【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第１酸化物粉末がＭｇＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＣａＯ及びＺｎＯの混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物とのモル比が５〜９０：９５〜１０であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質及び特性の薄膜を、良好な生産性で成膜可能な成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、レーザー光Ｌによってターゲット７から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を基材２５の表面上に堆積させ、基材２５上に薄膜を形成する装置であって、送出装置１３と巻取装置１４との間に長手方向に沿って移動する基材２５を保持する基材ホルダ１２を配置し、基材ホルダ１２に接した状態にある基材２５の表面と対向するようにターゲット７を配置するとともに、ターゲット６と基材ホルダ１２の間に、基材２５とヒーター８との距離ＳＨ＝０．５５ＴＳ〜０．８５ＴＳ、基材ホルダ１２の中心線とヒーター８との最短距離ＰＨ＝０．３５ＴＳ〜０．５５ＴＳを満たすようにヒーター８を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット（２９ａ，２９ｂ）をスパッタして回転ドラム（１３）に保持され回転する基板（Ｓ）及びモニタ基板（Ｓ０）に、第１薄膜であるＡ膜を目標膜厚Ｔ１で形成した後、Ａ膜の形成に使用したターゲット（２９ａ，２９ｂ）をさらにスパッタし、Ａ膜と同一組成の別薄膜である第２薄膜であるＣ膜を目標膜厚Ｔ３で形成するための方法であって、膜厚監視工程Ｓ４，Ｓ５と、停止工程Ｓ７と、実時間取得工程Ｓ８と、実速度算出工程Ｓ９と、必要時間算出工程Ｓ２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気バリア性能に優れ、クラック発生が抑制された反射防止膜を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともＳｉＯ_ｘを含有する層を含む低屈折率層と、高屈折率層とを有する反射防止膜において、ＳｉＯ_ｘを含有する層の少なくとも１層をイオンアシスト法により蒸着成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 焼結体表面の平滑性に優れ、スムーズな供給を可能とする、酸化マグネシウム焼結体からなる、プラズマディスプレイの保護膜用蒸着材を提供することである。
【解決手段】 酸化カルシウムを２〜５０質量％含み、かつ相対密度が９５％以上である酸化マグネシウム焼結体からなるプラズマディスプレイの保護膜用蒸着材であって、
酸化マグネシウム焼結体が、ＢＥＴ比表面積が５ｍ^２／ｇ以上、レーザ回折散乱式粒度分布測定による体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ_５０）が０．1〜０．５μｍ、レーザ回折散乱式粒度分布測定による体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ_１０）と体積基準の累積９０％粒子径（Ｄ_９０）との比Ｄ_９０／Ｄ_１０が１０以下である、純度９９．５質量％以上の酸化マグネシウム微粒子を原料とする、プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段、反応手段３０及びイオンガン１１を稼働させながら、基板４を成膜手段と反応手段とイオンガンに対向するように移動させ、成膜手段による成膜、反応手段による反応及びイオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングにより積層した薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】非晶質基材上に結晶性で配向性の良いＬａＮｉＯ_３、Ｌａ_２ＮｉＯ_４、ＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けた基体を得ることを目的とする。
【解決手段】非晶質基材上にＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層を第一の温度で製膜した後、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層の上に前記Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層を前記第一の温度より高い第二の温度条件で製膜し、Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第２層がＬａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の第１層より結晶配向性が高いことを特徴とする非晶質基材上に結晶質Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料層を形成する方法。Ｌａ−Ｎｉ−Ｏ系材料の上にＳｒＲｕＯ_３などの導電性酸化物層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができ、且つ、大気中でも短時間で透明導電層の結晶化を実現する。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＡＳ耐性を長期間に亘って安定して維持する。
【解決手段】耐熱合金製の母材２１と、多数の気孔２３ａが形成され、母材２１を被覆する多孔質セラミックス層２３と、を備える耐高温部材１０であって、多孔質セラミックス層２３のうち少なくとも表面側には、複合酸化物２６が含浸した複合酸化物含浸部２５を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が、汎用のＡｇ基合金膜と酸化物導電膜との積層構造の仕事関数と同程度に高い、新規なＡｌ基合金反射膜を備えた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって、反射アノード電極は、純Ａｌ膜またはＡｌ合金膜６と、Ａｌ合金膜上に直接接触する酸化物導電膜７との積層構造であり、酸化物導電膜がＡｇを０．１〜５原子％含有する。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）と、２価のＸイオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＣｕ、Ｚｎ、及びＦｅから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなる酸化物焼結体であって、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）、及び２価のＸイオン（Ｘ²⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦（Ｉｎ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．８、０．１≦（Ｆｅ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５、及び０．１≦（Ｘ²⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５を満たす酸化物焼結体及びこれと同一組成をもつ酸化物半導体薄膜。 （もっと読む）