【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを効果的に防止でき、特に、半導体チップ等を搭載させた場合にも、位置合わせや抵抗増加の問題が生じないプリント配線板用基材、銅張積層板およびフレキシブル銅張積層板ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性１２、１３を有する表面に、複数の金属めっき層１６、１７、１８を積層し、かつこれら複数の金属めっき層を、少なくとも表層１８のエッチングレートが基材表面に接触している底層１６よりも小さいプリント配線板用基材１とした。また、プラスチックフィルム１１の導電性を有する表面に、プラスチックフィルムから露出表面に向けて銅よりもエッチングレートの小さい金属を漸次または段階的に多く含有する金属めっき層１６、１７、１８を形成したフレキシブル銅張積層板１とした。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定なシリサイド（ＮｉＳｉ）膜の形成が可能であり、膜の凝集や過剰なシリサイド化が起り難く、またスパッタ膜の形成に際してパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティも良好であり、さらにターゲットへの塑性加工性に富む、特にゲート電極材料（薄膜）の製造に有用なニッケル合金スパッタリングターゲット及び該ターゲットにより形成されたニッケルシリサイド膜を提供する。
【解決手段】白金を２２〜４６ｗｔ％、イリジウム、パラジウム、ルテニウムから選択した１成分以上を５〜５０ｗｔｐｐｍ含有し、残部がニッケル及び不可避的不純物からなることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー１、回転可能な基板支持テーブル２で、基板支持テーブル２の平面に直角な、少なくとも一つの軸を中心に基板支持テーブルを回転させるための手段、真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲット５で、かつ複数のターゲットの一つに対して基板支持テーブルの位置を変更するための手段は、使用に際して、基板支持テーブル上に置かれた基板は、複数個のターゲット５の少なくとも一つからスパッタリングされた膜を有していても良く、その後、基板支持テーブルの位置の変更の後に、その上に、複数個のターゲットの少なくとも他の一つからスパッタリングされた別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、とから構成されている真空スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】下地金属層と該下地金属層上に積層された銅被膜層とからなる金属層とフィルムとの初期密着力、耐熱密着力等の密着力が高く、必要に応じてフィルム厚さも含めた基板全体の厚さを薄くすることができる金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート系フィルムの少なくとも片側の表面上に、金属層を有する金属被覆ポリエチレンナフタレート基板であって、下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。
（１）前記ポリエチレンナフタレート系フィルムの下地金属層が接する表面は、その中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜４ｎｍである。
（２）前記下地金属層は、乾式めっき法により形成されたクロム、バナジウム、チタン及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するニッケル合金を主成分として含み、かつその膜厚が３〜５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムの厚さにかかわらず高い生産性で成膜できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１０には、キャンロール２０の外周面２０ａと樹脂フィルムＦの裏面Ｆｒとの隙間Ｓに液体Ｌを供給する液体供給機構３０と、外周面２０ａから液体Ｌを除去する液体除去機構４０とが備えられている。液体供給機構３０には、キャンロール２０の外周面２０ａに接触して液体Ｌを付着させる付着ロール３２と、付着ロール３２に液体Ｌを供給する液体供給ポンプ３４とが備えられている。液体除去機構４０には、キャンロール２０の外周面２０ａに接触して液体Ｌを吸い取る吸取ロール４２と、この吸取ロール４２に吸い取られた液体Ｌを吸取ロール４２から吸引する真空ポンプ４４が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｎｉ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｆｅ：Ｎｉのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】摺動摩擦によるキズがつきにくく、かつ平坦な透過率分光特性が再現性良く得られ、しかも量産性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】基板１と、金属膜と誘電体膜が交互に積層された、透過光量を減衰させる光学多層膜層１０と、該光学多層膜層の上に形成された保護膜層２０とからなる吸収型多層膜ＮＤフィルターにおいて、光学多層膜層の金属膜が、ニッケルを主成分とし、好ましくは、チタン、アルミニウム、バナジウム、タングステン、タンタル、シリコンから選択された１種類以上の元素を添加したニッケル系合金材料からなる金属膜であり、光学多層膜層の誘電体膜が酸化シリコン若しくは酸化アルミニウムからなる誘電体膜であるとともに、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】形状記憶合金のエッチング特性を飛躍的に向上させることができる形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜を提供する。
【解決手段】構成元素及びガス成分を除いた不純物成分が1000wtppm以下である高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。Ni-Ti系の形状記憶合金及び同ターゲットにおいて、AlおよびSnの含有量がそれぞれ100wtppm以下、Cu-Al系の形状記憶合金および同ターゲットにおいて、Ag、S及びClの含有量がそれぞれ50wtppm以下、Fe-Mn系の形状記憶合金および同ターゲットにおいてAlおよびCrの含有量がそれぞれ100wtppm以下、である同高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内の基板８に、マグネトロンスパッタリングにより磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するカソード２を、前記ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係とすると共に、前記基板８を回転するための第１回転機構、前記カソード２の背後に位置するマグネット２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための第２回転駆動手段を有し、前記第１回転機構による前記基板８の回転の下及び第２回転機構による前記磁界発生装置７の回転の下で、前記基板８の上に磁性膜を成膜するように構成したマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】平滑性と光沢性を両立すると共に、金型離型性に優れ、耐熱性が良好で、高温環境下における加熱曇りを抑制した成形品を成形できる熱可塑性樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこれを用いて成形された光反射体用部品、および当該光反射体用部品に光反射金属層が直接形成された光反射体を提供する
【解決手段】（Ａ）熱可塑性ポリエステル樹脂１００質量部に対して、（Ｂ）脂肪酸エステルを０．０５〜３質量部含有する熱可塑性樹脂組成物であって、当該熱可塑性樹脂組成物の脂肪酸含有量が５０ｐｐｍ以下である熱可塑性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】金属箔とキャリアの間に実質的に離型層を有しない、耐熱性に優れたピーラブル金属箔を提供する。
【解決手段】金属製キャリアの少なくとも片面に金属箔が積層されてなるピーラブル金属箔において、金属箔は、金属製キャリアとの界面に蒸着された金属層（I）と、金属層（I）上に蒸着または電気めっきにより形成された１層以上の金属層（II）とからなる積層構造を有していることを特徴とするピーラブル金属箔。金属層（I）および（II）が、それぞれ、銅、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、チタン、スズ、白金、銀、金もしくはこれらを含む合金から選ばれることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルをバリア層として形成することなく、Ｓｉ膜またはＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。アルミニウム合金膜は、高融点メタルをバリア層として形成することなく、シリコンを主成分とする膜と直接接続して、良好なコンタクト特性を有する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】 投入電力を大きくした場合にも、ボンディング材や熱伝導性薄膜部材の溶着を防ぎ、スパッタリングターゲットに亀裂や割れを生じることがなく、しわ等のない膜を効率よく成膜できるスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置の真空チャンバー内に配置され、冷媒によりスパッタリングターゲット部を冷却する冷却機構を備えるスパッタリングカソードであって、冷却機構の冷却板３とスパッタリングターゲット１とが両者間の外周部に配置したシール部材７ａによって真空チャンバー側と気密に封止され、冷却板３とスパッタリングターゲット１との気密封止された間隙部にガスを封入するため、真空チャンバー外からガスを導入するガス導入管８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】未成膜部分を残し複数の吸収型多層膜が長尺状樹脂フィルム基材に設けられた長尺状ＮＤフィルターをロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】長尺状マスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材の少なくとも片面に貼付し、長尺状マスキングフィルムに設けられた複数の開口部から露出する部位を除いて長尺状樹脂フィルム基材を遮蔽する貼付工程と、長尺状マスキングフィルムが貼付された長尺状樹脂フィルム基材の上記開口部から露出する部位にロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて吸収型多層膜を形成する成膜工程の各工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）