【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒートシール性を損なうことなく、優れた消臭性能を有する積層体およびそれを用いた包装体を提供する。
【解決手段】少なくともヒートシール層４を含む消臭性能を有する積層体１０である。ヒートシール層４が、メソポーラスシリカからなる消臭剤を０．０１〜５０質量％、好適には０．５〜３５質量％含有する樹脂からなる。メソポーラスシリカは、焼成後、Ｘ線回折パターンの少なくとも一つのピークが１．８ｎｍより大きいｄ間隔を有し、６．７ｋＰａ、２５℃におけるベンゼン吸着容量が１００ｇあたり１５ｇより大きい無機質、多孔質または非層状の結晶相物質であって、かつ、結晶相が下記式、Ｍｎ／ｑ（ＳｉＯ_２）で表わされる関係を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板１０で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板１０の表面改質処理対象となる金属膜はＰｔ膜５３を積層し、基体として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるＭＯＣ膜５２を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、真空槽２内に、回転駆動軸３を中心として旋回させて基板１０を搬送する基板搬送機構３０を有し、回転駆動軸３の周囲に、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５〜７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが設けられている。第１のスパッタリング室５においては、集電体層と保護層を形成する。第２のスパッタリング室６においては、ＬｉＣｏＯ₂からなる正極層を形成する。第３のスパッタリング室７においては、ＬｉＰＯＮからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板搬送機構３０の保持部３２が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板１０を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて
、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、ＧａＯｘからなり、Ｘが１．５未満、好ましくは０．０１以上０．５以
下、さらに好ましくは０．１以上０．２以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】塊状に変容した蒸着材料の残滓を複雑な機構や専用のアクチュエータを用いることなく、自動的に簡便に除去する。
【解決手段】リング状のターンテーブル５の上面に円環状の溝７を形成する。供給装置１２により溝７の中に顆粒状の蒸着材料１０を一定量ずつ供給する。ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂに供給された蒸着材料１０を蒸発位置Ｂで蒸発させ成膜を行う。一層目の成膜の後、ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂを休止位置Ｃに移動する。蒸発位置Ｂと休止位置Ｃとの間に、ターンテーブル５の移動路を横切るようにトラップ手段２４が設けられ、櫛歯状に並列させた複数本のアーム２５が塊状になった材料残滓をターンテーブル５の上から排除する。 （もっと読む）

【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、第１のトランジスタ群および第２のトランジスタ群を具備し、第１のトランジスタ群は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタおよび４の端子を有しており、第２のトランジスタ群は、第５乃至第８のトランジスタおよび４の端子を有しており、第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、第６のトランジスタ、第８のトランジスタはｎチャネル型トランジスタが用いられ、第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第７のトランジスタはｐチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】物理気相成長中に加工物を支持する方法及び関連する装置を提供する。
【解決手段】吸熱性コーティング（１５）でコートされた支持面を有するアルミニウム製支持体（１１）が提供される。冷却によって、加工物が３５０℃〜４５０℃の温度になるように、支持体は約１００℃に冷却されＰＶＤプロセスが実施される。コーティングは、不活性であり及び／または超高電圧に適合できる。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第１の高電源電位が選択的に与えられる第１のノードを有する回路と、第１のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる第２のノードとを有する。トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。トランジスタのゲートには、第２の高電源電位または接地電位が入力される。電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。第２の高電源電位は、第１の高電源電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】回路規模の拡大に資する新規の半導体素子を提供する。
【解決手段】独立した２つの電気的スイッチを単体の酸化物半導体層を用いて構成することを要旨とする。例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面（第１の面）近傍におけるチャネル（電流経路）の形成と、上面（第２の面）近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。これにより、２つの電気的スイッチを別個に設ける場合（例えば、２つのトランジスタを別個に設ける場合）と比較して、回路面積を縮小することが可能となる。すなわち、当該半導体素子を用いて回路を構成することで、回路規模の拡大に伴う回路面積の拡大を抑制することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第１及び第２の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】本件発明の課題は、プラスチック光学部品の表面に対する密着性に優れ、広い波長領域の光に対して優れた反射防止性能を有するプラスチック光学部品の反射防止膜及びプラスチック光学部品の反射防止膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するため、反射防止膜を、プラスチック光学部品基材上に設けられ、有機系ケイ素化合物を用いて形成された応力緩和層と、当該応力緩和層上に、高屈折率層と、有機系ケイ素化合物を用いて形成される低屈折率層とを当該順序で積層した二層を一組の反射防止ペア層として、当該反射防止ペア層を少なくとも二組積層した構造を有する反射防止構造体とを備える構成とする。 （もっと読む）