【課題】多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法を提供する。
【解決手段】物品上に複数の層を形成する方法は、陰極と陽極との間でアークを形成することによりプラズマを発生させる段階と、有機化合物からなる第一の材料をプラズマ中に注入して物品上に第一の層を堆積させる段階と、有機金属物質からなる第二の材料をプラズマ中に注入して第一の層の上に第二の層を形成する段階と、ケイ素含有有機化合物からなる第三の材料をプラズマ中に注入して第二の層の上に第三の層を堆積させる段階とからなる。また、基材１１０と、基材上に配置された中間層１２０と、中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、第二の層上に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層とからなる製品にも関する。中間層を重合有機ケイ素物質又は重合炭化水素物質、第二の層を金属酸化物又は硫化亜鉛、第三の層を酸化した有機ケイ素物質とする。 （もっと読む）

【課題】一度に多数の基板に蒸着膜を形成する場合においても、個々の基板に蒸着斑が生じず、安定した反射特性を有する基板を製造できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板６を支持する基板支持部材２と、基板支持部材２に支持された基板６の被蒸着面上に所望の蒸着材料を飛散させる蒸着源４であって、各基板６の被蒸着面の周縁に対する蒸着源４からの角度が、被蒸着面全周に渡ってほぼ同一となるように配置された蒸着源４を有して構成される。各基板６の被蒸着面の周縁に対する蒸着源４からの角度が、被蒸着面全周に渡ってほぼ同一とされるため、蒸着源４から飛散する蒸着材料の蒸着角が、各基板６の被蒸着面周縁において同一となる。このため、各基板６の周縁において、均質に蒸着材料が被着し、均一な膜厚の蒸着膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基材上に薄膜を形成する方法において、真空チャンバー内にＳｉターゲットを設置する工程、該真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後の該真空チャンバー内に反応性ガスとしてＮ_２及びＣＯ_２を含有するスパッタガスを導入する工程、を有し、（ＣＯ２流量／全スパッタガス流量）で表される流量比を制御することにより薄膜の屈折率を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ土類金属フッ化物およびアルカリ金属フッ化物層の上に、接着性が強く、拭き取る動作に安定性があり、水および汚れをはじく層を製造させる方法および組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、最外層としてアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物の層を有するか、またはアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物からなる光学的基材上に、高真空中でのポリフルオロカーボンを用いる熱蒸着により、疎水性層を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。
【解決手段】 基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】パーティクルやノジュールを低減し、量産性を向上した硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】硫酸根量（ＳＯ_４）が０．０５〜０．３５ｗｔ％の硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径を各Ａμｍ、Ｂμｍとし、ケイ酸化物の混合比をＭｍｏｌ％とし、０．１μｍ＜Ａ＜１０μｍ、０．５μｍ＜Ｂ＜１５μｍ、１５ｍｏｌ％≦Ｍの範囲で、１．４≦Ｂ／Ａを満たし、かつ比表面積が各Ｃｍ^２／ｇ、Ｄｍ^２／ｇであり、ケイ酸化物の混合比をＭｍｏｌ％とし、５ｍ^２／ｇ≦Ｃ≦４０ｍ^２／ｇ、０．５ｍ^２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ^２／ｇ、１５ｍｏｌ％≦Ｍの範囲で、３．５≦Ｃ／Ｄを満たし、さらに粒径Ａ換算比表面積をＥｍ^２／ｇとしたとき１５≦Ｃ／Ｅであり、粒径Ｂ換算比表面積をＦｍ^２／ｇとしたときＤ／Ｆ≦５である硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉を均一混合分散した粉体を用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理を施すことによってガラス基板の一方の面全域に所定の薄膜を形成するに際し、ガラス基板の他方の面に余剰薄膜が形成されるのを可及的に防止する。
【解決手段】一方の面である表面１ａ全域に、紫外線遮断膜７が形成されたガラス基板１を製造するための方法である。成膜処理、例えばスパッタリングによって紫外線遮断膜７を形成する際、ガラス基板１の裏面１ｂを、該裏面１ｂ全域を覆う支持ガラス基板１７の支持面１８に対して剥離可能に直接接着させる。これにより、成膜処理中にはガラス基板１を安定的に支持することができて高精度の紫外線遮断膜７を形成することができる一方で、成膜処理後にはガラス基板１を支持ガラス基板１７から容易に取り外すことができる。しかも、成膜処理に伴って、ガラス基板１の裏面１ｂに余剰薄膜が形成されることもない。 （もっと読む）

【課題】非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてＧａ、ＩｎおよびＯからなり、Ｇａを全金属原子に対して４９．１原子％以上６５原子％以下含有し、主としてβ−ＧａＩｎＯ₃相とＩｎ₂Ｏ₃相から構成され、Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）Ｘ線回折ピーク強度比が１５％以下であり、さらに密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティング法を用いた成膜、特に酸化物膜の成膜において、膜組成および膜厚の均一性を図る。圧電特性の優れた酸化物膜を製造する。
【解決手段】真空容器内に置かれた成膜材料を蒸発させるとともに、前記真空容器内に反応ガス及びプラズマ電子流を導入し、成膜材料のカチオンをプラズマで活性化して基板に堆積させる際に、１種の薄膜を形成する複数の成膜材料をそれぞれ独立した蒸発源として配置し、これら蒸発源と対向する位置で基材を回転させながら、基材上に、複数の成膜材料を順次蒸着させる工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】高速高送りターニング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層、結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる中間層、ＭＯＣＶＤ法により結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向のα−Ａｌ_２Ｏ_３からなる上部層、をそれぞれ形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】長時間の使用においても圧電性能の劣化が起こりにくく信頼性の高い非鉛の圧電体薄膜素子及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に下部電極３、圧電体薄膜４、上部電極５を順次形成した圧電体薄膜素子において、圧電体薄膜４が、組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃で表されるアルカリニオブ酸ペロブスカイト構造の薄膜からなり、上部電極５の音響インピーダンスから下部電極３の音響インピーダンスを減じた両電極３，５の音響インピーダンスの差が、２４．６×１０⁶［Ｎ・ｓ／ｍ³］以上かつ８４．９×１０⁶［Ｎ・ｓ／ｍ³］以下である。 （もっと読む）

【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、基板への蒸着被膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、基板が搬送トレイに載置されている状態を形成するための保持部材として機能させるとともに、基板における２つ以上の蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において微細な粉末が発生し得る成膜装置において、成膜室内に漂ったり、成膜室壁に付着したりして成膜室内に残留する粉末の量を軽減する成膜室外への粉末の漏れを抑制する成膜装置及び成膜室を提供する。
【解決手段】成膜室内に残留する粉末を減少させるために、成膜室内での粉末の主要な流れ方を考慮して、成膜室内を減圧する減圧ポンプが取り付けられる排気口の設置位置を設定し、粉末の排気系への吸い込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れた新規な導電体および導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸化物またはニオブ金属をターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板の表面にニオブ酸化物膜（ＮｂＯ_ｘ膜）を形成し、そのニオブ酸化物膜に対してアニール処理を行う。スパッタリングは、ニオブ金属ターゲットの場合、アルゴンガスに対する酸素ガス流量比（酸素ガス流量／アルゴンガス流量）が５．０％乃至７．０％の雰囲気下で、室温で行う。アニール処理は、真空中で９００℃以上の温度で行う。アニール後のニオブ酸化物膜は、６０％以上の可視光線透過率を有し、１０^−２Ωｃｍ以下の電気抵抗率を有している。 （もっと読む）