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Fターム[4K029BA25]の内容

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Fターム[4K029BA25]に分類される特許

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【課題】多孔質金属板と金属板との間の電気抵抗が小さいろう付けによる多孔質金属板と金属板からなる複合板の製造する方法を提供する。
【解決手段】多孔質金属板と金属板をろう付けして複合板を製造する方法において、前記金属板の表面にろう材をスパッタリングによりスパッタリングろう材層を形成し、ついで、前記多孔質金属板をスパッタリングろう材層を挟んで前記金属板に重ねたのち加熱する。 (もっと読む)


【課題】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度0.001〜10mol/Lのアルカリ水溶液で処理した後、その後20〜40℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属被覆ポリイミド基板を構成するスパッタ層と電気めっき層との密着を均一かつ高強度にするとともに、ピンホールの発生を抑制することができる金属被覆ポリイミド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム表面に形成された金属層表面にスパッタリング法により50〜500nmの厚さを有する銅層を形成した後、該銅層上に電気めっきにより銅被膜を形成してなる基板を、120〜200℃の温度下で熱処理に付すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】書き込み性能と熱揺らぎ耐性とを両立させることが可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】基材1と、基材1の上に形成された下地層12と、下地層12の上に形成され、異方性磁界がHk1で磁化曲線の反転部の傾きがα1である垂直磁気異方性を有する主記録層7と、主記録層7の上又は下に該主記録層7に接して形成され、異方性磁界がHk2で磁化曲線の反転部の傾きがα2である書き込み補助層8とを有し、異方性磁界Hk1、Hk2と傾きα1、α2とが、それぞれHk2<Hk1及びα2>α1を満たすことを特徴とする磁気記録媒体11による。 (もっと読む)


【課題】従来の蒸着用マスクでは、橋梁部と被加工物表面が接触してしまうことにより、どうしても電極膜の一部に電極膜が形成されない切断部が形成されてしまう。このため、完全に繋がった(電極膜により完全に閉じられた電極膜が形成されていない領域を有する)電極膜による特性に比べ、被加工物がセンサ素子などでは所望の感度を得られない、又圧電材などでは振動特性に不具合が発生する可能性がある。
【解決手段】蒸着用マスクにおいて、マスクパターンの外側輪郭部を構成する第1のマスク部と、該マスクパターンの内側輪郭部を構成する第2のマスク部とが、第1のマスク部及び第2のマスク部の厚みより薄く、且つ被加工物表面にマスクを配置した際に、被加工物表面との間に隙間を形成する形態で繋ぐ少なくとも1つの橋梁部により接続されている蒸着用マスクである。 (もっと読む)


【課題】 Alを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にNiを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が99原子%以上のAlからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Niを主成分とする下地層の層厚が5nm以上100nm以下である薄膜配線層である。また、前記Niを主成分とする下地層は、添加元素として(Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Cu、Si、Ge)から選択される1種または2種以上の元素を7〜30原子%含有し、残部が不可避的不純物およびNiからなる薄膜配線層である。 (もっと読む)


【課題】 メッキ密着力、塗膜密着力に優れた表面加工用液晶性ポリエステル樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 特定比率の(I)2−ヒドロキシ−6−ナフトエ酸単位、(II)ジカルボン酸単位、(III)ジオール単位、(IV)4−ヒドロキシ安息香酸単位からなる液晶性ポリエステル樹脂100重量部に対し、平均粒径が10μm 以下で最大粒径が50μm 以下の充填剤を50〜200重量部配合する。
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【課題】 少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガイド板で一つ以上の電子素子を挟持板の挟持孔に導入する。各挟持孔は、電子素子の両端を挟持板から露出させるように電子素子をしっかりと挟持する弾性部材を有する。最後に、半導体製造工程(例えば、スパッタリング法や、蒸着法等)を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 (もっと読む)


ミラーは、表面を有する基板と、基板の表面上に設けられ、基板と反対側の表面を覆って研磨仕上げされた表面を有する薄膜の仕上げ層とを含んでいる。本発明の異なる特徴によれば、ミラーの製造方法は、表面を上に有する基板を設け、薄膜技術を使用して基板の表面上に薄膜仕上げ層を形成し、仕上げ層は基板と反対側の表面に表面を有し、仕上げ層の表面を研磨するステップを含んでいる。
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【課題】 可撓性基材に薄膜を形成してフレキシブルプリント基材とするために、配線の微細化に支障となる接着剤を必要とせずに、製造コストを高めることなく、可撓性基材に高い密着性で薄膜を形成し、更に、得られたフレキシブルプリント基材に皺やカーリング等が生じない製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段と、加熱圧延手段とを順に備え、前記シード層形成手段と、前記薄膜層形成手段とを、前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材を加熱するためのメインローラーの周方向に沿って設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が大きい凹部を持つ被処理体の表面に凝集性の高い金属を用いた場合であっても連続した薄膜を形成すること。
【解決手段】基板を反応容器内に搬入、載置する工程と、反応容器内に第1の金属の化合物を含む原料ガスを供給して基板表面に当該第1の金属の化合物を吸着させる工程と、この第1の金属の化合物を還元性ガスを活性化させた還元用プラズマに接触させて第1の金属層を得る工程と、第1の金属とは異なる少なくとも表面部が第2の金属からなるターゲット電極にスパッタ用プラズマを接触させて叩き出した第2の金属を第1の金属層に注入して合金層を得る工程と、を含み、これらの吸着、還元、合金化の一連の工程を1回以上行う成膜方法を提供する。この方法により第一の金属の凝集力が強い場合でも基板における移動が抑制されて、連続した膜厚の小さい薄膜を形成できる。 (もっと読む)


【課題】
ディスプレイ技術の進展に伴う高負荷の処理条件に対応できる耐候性を備え、しかも、優れた低反射特牲、優れた遮光性、及び優れた加工性を有し、且つ、環境負荷の低いブランクス又はブラックマトリックスを提供する。
【解決手段】
透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜又は遮光膜と反射防止膜から成るブランクス又はブラックマトリックスにおいて、遮光膜は、遮光膜の金属成分をNiとMoとTiを主成分とし、Tiの含有量が10〜25原子%である薄膜でを構成される。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 放電ガスとしてキセノンを用いて、Co2MnAl、Co2MnSi、CoCrAl、NiMnSb、SrLaMnO、PtMnSb、Mn2VAl、Fe2VAl、Co2FeSi、Co2MnGe、Co2FexCr(1-x)Alなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 (もっと読む)


【課題】堆積の際に最も外側の堆積層の酸化を回避する、コールドスプレーを用いて一つまたは複数の堆積層を基体上に形成する方法が提供される。
【解決手段】金属材料を基体(10)上に堆積させる方法は、基体(10)を真空チャンバー(52)内に配置し、スプレーガン(22)ノズル(20)を真空チャンバー(52)のポート(50)内へ挿入し、粉末状金属材料を溶融させずに粉末状金属材料を基体の表面(24)上に堆積させる、ステップを含む。堆積ステップは、衝突の際に粉末状金属材料の粒子が塑性変形しかつ基体(10)の表面(24)に結合するように、真空チャンバー(52)内で粉末状金属材料の粒子を所定の速度に加速することを含む。 (もっと読む)


本発明は、回転可能な基板ペデスタル及び少なくとも1つの移動可能な傾斜ターゲットを有する物理気相堆積(PVD)チャンバに関する。本発明の実施形態によれば、均一性の高い薄膜を堆積させることができる。 (もっと読む)


本発明は、回転可能な基板用ペデスタルを有する物理的気相堆積(PVD)チャンバに関する。本発明の実施形態は、高度に均一な薄膜の堆積を容易にする。更なる実施形態において、一以上のスパッタリングターゲットがペデスタル上方に移動可能に配置される。ペデスタルに対するターゲットの配向は、横方向、垂直方向、又は角度的に調整可能である。一実施形態において、ターゲットは、約0°から約45°の間で、ペデスタルの回転軸に対して調整されてもよい。
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【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】CoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、SiとOとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、記録層中のSi原子含有率が3〜6原子%、O原子含有率が12〜20原子%である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とする。 (もっと読む)


本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第1の磁性層と第2の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第1の磁性層および/または第2の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも1つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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【課題】 カソードアークおよび/または低圧プラズマ溶射(LPPS)コーティング処理を用いてタービンエンジン構成要素を寸法的に修復する方法を提供する。
【解決手段】 金属部品の修復方法であって、この修復方法は、摩耗部分を有する金属部品を提供し、摩耗部分を洗浄して酸化層を除去し、カソードアーク溶着および低圧プラズマ溶射(LPPS)からなる群から選択された処理によって修復合金を施して摩耗部分を覆う。その後熱間静水圧圧縮成型と、拡散熱処理を含んでもよい。 (もっと読む)


本発明は、高純度のNi−Vを含む、スパッタリングターゲットのようなスパッタリング部品を包含する。このスパッタリング部品は全体を通して微細な結晶粒径を有することができ、この場合適例としての微細平均結晶粒径は40ミクロンに等しいか、またはそれより小さい結晶粒径である。本発明は、また、高純度のNi−V構造物を製造する方法も包含する。 (もっと読む)


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