。或いはまた、非平面的形状サブストレートの表面領域のうちの所定パターンを成す領域に成膜が行われるようにすることもできる。この方法を実施することによって、様々な非平面的形状の半導体デバイスを製造することができ、製造可能な非平面的形状の半導体デバイスには例えば、非平面的形状の発光ダイオードや、非平面的形状の光電池などがあり、またそれらだけに限定されず更にその他の非平面的形状の半導体デバイスも製造可能である。 （もっと読む）

【目的】平坦面や曲面で構成された形状だけでなく、中空状等、被加工物がどのような形状であっても、均一な膜形成を行え、プラズマ処理膜の品質向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【構成】プラズマ処理部Ａ１内には、孔又は溝を有したワークが配置され、プラズマ導入路Ａ２２からのプラズマＰ１は、孔又は溝の深さ方向がプラズマ直進方向ＤＰに対応するように導入される。ワーク物体の中空軸がプラズマＰ１の直進方向ＤＰの中心軸に略対応してワークＷ１が設置されている。ワークＷ１への上記プラズマＰ１の直進導入構成と、５ｅＶ以上の高イオンエネルギーを持つイオンを含んだ真空アークプラズマを使用して、孔又は溝の内面に均一な膜形成を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、物品２の開口部にて蒸着／真空蒸着させることのできる材料にて膜壁３を生成する方法に関する。この方法は、蒸着可能な材料に対して剥離性のある層５にて被覆された裏打ち面４に接するように、開口部を画定する縁部配置する工程と、蒸着可能な材料を物品２及び裏打ち面４上に蒸着させて１つの要素を形成する工程と、要素と一体的な膜３が残しるようにして要素を裏打ち面４から分離する工程と、を含む。本発明は、膜３が設けられた物品、特に、前面側膜３が設けられた超音波トランスデューサ１１にも関する。
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【課題】加工が容易な超伝導体がＹＢＣＯベースで得られる方法を提供する。
【解決手段】ワイヤ状の導体を製造するため、帯状体（２）として存在する配向組織化された金属製基材と、円形の断面を持って長く延びる金属製支持体（１）とを用い、まず、金属製基材の長手方向において、金属製基材を金属製支持体の周りで成形して、長手方向に延びる両エッジが１本のスリット（４）に接して並ぶスリット管（３）とする。続いてこのスリット管を、スリットの溶接によって閉じる。閉じられた管（９）を、つぎに金属製支持体に密着するまで引き抜き加工する。つぎに超伝導性ＹＢＣＯ材料からなる層（１２）で、閉じられた管の周りを被覆し、最後に熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】筒状の基材の内周面に蒸着源を均一に蒸着させる。
【解決手段】真空蒸着装置１０は、真空チャンバーを備え、真空チャンバー内部に円筒形の基材２０を配置する。基材２０の内周側にはさらに真空ボート１１を配置する。真空ボート１１の上面１２には凹陥部１３を設ける。凹陥部１３内部には蒸着源１４を充填する。基材２０は軸Ｘを中心に回転すると共に、真空ボート１１は軸Ｘ方向に沿って往復移動する。この状態で、蒸着ボート１１を加熱し蒸着源１４を気化させ、基材２０の内周面２１に蒸着源１４を蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易なプロセスで、物品の表面に親水撥油性を付与することができ、しかも該親水撥油性の耐久性が良好である物品の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックスおよびプラスチックからなる群から選択される材料からなる被処理物品の表面を、（Ａ）パーフルオロカーボンと、（Ｂ）酸素原子を有し、Ｃ−Ｈ結合およびハロゲン原子のいずれも有しない酸素含有化合物とが存在する雰囲気中で放電処理することによって、前記被処理物品の表面上に膜を形成する工程を有することを特徴とする物品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ均一な膜を高い成膜速度にて形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜対象となる基材５を配置する真空槽１１内にプラズマを発生するプラズマ発生手段２と、プラズマ発生手段２によって発生させたプラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成するマルチカスプ磁界発生手段３と、基材５を保持すると共に閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転する保持回転手段４とを有することを特徴とする成膜装置１。真空槽１１内に、プラズマを発生させると共に、プラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成し、基材５を閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転させながら、基材５の表面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

電極組立品は、１つまたは複数の出口を有するシールドによって囲繞された電極材料のコイルと、前記シールドから出る前に前記コイルの軸Ｘ−Ｘに沿って誘導される遮蔽ガスの供給とを備える。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素や炭酸ガスなどによる劣化、またはアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の拡散による劣化を抑えることが可能なバリア性の高い薄膜であり、且つ、安全衛生上問題なく、透光性の高い薄膜の成膜装置およびその成膜装置で薄膜がコーティングされた製品の提供を課題とする。加えて、環境に優しい生分解性材料を使用可能な製品範囲を広げるとともに品質保持期間も延長させることも課題とする。
【解決手段】包装フィルム１０５の内面にＡｌＮ_ＸＯ_Ｙ膜１０６、またはＡｌ_ＸＮ_Ｙ膜の単層またはこれらの積層を形成（コーティング）することを特徴とする。これらの単層または積層は、透光性が高く、水分や酸素や炭酸ガスのバリア性向上、耐熱性、及び機械的強度を向上させることができる。また、生分解性材料を包装フィルムとして用いた場合、使用可能な製品範囲を広げるとともに品質保持期間も延長させることができる。 （もっと読む）

【課題】極細管もしくはワイヤ状の長軸体の内周面あるいは外周面に、目的とする材料のスパッタリングを良好に行なうことができるようにする。
【解決手段】、真空容器１内に、重力方向に沿っていずれか一方をスパッタターゲットとし、他方を被スパッタ体とする極細管による第１の極細長軸体４と第２の極細長軸体５を同軸心上に、配置する。プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。このとき、極細長軸体が重力方向に配置したことにより、熱膨張による伸張、スパッタリングによる細りによる極細長軸体間の軸方向位置における間隔の変動を回避する。 （もっと読む）