【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部９１２を備える筐体と、凹部９１２に設けられた蒸着源９２と、筐体の上面９１１Ａ，９１３Ａに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源９２を覆う補正板９３とを、備え、筐体は、蒸着源９２とともに補正板９３を加熱するハロゲンランプ９４を内部に設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極と抵抗変化層の界面に小さな突起を形成することなく、低電圧での初期化が可能な不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０５と上部電極１０７との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１１６を備える。抵抗変化層１１６は、第１の抵抗変化層１１６１と第２の抵抗変化層１１６２との少なくとも２層から構成され、第１の抵抗変化層１１６１は第１の遷移金属酸化物１１６ｂから構成され、第２の抵抗変化層１１６２は、第２の遷移金属酸化物１１６ａと第３の遷移金属酸化物１１６ｃとから構成され、第２の遷移金属酸化物１１６ａの酸素不足度は第１の遷移金属酸化物１１６ｂの酸素不足度及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃの酸素不足度のいずれよりも高く、第２の遷移金属酸化物１１６ａ及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃは、第１の抵抗変化層１１６１と接している。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、真空チャンバ２と、基板３１を保持する基板ホルダ３２と、真空チャンバ２内で基板３１に対向可能な状態にターゲット１１，１２をそれぞれ支持するカソード機構２１，２２と、互いに材質の異なるターゲット１１，１２と基板３１との間に個別に進退してターゲット１１，１２で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ４１，４２とを備えている。これらシャッタ４１，４２の少なくとも１つ、例えばシャッタ４２を、ターゲット１１，１２の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。 （もっと読む）

【課題】リークパスの発生を抑制し、耐電圧特性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】Ｐｔ下部電極層４上に第１の比誘電率を有する第１のＰＺＴ圧電体層５Ａをアーク放電反応性イオンプレーティング（ＡＤＲＩＰ）法により形成し、第１のＰＺＴ圧電体層５Ａ上に第１の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第２のＰＺＴ圧電体層５ＢをＡＤＲＩＰ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電定数のばらつきを小さくでき、耐電圧特性を向上させることができ、製造歩留りを向上させる圧電アクチュエータとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、TiO_x密着層３’、Pt下部電極層４、PZT圧電体層５及びPt上部電極層６を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiO_x密着層３’のTiO_xの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiO_x密着層３’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層３’による絶縁層２と下部電極層４との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層４、密着層３’及び絶縁層２の境界を明瞭にすることができる。 （もっと読む）

【課題】成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法は、スパッタにより活物質層及び固体電解質層が積層された薄膜固体電池の製造をする製造装置及び製造方法であって、スパッタを行い活物質層の成形をし、成形した活物質層の平面方向とスパッタの方向とがなす最小の角度より、成形した活物質層の平面方向となす最小の角度が小さくなるような方向でスパッタを行い固体電解質層の成形をする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】全固体電池等の薄膜電池で使用する薄膜正極を形成するリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及びその製造方法並びにリチウムイオン薄膜二次電池を提供する。
【解決手段】結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、相対密度が90％以上、平均結晶粒径が1μm以上50μm以下の焼結体よりなるリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及び結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、CuKα線を使用したＸ線回折による(003)面、(101)面、(104)面の強度比が次の(1)及び（2）の条件を満たすリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット。(1)(003)面に対する(101)面のピーク比が0．4以上1．1以下、(2)(104)面に対する(101)面のピーク比が1．0以上。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。
【解決手段】水銀圧入ポロシメータにより測定される対数微分空隙容積分布において、空隙容積径０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内にピークが存在し、且つ空隙容積径０．１μｍ〜１．０μｍの空隙累積容積が０．３５ｃｍ³／ｇ〜０．６０ｃｍ³／ｇであることを特徴とする酸化ガリウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の製造方法、該薄膜の形成に好適な共蒸着用蒸着材、該方法により得られる薄膜、該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法は、第１酸化物からなる昇華性蒸着材とこの第１酸化物とは異なる種類の第２酸化物からなる昇華性蒸着材を用い、真空成膜法によって同時に蒸着する共蒸着法により、基材上に第１酸化物及び第２酸化物から構成された酸化物薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン（１μｍ以下）のサイズのパターンを持つシームレスモールドを高い生産性・量産性で得ること。
【解決手段】本発明のモールドのエッチング装置は、真空槽中に配置されたスリーブ形状のモールド（１５）と、前記真空槽中の前記モールド（１５）の表面に対向する位置に配置された円筒形状の対向電極（２２）と、を具備し、前記モールド（１５）に高周波を印加させ、前記対向電極（２２）を接地して前記モールドをエッチング処理するエッチング装置であって、前記エッチング処理の際、前記モールド（１５）を回転させないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着を行なうるつぼにセットした昇華性材料が、蒸着の際に突沸しにくくする。
【解決手段】 真空チャンバー（１０）と、真空チャンバー（１０）内に設けられ、蒸着材料を収納するるつぼ（１１）と、るつぼ（１１）に設けた蒸着材料を加熱する均一加熱機構（２０）とを備える。均一加熱機構（２０）は、るつぼ（１１）の周囲に設けたヒーター（２１）と、るつぼ（１１）の内部に設けたカーボンロッド（２３）を備える。蒸着材料（２）は、前記るつぼ（１１）とカーボンロッド（２３）との間に配置され、ヒータ（２１）にて加熱されたるつぼ（１１）およびカーボンロッド（２３）の双方により、ほぼ均一に加熱されて蒸発する。 （もっと読む）

【課題】良好なガスバリア性を示すガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、ポリエステル基材の少なくとも一方の面にポリエステルとメラミンとが架橋してなる成分を含有する有機層が形成された有機層ポリエステル積層基材を準備する工程と、イオンプレーティングにより上記有機層に蒸発源材料を付着させて無機層を形成する工程と、を有するように構成して上記課題を解決する。 （もっと読む）