【課題】スプラッシュ現象の発生が抑制できる金属珪素と珪素酸化物を含有する蒸着用材料と、それを用いて蒸着したガスバリア性蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】珪素酸化物と金属珪素とを混合させた加熱方式の蒸着用材料であって、珪素と酸素の原子数の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０〜１．７０であり、嵩密度が０．９〜１．１ｇ／ｃｍ^３の範囲であり、かつ、前記珪素酸化物が結晶構造を少なくとも２０％以上含んでいる二酸化珪素とする。また、それを用いて蒸着する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い有機材料製の基材表面にアモルファス構造と層状結晶構造とが混在する微結晶性五酸化バナジウムたる電極活物質層を薄膜化して形成でき、薄膜リチウム二次電池に適用したときに高い電池性能が得られる生産性の良いリチウム二次電池用の電極活物質層の形成方法を提供する。
【解決手段】バナジウム含有のターゲット２を備えた処理室１１内に基材Ｗを配置し、処理室を所定圧力まで真空引きすると共に、基材を、加熱または冷却して当該基材の耐熱温度以下の所定温度に保持し、処理室内に希ガスと酸素ガスとを所定分圧で導入し、ターゲットに所定電力を投入して処理室内にプラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングし、電極活物質層たるバナジウム酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
光学薄膜の成膜において、膜厚、屈折率が設計値からずれた場合でも、最終的に得られる光学性能が目的とする光学性能に近づけることができる技術を提供する。
【解決手段】
光学的膜厚がλ／４以上の層で光量の極値が判明した時点で、それ以前に成膜した光学的膜厚がλ／４以下の薄い層の屈折率と膜厚を推定し、最適化手法を用いて成膜中の層および成膜中の層以降の層の膜厚を補正することによって目的とする光学性能を得る。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜中のパーティクルを正確に検出することができ、そのパーティクル発生量の変動に合わせた適切なプロセス管理によって、膜中に含まれるパーティクルを管理することができるアークイオンプレーティングを用いた成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】真空炉１本体に通じる開口部５１を一端部に備え、他端部を閉塞した筒体５と、筒体５の他端部に取り付けられたパーティクル検出手段６とを備え、筒体５は、その軸芯の延長線上にターゲット表面の一部が位置するように配置され、開口部５１の最小開口径Ｄに対する基準点６０と開口部５１との間の距離Ｌの比率が１２以上３０以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させずに良好な安定性、耐久性を得ることができ、また良好な光学特性を得ることができる日射調整フィルム。
【解決手段】日射調整フィルム１は、ポリエステルフィルム２の一方の主面にハードコート層３を有し、他方の主面に日射反射積層膜４を有する。日射反射積層膜４は、ポリエステルフィルム２側から順に、第１の亜鉛酸化物層４１、第１の銀合金層４２、第２の亜鉛酸化物層４３、第２の銀合金層４４、第３の亜鉛酸化物層４５が積層されてなるものである。第１〜第３の亜鉛酸化物層４１、４３、４５は、亜鉛および亜鉛以外の金属元素の酸化物からなり、これら亜鉛と亜鉛以外の金属元素とにおいて亜鉛が主たる酸化物構成元素となるものであり、第１〜第２の銀合金層４２、４４は、パラジウムおよび金から選ばれる少なくとも１種の金属を含有する銀合金からなるものである。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易で、複数の面に膜を簡便に形成することが可能な光学部品を提供する。
【解決手段】光学部品１は枠体２を有する。枠体２の内側には、複数の光学機能部５が向きを揃えて互いに所定間隔の距離をおいて配列されている。各光学機能部５の両端部にはそれぞれツバ部６が設けられている。ツバ部６において光学機能部５とは反対側に、連結部７が設けられている。連結部７の一方の端部はツバ部６に接続され、他方の端部は枠体２に接続されている。これにより、連結部７は、ツバ部６と枠体２とを連結する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反射率と良好な耐久性とを同時に実現せしめることが可能な反射積層膜を提供することを課題とした。
【解決手段】基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にＡｇを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がＮを含むものであり、前記透明増反射層がＳｉの酸窒化物層を含む積層体であり、該積層体はＳｉの酸窒化物層を含む低屈折率層と高屈折率層とを含むものであることを特徴とする反射積層膜。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＭｇＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌの酸化物とＭｇの酸化物とＧａの酸化物とＺｎの酸化物とを、金属成分元素の含有割合が、Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｍｇ：５〜３０原子％、Ｇａ：０．０１〜０．１５原子％、残部：Ｚｎからなるように配合し、前記酸化物を粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、前記混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性およびその耐久性の良好な第１の層を含む光学物品を提供する。
【解決手段】光学物品は、光学基材と、光学基材の上に直にまたは他の層を介して形成された、ＴｉＯｘ（０＜ｘ≦２）を含む透光性の第１の層とを有する。この光学物品においては、第１の層の表層域のアルゴン濃度は第１の層の深部のアルゴン濃度よりも高い。この光学物品の一例は、第１の層を表面から深さ方向に二次イオン質量分析した際のスペクトルにおいてアルゴンのピークが表層域にあるものである。この光学物品は、たとえば、眼鏡レンズに好適である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるインジウム含有量が低減されたターゲット、このターゲットを用いて作製した透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物及びＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット；その製造方法、透明導電膜及び透明電極。 （もっと読む）

【課題】 下層との密着性の優れた防汚層を形成するための成膜方法を提供することにある。
【解決手段】 被処理基板上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、酸素原子（Ｏ）を含有するプラズマ生成ガス雰囲気中で生成したプラズマに被処理基板を曝し、次いで前記有機層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを有効使用できるとともに、成膜領域の温度の変動を抑え、均一な膜質及び特性の薄膜を安定して成膜することのできる成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】本発明の成膜装置２０は、レーザ光Ｌによってターゲット３１から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を基材２５上に堆積させ、基材２５上に薄膜を形成する成膜装置２０であって、基材２５に対向するように配されたターゲット３１と、ターゲット３１の外周面を取り囲んで設けられたターゲット保持部材３２と、ターゲット３１にレーザ光Ｌを照射するレーザ光発光手段２８とを少なくとも備え、ターゲット保持部材３２が、熱伝導率４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、融点２０００℃以上の材料より形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性フィルム上に導電性酸化物とカーボン薄膜層をこの順に形成することにより、導電性およびバリア性の両立が可能となり、さらには長期使用による性能の劣化を抑制するなどといった長期耐久性に優れた、導電性バリアフィルムを作製することが可能となる。
【解決手段】導電性フィルム上の少なくとも１面に、導電性酸化物層とカーボン薄膜層がこの順に形成されていることを特徴とする、導電性バリアフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Ａは、クロムを含む金属基材２０と、前記クロムを含む金属基材２０内表面側に形成された厚さ５〜１０００ｎｍの酸化クロム層２５と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層２３とをこの順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子素子へ容易に適用が可能な状態で、キャリアがドープされたカーボンナノチューブが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）