【課題】マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が長方形の角型ターゲット７に形成されたエロージョン領域（部）の２本の直線状部１１のうち幅方向（Ｗ方向）の外側部分Ａを覆う外側遮蔽部Ａと、円弧状部１３の円弧方向中央部Ｂを覆う中央遮蔽部Ｂと、角型ターゲット７のうちエロージョン部ではない四隅部分Ｃを覆う四隅遮蔽部Ｃとを備えた補正板２８を使用する。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】安定した特性と高い強度を確保して振動子の振動特性を調整する。
【解決手段】本発明に係る振動型ジャイロセンサは、一方の面に圧電膜、駆動電極、一対の検出電極、及び配線接続端子が形成された振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装されるランドが形成された支持基板とを備える。前記振動型ジャイロセンサ素子は片持ち梁状の振動子部を有し、前記一方の面側を前記支持基板側に向けて実装されているとともに、前記一方の面以外の領域を、前記振動子部の振動特性調整用の凹部が形成された被加工領域としている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑える。
【解決手段】ＺｎＯにＡｌ₂Ｏ₃を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ₂Ｏ₃を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系またはＧＺＯ系の酸化物ターゲットであって、表面１０ａが、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定され、この非エロージョン領域２１が、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域２１ａと、第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域２１ｂとに設定されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着時の蒸着対象物の温度を正確かつ精密に取得することのできる蒸着温度計測装置、及びこれを用いた蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】受熱量に応じた検出信号を出力する温感素子と、温感素子からの出力信号を記録する記憶部と、を含む電子温度センサと、蒸着面に貫通孔の設けられた基板と、を備え、基板の貫通孔内に電子温度センサを配設した蒸着温度計測装置とする。また、この蒸着温度計測装置をコートドームに配設した蒸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。
【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板１は、ＰＭＭＡ基板１０と、ＰＭＭＡ基板１０の裏面に形成される反射膜層３０と、を有する。反射膜層３０は、ＰＭＭＡ基板１０表面に形成されてなる金属反射膜（Ｓｎ膜３１）と、Ｓｎ膜３１を覆うように形成される保護膜（ＳｉＯ膜３２）と、からなる。Ｓｎ膜３１の表面には、ＳｎＯ₂を主たる成分とする酸化Ｓｎ層３３が形成されている。また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】表面に写る反射像が不鮮明に見える現象が抑制され、良好な外観を有する合わせガラスを得ることができる赤外線反射フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂フィルム２上に赤外線反射膜３を構成する複数の構成膜のうち最初に成膜される１つの構成膜３（１）を０．５０Ｐａ以上の圧力下で真空成膜する工程と、前記最初の構成膜が成膜された透明樹脂フィルムを１．０×１０^−３Ｐａ以下の高真空下で３０秒以上保持する工程と、前記高真空下での保持が行われた透明樹脂フィルム２に前記複数の構成膜の残りの構成膜３（２）〜３（Ｎ）を真空成膜して赤外線反射フィルム１とする工程とを有する赤外線反射フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタにおける強誘電体層の結晶配向度を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、下部電極層４１上にバッファ層４４を形成する工程と、バッファ層４４に対して、１００体積％の濃度よりも低い酸素濃度の雰囲気下で且つ第１の温度で第１の熱処理を行った後、第１の温度よりも高い第２の温度で第２の熱処理を行う工程と、バッファ層４４上に誘電体層４２を形成する工程と、誘電体層４２上に上部電極層４３を形成する工程と、誘電体層４２を熱処理して結晶化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のプラズマ状態が変化することを抑制して、テープ状の配向金属基板上に、長時間、安定した特性のセラミックス層を形成することができ、より長尺の酸化物超電導薄膜線材を製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１の巻出しリールから巻出されて第１の巻取りリールに送られるテープ状の配向金属基板をスパッタ装置内に搬送すると共に、第２の巻出しリールから巻出されて第２の巻取りリールに送られるアノード用金属テープをスパッタ装置内に搬送し、スパッタ装置内で、配向金属基板にセラミックス層を形成する酸化物超電導薄膜線材のセラミックス層形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐傷性、耐腐食性に優れ、かつ高級感のある硬質装飾部材を提供することにある。
【解決手段】本発明の硬質装飾部材は基材上に密着効果の高い密着層と、反応ガス含有量が傾斜的に増加した傾斜密着層と、複数の異なる種類の薄膜硬化層が積層された薄膜複合構造を有する耐磨耗層と、反応ガス含有量が傾斜的に減少した色上げ傾斜層からなることを特徴とする。基材と膜間および積層される膜同士間の密着性が著しく向上することで耐傷性が向上すると共に、密着性が高いことから耐磨耗層を厚く形成でき、さらに耐磨耗層を薄膜複合構造にすることで膜硬度が上昇し耐傷性が著しく向上する。また耐磨耗層を薄膜複合構造にする事で光の散乱増加を抑止し、さらに色上げ傾斜層を形成することにより、輝度が高く高級感のある硬質装飾部材を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ膜の成膜等において、成膜速度を向上し成膜速度の制御性を向上する方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ蒸着材を製造する方法において、純度が９８．０％以上のＭｇＯ粉末を電融し、徐冷してインゴットを作成した後解砕により所定の大きさのペレットを製造し、その後、該ペレットの表面を研磨してその表面粗さＲａを１．０μｍ〜１０μｍの範囲に設定することを特徴とするＭｇＯ蒸着材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電特性の良い非鉛材料薄膜を実現するために、結晶配向性に優れた（Ｎａ，Ｂｉ）ＴｉＯ₃−ＢａＴｉＯ₃薄膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１２上の（１１１）面方位である電極膜１３上に形成された、
ペロブスカイト型複合酸化物（Ｎａ，Ｂｉ）ＴｉＯ₃−ＢａＴｉＯ₃圧電体層１５において、電極膜１３との界面に隣接して、（１１１）面方位である（Ｎａ_xＢｉ_0.5）ＴｉＯ_0.5x+2.75−ＢａＴｉＯ₃（０．２９≦ｘ≦０．４）界面膜１４を設けている。本発明による（Ｎａ，Ｂｉ）ＴｉＯ₃−ＢａＴｉＯ₃圧電体層１５は、（１１１）面方位にのみに強く結晶配向することで優れた圧電特性を示し、鉛を含まない元素による圧電体薄膜を提供することができ、インクジェットヘッド、角速度センサ、圧電発電素子等への応用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕの付着量を低減しつつ、Ａｕを含む層をステンレス上に強固かつ均一に形成させることができ、さらに導電性、耐食性及び耐摩耗性を向上させた表面処理ステンレス鋼材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材２の表面にＡｕとＣｒとを含む表面層６が形成され、表面層とステンレス鋼基材との間に、Ｃｒを２０原子％以上含み、Ｏを２０原子％以上５０原子％未満含む中間層２ａが１ｎｍ以上存在し、Ａｕの付着量が４０００ｎｇ／ｃｍ^２以上７００００ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、表面層と中間層の合計厚みに対し、Ｃｒを２０原子％以上含む厚み部分が３０％以上を占める表面処理ステンレス鋼材料である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒ_２Ｏ_３を含有した酸化物スパッタリングターゲットであっても、防着板からのｄｅｐｏ膜の剥がれ落ちを抑制可能な酸化物スパッタリングターゲットおよびこれを用いて成膜された光記録媒体用酸化物膜を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することもできる。 （もっと読む）