【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。
【解決手段】２５．０≦Ｃｕ≦４５．０ｍａｓｓ％、及び、１．０≦(Ｃｏ、Ｍｏ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。５．０≦Ｃｕ≦２５．０ｍａｓｓ％、及び、０≦(Ｆｅ、Ｍｎ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造コストが良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＶとを含むＮｉ−Ｖ合金層及びＣｒ層で構成され、前記Ｃｒ層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、前記Ｎｉ−Ｖ合金層にはＮｉ及びＶの合計が２０〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量でそれぞれ存在し、前記Ｎｉ−Ｖ合金層中にＶが３〜７０重量％存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造効率の良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＣｒとを含むＮｉ−Ｃｒ合金層及びＣｒ層で構成され、Ｃｒの合計付着量が１８〜２５０μｇ／ｄｍ²、Ｎｉの付着量が１８〜４５０μｇ／ｄｍ²であるプリント配線板用銅箔 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）

【課題】基板の反りが起こり難く、量産性に優れ、波長に対し平坦な透過率減衰が得られる吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等から成る誘電体層14、17とＮｉ系合金から成る金属膜層15、18とを交互に積層させた吸収型多層膜13、16がフィルム基板12に設けられた吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法であって、基板を中心にして互いに対称な膜構造となるように上記吸収型多層膜をそれぞれ形成して、基板の反りの曲率半径が５００ｍｍ以上になるように調整すると共に、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉから選択された元素が所定範囲で添加されたＮｉ系材料ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により上記金属膜層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。
【解決手段】ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒから選択した１種の金属層又はこれら２種以上の金属からなる合金層を形成し、さらにこの金属層又は合金層の上にスパッタリング又はメッキにより銅層を形成した２層銅張積層板であって、さらにこの銅層の上に、Ｃｒ及び／又はＣｒ酸化物からなる層を備えていることを特徴とする２層銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】 大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｎｉ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｃｏ_Ｙ）_{１００−Ｚ}−Ｍ_Ｚ、２５≦Ｘ≦３５、１０≦Ｙ≦９０、５≦Ｚ≦２０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、少なくとも平均粒径が３５μｍを超えるＦｅ−２５〜３５原子％Ｎｉ合金を原料粉末に用いて前記組成式を満たすように他の粉末と混合した混合粉末を加圧焼結して焼結体を得るＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

開示されるのは、電気化学的バイオセンサー用電極ストリップであり、そのものはポリマー材料を含む非導電性基材上にニッケル含有金属層を形成し、その上に炭素層を形成し、更にパターン化を行うことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、装置の大幅な改造を必要とせずに、所望の物理量を高精度かつ均一に有する薄膜の製造を可能にする薄膜の膜厚制御装置を提供することである。
【解決手段】成膜装置において、成膜中の薄膜の物理量を測定する物理量測定素子と、前記薄膜の物理量と所望の物理量とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて成膜条件及び／または成膜時間を制御する制御部とを備えることを特徴とする。これにより、所望の物理量を有する薄膜の製造において、所望の物理量を膜内に均一に有する薄膜の製造を可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】配向性改善による媒体特性の向上を図るとともに媒体の保磁力の向上を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも、非晶質の軟磁性層と、下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層の上に、あるいは、該軟磁性層の上に形成した非晶質のシード層の上に、結晶性のシード層を、まずバイアスを印加せずに成膜し、引き続いてバイアスを印加しながら成膜する多段階成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】シールド板、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、交換後のシールド板に対する脱ガス処理に要する時間を短縮可能とすることを目的とする。
【解決手段】成膜装置内に交換可能に取り付けられると共に、成膜装置内で飛散する成膜材料が堆積される堆積面を有するシールド板を、一対の相対向する表面のうちの一方が堆積面を形成する板状部材と、板状部材に一体的に設けられたヒータと、ヒータと電気的に接続された端子を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に化合物半導体層を成長させて作製する半導体装置において、光取り出し効率の高い半導体装置を作製できるサファイア基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の面に複数の凸起２，２，…をランダム配置で形成し、その面上にＧａＮ層１０を成長させた。さらにその上に、多重量子井戸層１２，ｐ−ＡｌＧａＮ層１４，ｐ−ＧａＮ層１６、ＩＴＯ層１８を形成し、２つの電極２１，２２も形成して半導体発光素子を作製した。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのバーナー（２）を含む火炎処理装置に沿って移動するガラス基材（１）上に堆積された少なくとも１つの薄膜を火炎熱処理するための方法であり、この処理が少なくとも１つの薄膜の結晶化率を増大させ及び／又は少なくとも１つの薄膜内の微結晶サイズを増大させるのに適している方法であって、最大の一時的な曲げ「ｂ」が１５０ｍｍ未満でかつ以下の条件、すなわち、ｂ≦０．９×ｄを満たし、式中、曲げ「ｂ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）と、バーナー（２）の先端（６）を通りかつ加熱されない基材の平面（Ｐ１）に平行な平面（Ｐ２）に最も近い基材の点との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、「ｄ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）とバーナー（２）の先端（６）との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、移動方向（５）に垂直な方向での基材の幅「Ｌ」が１．１ｍ以上であることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】電波透過性および鏡面のような金属調光沢を有し、該金属調光沢が失われにくく、かつ低コストである電波透過性装飾部材および該電波透過性装飾部材を効率よく、安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基体１２と、透明有機材料層１６と、基体１２と透明有機材料層１６との間に設けられた、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなる光反射層１４とを有する電波透過性装飾部材１；光反射層１４を、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなるターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成する製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ロール・ツー・ロール真空成膜装置内のロールに付着している異物を除去する簡単且つ有効な清掃方法、並びに、これにより金属層の微小な凹凸欠陥の発生を削減することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも長尺樹脂フィルムＦの幅と同じ幅を有し且つ貼り剥がし可能な長尺粘着シートを、真空成膜室１の内部に設けたキャンロール６などの各ロールに沿って搬送させ、各ロールに付着している異物を除去する。その後、長尺樹脂フィルムＦを清掃済の各ロールに沿って搬送させ、長尺樹脂フィルムＦの表面に金属薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属層の引張り応力の増大による不具合を防止することが可能な銅蒸着基材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅蒸着基材１００は、絶縁層１上に、密着強化層３を介して銅からなる金属層２が形成された構成を有する。金属層２は、真空蒸着によって形成され、複数の銅粒子により構成される。金属層２を構成する全ての銅粒子の表面積の合計に対して、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒径を有する銅粒子の表面積の合計の比率は、７％以上である。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置において、記録層をパターニングする際に記録層を形成する磁性粒子の体積の局所的減少を抑えて熱揺らぎの影響を受けにくくすることを目的とする。
【解決手段】非磁性母体の中に磁性粒子を分散させたグラニュラ構造を有する記録層と、記録層に形成されたパターンの凹部に埋め込まれた非磁性体を備え、磁性粒子は記録層の上部領域内の直径が記録層の下部領域内の直径より大きい逆円錐台形状を有するように構成する。 （もっと読む）