【課題】膜厚均一性が良好で、かつ、突沸に起因する欠陥等の少ない蒸着膜が成膜できるルツボ、真空蒸着方法、および真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】底面が水平になる成膜材料の収容部を有し、かつ、成膜材料蒸気の排出口の少なくとも一部の高さが他の部分よりも高い第１の条件、および、成膜材料蒸気の排出口を形成する壁面の少なくとも一部が傾斜する第２の条件の、少なくとも一方の条件を満たすルツボを用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】均一な蒸着層を容易に形成することができる真空金属蒸着方法およびその真空金属蒸着方法を実施するための真空金属蒸着装置を提供する。
【解決手段】高耐熱性金属支持体および高耐熱性金網が重ね合わされ蒸着金属材料がそれらの間に保持されている蒸着用ボートを用いて、該蒸着用ボートの高耐熱性金網側を下方に向けて該蒸着用ボートを蒸着用真空容器の上部に配設すると共に、該蒸着用ボートの下面側である高耐熱性金網側と被蒸着体の上面側である被蒸着面側とを対面させて該蒸着用真空容器の下部に被蒸着体を配置し、次いで、電気抵抗により該蒸着用ボートにおける高耐熱性金属支持体を発熱させることにより該蒸着用ボートに保持されている蒸着用金属材料をその沸点以上まで加熱して溶融状態となして真空状態で高耐熱性金網の目から被蒸着体に向かって蒸発・拡散させ、前記の被蒸着体の被蒸着面側に蒸着用金属材料を短時間で蒸着させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なペロブスカイト型の強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に、酸化イリジウム層を形成する工程と、酸化イリジウム層上に、ペロブスカイト型の導電性酸化物からなり、第１電極３３ａの最上層となる酸化物電極層３３２ａを形成する工程と、酸化物電極層３３２ａ上に強誘電体膜３４ａを形成する工程と、強誘電体膜上に第２電極３５ａを形成する工程と、を有する。酸化物電極層を形成する工程は、導電性酸化物の金属成分を含有した有機金属材料と酸素とを供給しかつ化学反応させるとともに、その生成物を成膜する成膜プロセスを含む。成膜プロセスは、供給する有機金属材料を化学反応させるのに必要な量未満の酸素を供給して成膜する低酸素処理と、その後に化学反応させるのに必要な量以上の酸素を供給して成膜する高酸素処理と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材を部分的に発色させたパターンを形成することができる透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】カバーガラス１０は、サファイアガラスからなる透明な基材１１を備えている。基材１１の表面には、基材１１が赤色に発色して形成された発色部１２１と、無色透明な無色部１２２と、により、パターン部１２が形成されている。カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】２層構造のＲｕ下地層において第１の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。上部下地層１５上に、磁性結晶粒１６ａを含んだ磁性層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

【課題】高い疲労強度を維持したままで優れた摩擦特性を付与する表面改質方法と、それにより作製されるパワートレイン系部品を提供する。
【解決手段】第１工程として基材１１に急速高周波焼入れを行い、１．５ｍｍ以下の深さだけ硬化処理が施され、第２工程として、中間層１２と被膜層１３とを順に堆積させる。成膜時の基材温度を４７３Ｋ以下とする。中間層１２として、カーボンターゲットのスパッタリング電力を一定とし、タングステンターゲットのスパッタリング電力を徐々に低下させてＭｅ-ＤＬＣ膜を基材１１に堆積させ、深さが浅くなるに従い硬度が徐々に増加させる。被膜層１３として、Ｗを所定の割合含んだＭｅ−ＤＬＣ膜１３ａとＤＬＣ膜１３ｂとをそれぞれ所定の厚みで交互に繰り返し堆積させ、硬度の異なる膜を互い違いに積層する。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、少なくとも１層は、化学式Ｈｆ_1-ａＡｌ_aＸ_b（ただし、ａ、ｂはそれぞれ原子比を示し、ａは０＜ａ≦０．２０、ｂは０．１＜ｂ＜２である。またＸは硼素、酸素、炭素および窒素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むアルミニウム含有ハフニウム層であり、Ｘ線回折における（１１１）面のピーク強度Ａと（２００）面のピーク強度Ｂとの比Ｂ／Ａが０≦Ｂ／Ａ≦１となる結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中で金属膜１０３を希ガスプラズマに暴露することで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属シリケート膜１０４を形成する第４の工程と、を備える。希ガスプラズマは金属膜１０３を構成する金属原子の原子量に最も近い原子量を有する希ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】製造時或いは経年変化で歪曲する恐れが少ない光学フィルタを簡単な方法で安価に製造することが可能な光学フィルタの成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に回転自在に配置された基板ドラムに基板プレートを装着した基板ホルダをセットする基板セット工程と上記基板ドラムにセットされた基板プレートの表面に、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって膜形成する表面成膜工程と、上記表面成膜工程の後、上記ターゲットにスパッタ電圧を印加しない状態で上記基板ホルダを回転させて上記基板プレートの裏面を上記ターゲットに対向配置する成膜面反転工程と、上記基板プレートの表裏面を反転させた後、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって上記基板プレートの裏面に膜形成する裏面成膜工程とを備え、基板プレートの表裏面に同一バッチでそれぞれ成膜する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタによりシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中での加熱を行うことで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属原子とシリコン原子と酸素原子とを含む金属シリケート膜１０４を形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体１００の製造方法であって、上層の結晶方位を制御する下地層１１８を成膜する下地層成膜工程と、下地層１１８の結晶方位に応じた方向に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子３０６が非磁性物質３０８のマトリックス中に分散するグラニュラ構造の磁気記録層である主記録層１２０を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、下地層成膜工程は、希ガスと多原子分子ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用いるスパッタリング法により、下地層１１８の少なくとも最上層部を成膜する。 （もっと読む）

【課題】圧延膜において、ピンホール部が効果的に封孔された、水素透過効率が高い、ピンホールのない水素分離膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】水素分離膜を製造する製造方法であって、第１金属を圧延して膜１を形成する膜形成工程と、前記膜１に生じたピンホール部２に有機物を主成分とする液状又は顔料を主成分とする粉末状の塗布剤３を塗布する塗布工程と、ピンホール部２に前記塗布剤３を塗布した前記膜１に、第２金属４を蒸着する蒸着工程と、を備えることを特徴とする、水素分離膜製造方法。 （もっと読む）

堆積された金属により、少なくとも部分的にコーテイングされた蒸着装置を提供し、グリットにより蒸着装置をブラスト加工し、堆積された金属の少なくともいくらかを取り除き、吹き付けられたグリット及び取り除かれた金属を形成し、前記吹き付けられたグリットから前記取り除かれた金属のうちの少なくともいくらかを分離して、金属を回収することを含む電子デバイス蒸着装置から金属を回収するための方法が提供される。いくつかの他の態様が提供される。
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【課題】 蒸発させた金属原子の被処理物への供給量が調節でき、簡単な構造を有する真空蒸気処理装置を提供する。
【解決手段】 所定圧力に保持可能な真空チャンバ１２と、この真空チャンバ内に隔絶して設けられた相互に連通する処理容器２及び蒸発容器３と、この処理容器Ｓに被処理物を配置すると共に蒸発容器に金属蒸発材料Ｖを配置した状態で処理容器及び蒸発容器の加熱を可能とする加熱手段６ａ、６ｂとを備える。そして、加熱手段によって処理容器及び蒸発容器をそれぞれ加熱して被処理物を所定温度まで昇温させつつ金属蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した金属原子が処理容器内の被処理物表面に供給されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

金属基材、たとえば、スチール片をコーティングする方法を開示する。この方法は、ここで記載されるように、合金コントロール材料を基材上に蒸着または電着させ、基材を溶融コーティング材料浴に通して、溶着させた合金コントロール材料上にコーティング材料のコーティングを形成することを包含する。
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【課題】
本発明は、経時で安定した表面抵抗値を示すパラジウム金属膜積層フィルムを提供するものである。
【解決手段】
基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、金属膜中に含まれる希ガスの濃度が０．１〜１０ａｔｍ％以下であるパラジウム金属膜積層フィルム。
または、基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、パラジウム金属膜の密度が９．００ｇ／ｃｍ^３以上であるパラジウム金属積層フィルム。
または、基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、成膜直後のパラジウム金属膜のパラジウム面密度Ａと成膜直後のパラジウム金属膜の表面抵抗値Ｂが下記式（１）を満たすパラジウム金属積層フィルム。
Ａ×Ｂ≦７０００×１０^１５ （１） （もっと読む）