【課題】耐酸性に優れ、且つ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池用金属セパレータの製造方法は、表面が平面の金属基材、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材を用いて製造する燃料電池用金属セパレータの製造方法であって、前記金属基材を加熱し、且つ電圧印加して行うＰＶＤ法によってＮｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜を当該金属基材上に成膜する成膜工程Ｓ１と、前記成膜工程Ｓ１後、前記耐酸性金属皮膜を成膜した金属基材を加熱し、且つ電圧印加して行うＰＶＤ法によってＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属を当該耐酸性金属皮膜上に析出させて島状の結晶粒子を形成する析出工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 導電性と可視光透過性とを両立させる導電性と可視光透過性とを両立させる金属薄膜の製造方法とその金属薄膜を用いた素子、および、導電性と可視光透過性とを両立させる金属薄膜の層を含む２以上の層からなる積層体の製造方法とその金属薄膜を用いた有機EL素子を提供する。
【解決手段】
基板の表面をプラズマ処理によって清浄化し、その後スパッタリングにより金属薄膜を成膜した。プラズマ処理時間が２分の場合（Dc１）、表面抵抗率が急激に増大する臨界膜厚Dcは非常に大きくなったが、プラズマ処理時間を５分とすると（Dc２）、膜厚極限まで薄くすることができた。さらにプラズマ処理時間を１０分とすると（Dc３）、表面粗さが増大し、Dcは大きくなった。 （もっと読む）

【課題】生成するクラスター量を増大しかつ大きなクラスターを生成することのできるマグネトロンスパッタ法による方法と装置を提供すること。
【解決手段】スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。 （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、かつ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る燃料電池用金属セパレータ１は、表面が平面の、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材２を用いて製造された燃料電池用金属セパレータであって、金属基材２の表面に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜３と、この耐酸性金属皮膜３の上にＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属、および、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる導電性合金皮膜４と、を有する構成とした。また、本発明に係る燃料電池用金属セパレータの製造方法は、耐酸性金属皮膜を成膜する工程Ｓ１と、導電性合金皮膜を成膜する工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】表面に形成される無機薄膜層が剥離しにくく、製造される光学物品の耐摩耗性、耐環境性を向上させることが可能な薄膜構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂製の基板Ｓの表面に形成された薄膜構造体Ｐであって、基板Ｓの表面に形成された密着層Ｍと、密着層Ｍの表面に形成される無機薄膜層Ｆとを備えている。密着層Ｍは、基板Ｓの表面に４価の金属から選択される１又は２種類以上の金属膜Ｍ０を形成し、金属膜Ｍ０の表面側から反応性ガスのイオン又はラジカルによる処理を行って金属膜Ｍ０の不完全反応物を生成させ、続いて不完全反応物に対して不活性ガスのイオン又はラジカルによる処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の温度でのプレス加工するプリント配線基板の製造に用いても、キャリアと銅箔層との引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 （もっと読む）

ナノ構造は、1つの縁が基板上に配置された複数の金属ナノブレードを含む。複数の金属ナノブレードの各々は、大きい表面積対質量比および長さより小さい幅を有する。水素を貯蔵する方法は、複数のマグネシウムナノブレードを水素貯蔵触媒でコーティングする工程、および複数のマグネシウムナノブレードを用いて水素化マグネシウムを化学的に生成することにより水素を貯蔵する工程を含む。

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【課題】被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設置され、被蒸着材を保持する保持機構と、保持機構の下部に配置され、セレンを主成分とする蒸発材料を蒸発させる蒸発源と、蒸発源の外周の少なくとも一部を覆う蒸発源カバー、蒸発源に対向して配置され蒸発源から被蒸着材に向かう蒸発材料の蒸気を遮蔽するシャッター及び保持機構に保持された被蒸着材と蒸発源との間の蒸発材料が通過する領域を覆う防着カバーの少なくとも１つとを有し、さらに、蒸発源カバー、シャッター及び防着カバーの少なくとも１つを６０℃以下または１００℃以上に保持する温度調整機構とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】４００℃〜６００℃の作動温度においても、原子の透過性を向上させることができる金属薄膜を提供する。
【解決手段】金属組成物と、前記金属組成物の結晶粒界に分散させた酸化物とを含有する。前記金属組成物を構成する金属ターゲットと、前記酸化物を構成する酸化物ターゲットとを同時にスパッタリングして形成した。前記酸化物が、ジルコニア、ランタンガレート、セリアのうちいずれか一つの元素で構成した。前記金属組成物が、銅、銀、白金、パラジウム及び金のうちいずれか一種、又は二種以上を主体とした合金で構成した。 （もっと読む）

【課題】繰返しのばね性が必要な部品に好適であり、各種電子機器のスイッチ部分に使用される部品、特にスイッチ用メタルドーム部品に好適な耐硫化性及び疲労特性の優れた材料を提供する。
【解決手段】準安定オーステナイト系ステンレス鋼上にＡｇ膜、更に厚さ１〜１００ｎｍのＲｕ膜が形成され、上記形成の少なくとも１つは乾式成膜法で行われている、耐硫化性に優れた準安定オーステナイト系ステンレス鋼帯、並びに上記ステンレス鋼帯からなるスイッチ用メタルドーム部品。 （もっと読む）

【課題】 炭素含有層が形成されることを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置（２００）は、水素透過性を有する水素分離膜（３１）の上に電解質膜を成膜する成膜装置（２００）であって、水素分離膜（３１）を配置するチャンバ（３０）と、成膜装置（２００）内に設けられ水素分離膜（３１）と同等以上の二酸化炭素吸着性を有する吸着部材（３５）と、を備えることを特徴とするものである。本発明に係る成膜装置（２００）によれば、吸着部材（３５）に二酸化炭素が吸着される。それにより、水素分離膜（３１）の成膜面における炭素含有層の形成を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 微粒子の吹きつけによる成膜方法であって、良好な膜質で成膜を行うことが可能な成膜方法と、当該成膜方法を実施する成膜装置を提供する。
【解決手段】 微粒子を成膜対象へ吹き付けることによって、前記微粒子により構成される膜を形成する成膜方法であって、前記微粒子の吹き付けの流れの前記成膜対象への入射角が、第１の角度θ１（但し、−５°<θ１<０）、第２の角度θ２（但し、０<θ２<５°）、第３の角度θ３（但し、―９０°<θ３<−６０°）、および第４の角度θ４（但し、６０°<θ４<９０°）よりなる群より選択される角度とされることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】周期表上でＶＩ族に属するモリブデン及びタングステンの安定した面心立方格子構造を有するモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】面心立方格子（ｆｃｃ）結晶構造をもつ粒子であり、熱力学的に安定又は準安定である大径の粒子構造を備えていることを特徴とするモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜。面心立方格子（ｆｃｃ）結晶構造であり、かつ５回対称粒子構造を備えたモリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ、Ｍｇ、またはＺｎ、あるいはこれらの合金の溶湯を鋳造するに際し、優れた耐溶損特性および耐焼付特性を併有するダイカスト金型、および、上記各特性を確実に併有させるための表面処理方法を提供する。
【解決手段】溶融金属の鋳造に用いられるダイカスト金型１であって、係るダイカスト金型１における表面のうち、少なくともキャビティを含む表面２に被覆され、ＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ族の金属の一種または二種以上を含む炭化物、窒化物、または炭窒化物、あるいは、ＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ族の金属の一種または二種以上にＳｉまたはＡｌを含む窒化物からなる第１層４と、係る第１層を酸化処理して表層に形成されたＩＶＡ、ＶＡ、ＶＩＡ族の金属、Ｓｉ、および、Ａｌの酸化層５の少なくとも一種以上を含む第２層６と、を備えている、ダイカスト金型１。 （もっと読む）

【課題】鋳造すべき溶融金属によって表面にクラックやコーティング層の剥離が生じにくく、耐ヒートチェック性に優れたダイカスト金型、およびその表面処理方法を提供する。
【解決手段】溶融金属の鋳造に用いられるダイカスト金型であって、係るダイカスト金型における表面３のうち、少なくともキャビティを含む表面３に被覆され、ＩＶＡ族、ＶＡ族、ＶＩＡ族の少なくとも一種の金属（例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ）またはこれらの合金からなり、マイクロビッカース硬さが１０００Ｈｖ以下で且つ厚みが１〜３０μｍの第１層４と、係る第１層４の表面上に被覆され、ＩＶＡ族、ＶＡ族、ＶＩＡ族の少なくとも一種の金属との炭化物（例えば、ＴｉＣ）、窒化物（例えば、ＴｉＮ）、酸化物（例えば、Ｃｒ_２Ｏ_３）、あるいは炭窒化物（例えば、ＴｉＣＮ）からなる第２層６と、を含む、ダイカスト金型１。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく、除電ユニットからの漏出荷電粒子に起因するフィルムの熱変形を防止することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る巻取式真空成膜（蒸着）装置１０は、冷却用キャンローラ１４と除電ユニット２３の間に、除電ユニット２３からキャンローラ１４へ向かう荷電粒子を捕捉する電荷捕捉体２５を設けることで、除電ユニット２５から漏出した荷電粒子がキャンローラ１４へ到達することを阻止して、キャンローラ１４に印加されたフィルム密着用のバイアス電位の変動を抑止し、フィルム１２に対する静電力を安定に保持する。これにより、フィルム１２とキャンローラ１４の間の密着力が安定に保持されるので、フィルム１２の熱変形が防止されることになる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ターゲット材の大面積化も容易にでき、その材質も板厚方向、幅方向、長手方向に均一であって、さらには、圧延後の焼鈍も不要となるタ−ゲット用金属部材の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 高融点金属粉末を金属製容器に嵩密度ρ_sで充填する工程、該容器の内部を真空状態にした後密閉する工程、該容器を600℃以上1200℃以下の温度で圧延率Rsまで圧延する工程、からなる方法であって、該高融点金属の密度がρ₀である場合、圧延率RsをR_s={1-α×(ρ_s/ρ₀)}×100(%)で規定し、αを0.50以上0.90以下にすることを特徴とする金属部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層を設けずに基材上に金属を強固に蒸着するとともに、製造工程においてチリやゴミが混入する機会を軽減する金属蒸着加工物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明又は半透明の基材と、前記基材の上層にアンダーコート層を形成することなく直接金属が蒸着された金属蒸着膜とで構成された金属蒸着加工物。好ましくは、金属蒸着加工物は、アクリル等の透明又は半透明のプラスチック材で構成される基材１と、この基材１上にホットスタンプ加工等で模様等を描画して形成される描画層２と、その基材１上に金属を蒸着することにより形成される金属蒸着膜３と、その金属蒸着膜３の保護のためにこの膜３上に形成される内側保護膜４と、金属蒸着加工物全体を外気や水等から保護するためにその内側保護膜４上に形成される外側保護膜５とを有して構成される。 （もっと読む）