【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、水素または希ガスのいずれかの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】非晶質磁性膜上に形成される薄膜の結晶配向性を高めることが可能なスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を有した基板Ｓが収容されて希ガスが供給される真空槽１１と、前記真空槽１１に設けられた接地電極であるシャッタ２２と、前記真空槽１１内に配置されたＭｇＯターゲットＴに接続されたターゲット電極を内蔵するカソード１８と、高周波電力を前記ターゲット電極に出力する高周波電源ＧＥと、前記ＭｇＯターゲットＴと前記高周波電源ＧＥとの間に直列に接続されたインピーダンス整合器２０とを備えるスパッタ成膜装置１０であって、前記シャッタ２２に流れる電流値を変更する可変キャパシタ２６が、前記インピーダンス整合器２０に対する前記ＭｇＯターゲットＴ側に、前記ＭｇＯターゲットＴと前記シャッタ２２とから構成される負荷２５に対して並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス基板と、その表面に設けられたＮｉＷ膜からなる密着層と、その表面に設けられたＡｇ膜からなる反射層と、その表面に設けられた第１のＩＴＯ膜と、その表面に設けられた第２のＩＴＯ膜と、その表面に順に設けられたＳｉＯ₂膜およびＮｂ₂Ｏ₅膜からなる増反射層とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ２７によって冷却板２２に固定されるターゲット２５は、金属粉体としてのＺｎの粉体と、Ｚｎの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのＺｎＯの粉体とを含む混合物が、ｔ_０＜Ｔ＜ｔ_１（ただし、上記式中、ｔ_０はＺｎの融点、ｔ_１はＺｎＯの融点または昇華点である）で表される焼結温度Ｔで焼結された亜酸化物の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）圧電体層の圧電定数を大きくでき、圧電性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータはキャパシタ構造をなしており、単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、Ｔｉ密着層３、Ｐｔ_ｍＯ下部電極層４、ＰＺＴ圧電体層５及びＰｔ上部電極層６を積層して形成されている。下部電極層４のＰｔ_ｍＯの組成比ｍは０．６以上、ＰＺＴ圧電体層５のＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘの組成比ｘは０．４３〜０．５５である。 （もっと読む）

【課題】耐水性等の諸性能が良好な反射防止層、および反射防止層を備えたレンズなどの光学物品を提供する。
【解決手段】レンズ１０は、ｎ＋１層の低屈折率層３１とｎ層（ｎは２以上の整数）の高屈折率層３２から構成される反射防止層３を含む。低屈折率層３１と高屈折率層３２とが交互に積層され、複数の高屈折率層３２のうちの少なくとも１層は酸化ジルコニウムを主成分とする第１の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第１タイプの層であり、その他の高屈折率層３２は酸化チタンを主成分とする第２の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第２タイプの層である。複数の低屈折率層３１はそれぞれ酸化シリコンを主成分とする第３の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第３タイプの層である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。
【解決手段】ｎ型の珪素ターゲット材１０と金属性バッキングプレート２０はボンディング層４０を介して貼り合わされている。珪素ターゲット材１０のボンディング層４０側の面には、珪素ターゲット材１０よりも仕事関数の小さな材料からなる導電性層３０が設けられている。つまり、珪素ターゲット材１０は、導電性層３０とボンディング層４０を介して、金属性バッキングプレート２０に貼り合わされる構成となっている。珪素が単結晶の場合、ｎ型珪素の仕事関数は一般に４．０５ｅＶであるとされているから、導電性層３０の材料の仕事関数は４．０５ｅＶよりも小さい必要がある。このような材料としては、ランタノイド元素、希土類元素、アルカリ金属元素、およびアルカリ土類金属元素を主成分とするものがある。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１１Ｂ内において基板搬送方向Ｄの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にＬＡＳＥＲスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】防塵性能の高い光学物品を提供する。
【解決手段】基板１の上に複数層からなる無機薄膜２を有する防塵ガラス１０であって、無機薄膜２は、複数の酸化ケイ素層２Ａと、複数の金属酸化物の層２Ｂと、が積層され、金属酸化物は、ジルコニウム、タンタルまたはチタンのいずれかを含んだ金属酸化物であり、酸化ケイ素の層２Ａには、低密度の酸化ケイ素層と、この低密度の酸化ケイ素層より密度の高い高密度の酸化ケイ素層とがあり、無機薄膜２の最表層２Ｓは、低密度の酸化ケイ素層であり、無機薄膜２の最表層２Ｓの表面粗さは０．５５ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来知られている低温液相メタノール合成用触媒と比較して、メタノールの合成原料ガス中に二酸化炭素、水等が混在しても触媒の活性低下の度合いがより低く、かつ、より活性の高い触媒とすることができるメタノール合成用触媒の製造方法、並びにこの製造方法で製造された触媒を用いた液相でのメタノールの合成方法を提供する。
【解決手段】メタノール合成用触媒の製造方法において、アルコール溶媒の存在下で、一酸化炭素と水素を含む原料ガスから、ギ酸エステルを経由してメタノールを合成する際に用いられる銅を含む触媒のスパッタリング法による製造方法。 （もっと読む）

【課題】
２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
超電導体物品は、基板と、前記基板上に配置され、かつ単軸結晶テクスチャを有する第１のバッファ膜であって、前記単軸結晶テクスチャは、前記第１のバッファ膜の面内に延びる第１の結晶方向に沿ったテクスチャであり、前記第１のバッファ膜の面外に延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さないことを特徴とする前記第１のバッファ膜と、 前記第１のバッファ膜上に配置されていて、２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜であって、前記２軸方向の一方の結晶方向は前記第１の結晶方向に沿って配向される前記第２のバッファ膜と、前記第２のバッファ膜上に配置されている超電導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物と同等の性能を持ち、安価で、取り扱い時に微粉が発生しないチタン酸化物系の焼結蒸着材料を提供する。
【解決手段】前記蒸着材料は、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、ガーネット構造をとる化合物と、を含む焼結体とする。あるいは、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、酸化イットリウムと、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種と、を含む焼結体とする。前記ガーネット構造をとる化合物は、希土類アルミニウムガーネットが好ましい。前記酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種は、酸化アルミニウムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】基板上に中間層の１層としてＣｒ_２Ｏ_３膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に中間層２０を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてＣｒ_２Ｏ_３膜２２を形成するＣｒ_２Ｏ_３膜形成工程と、その他の層（例えばベッド層２４、２軸配向層２６、キャップ層２８等）を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣｕＯ又はＣｕ_２Ｏを選別して得ることができ、単分散状態で良好な結晶性を有する銅酸化物量子ドットの製造方法を実現する。
【解決手段】レーザアブレーション装置１ではＣｕ_２Ｏセラミックロッドをターゲットにしてレーザ光を照射し、量子ドットの集合体を生成する。次いで気流中に分散した量子ドットを帯電器２で帯電させた後、電気炉３では気流中に分散した量子ドットを加熱温度を制御しながら熱処理する。加熱温度を６００〜７００℃に設定して熱処理を行った場合はＣｕＯが生成され、加熱温度を９００℃以上に設定して熱処理を行った場合はＣｕ_２Ｏが生成される。次いでＤＭＡ４で分級処理を行い、平均粒径Ｄが１５ｎｍ以下であって標準偏差σと平均粒径Ｄとの比σ／Ｄが０．２以下の銅酸化物量子ドットを捕集器５で捕集する。 （もっと読む）

【課題】結晶系の異なる圧電材料の厚さ方向の分布にムラが生じるのを抑えて、基板上に圧電体を薄膜化した構成で圧電特性を向上させる。
【解決手段】基板上に形成される圧電薄膜４は、結晶系の異なる圧電材料からなる層が、各層ごとに柱状結晶を並べた状態で交互に積層されて構成される。各圧電材料の組成比は、結晶系が変化する相境界を構成する組成比である。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単な熱電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が化学量論的な濃度より低いチタン酸ストロンチウム基板１０と、前記チタン酸ストロンチウム基板１０上に形成され、チタンとニオブとの合計の原子濃度が、ストロンチウムの原子濃度より高いチタン酸ストロンチウム膜１２と、を具備する熱電変換装置。 （もっと読む）