【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌ_aＴｉ_bＳｉ_cＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、Ｔｉ_dＳｉ_eＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、各Ａ層は、実質的に同一の層厚であり、各Ｂ層は、実質的に同一の層厚であり、Ａ層は、基材側から被覆膜の表面側にかけて連続的または段階的にＡｌの原子比が減少し、基材に最も近い側のＡ層を構成するＡｌの原子比をａ₁とし、被覆膜の表面に最も近い側のＡ層を構成するＡｌの原子比をａ₂とすると、ａ₁−ａ₂≧０．００５を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 十分に静電耐性を有する圧電デバイス（５０）を提供する。
【解決手段】 圧電デバイス（５０）はパッケージ（ＰＫＧ）内に圧電振動片（２０）を収納するものである。そして圧電デバイスは、第１面と第２面とを有し、圧電振動片を第１面に載置するとともに静電気保護回路が形成された台座（６０）と、パッケージ内に形成され台座の第２面と接続する内部電極（５９）と、を備える。台座（６０）の第１面には、圧電振動片の電極と接続する第１パット（７１）が形成され、台座の第２面には、内部電極と接続する第２パット（７２）及び静電気を拡散する第３パッド（７４）が形成され、台座には第１パッドと第２パッドとを接続する配線（７３）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム（Ａｌ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．３を満たし、さらに、Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】高純度な有機化合物層を形成するための蒸着源を提供する。
【解決手段】固相の有機化合物の入った複数のるつぼを連結し、有機化合物を加熱し、融解帯を発生させ、融解帯を移動させることで不純物を移動させ、複数のるつぼのうち、精製された有機化合物の入ったるつぼを用いる有機化合物の精製方法。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置、これを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及びこれにより製造された有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第１方向に沿って複数のパターニングスリットが形成され、複数のパターニングスリットの長さが互いに異なって形成されるパターニングスリットシートと、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間に第１方向に沿って配されて、蒸着源ノズル部とパターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間で区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリーと、を備え、薄膜蒸着装置は、基板と所定距離ほど離隔して形成され、薄膜蒸着装置と前記基板とは、いずれか一側が他側に対して相対的に移動自在に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】正負極層間に短絡を生じさせたり、サイクル特性を低下させたりすることがなく、固体電解質電池の歩留まりを低下させない固体電解質膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に集電体、正極活物質、固体電解質、負極活物質、集電体の各膜が積層された固体電解質電池における固体電解質膜の製造方法であって、密度１．５〜２．０ｇ／ｃｍ^３の蒸発源を用いて、正極活物質表面に、抵抗加熱蒸着法により、０．０１〜１．０μｍ／分の成膜レートで成膜する。得られた固体電解質膜は、スプラッシュ数が１０〜３００個／□３００μｍである。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用され、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数個の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第１方向に対して垂直である第２方向に沿って複数個のパターニング・スリットが形成されるパターニング・スリットシートと、を含み、基板が薄膜蒸着装置に対して、第１方向に沿って移動しつつ蒸着が行われ、蒸着源、蒸着源ノズル部及びパターニング・スリットシートは、一体に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置である。 （もっと読む）

金属基材用のニッケルアルミナイド系コーティングシステムは、コーティング前駆体（２２）から成り、コーティング前駆体（２２）は、第１のソースから得た金属基材（２０）に重層させたニッケル及び合金元素から成る層（２４ａ）と、第２のソースから得た金属基材（２０）に重層させたアルミニウム層（２６）とを含み、該コーティング前駆体の適切な処理の後に形成されたコーティングに重層させた、セラミック遮熱コーティングを含む。ニッケルアルミナイド系コーティングを形成する方法は、コーティング前駆体のアルミニウム含有量の大半部分を提供するソースと、ほぼ全てのニッケルを提供する個別のニッケル合金ソースと、コーティング前駆体の追加の合金元素とを設けるステップを含む。陰極アーク（イオンプラズマ）蒸着法を用いてもよい。コーティング前駆体は、個別の層の形で、又は共蒸着処理により設けることができる。
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【課題】ＺｎＯ系半導体の新規なｎ型ドーピング技術に係るＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製
造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層
に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分
的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電
極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを
特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽８内に配置された細長の放出装置３０の両端位置の第一、第二の接続口３８ａ、３８ｂに、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂを接続し、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから、放出装置３０の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置３０の一端から他端に亘って、真空槽８内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから放出装置３０に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板６の成膜面上に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】熱による蒸着物質の変性を防止し、材料の利用効率を高めることができる蒸着源、それを備えた蒸着装置及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】蒸着物質を冷却しながら保存し、前記保存された蒸着物質を加熱しながら供給する第１及び第２蒸着源部と、前記第１及び第２蒸着源部に接続され、前記第１または第２蒸着源から供給される蒸着物質が移動する移送部と、前記移送部に接続され、前記移送部を経て供給される蒸着物質を噴出するノズル部と、を含むことを特徴とする蒸着源。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布の均一性の高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表示装置の作製方法は、基板１０１を蒸着室に搬送し、蒸着源１０４から薄膜材料を気化させ、前記薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記蒸着源の位置を移動させることにより、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室１に２種類の原料モノマーガスを流入させ、基板Ｓの表面に高分子膜を形成する蒸着重合装置であって、組成分布及び膜厚分布の均一な高分子膜を形成でき且つ生産性に優れた装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓに対向する処理室１の面に設けられるシャワープレート４と、シャワープレート４を挟んで処理室１に隣接するガス導入室５とを備える。ガス導入室５に、その内部空間を２種類の原料モノマーガスを個別に供給する２つのガス導入通路５１Ａ，５１Ｂに仕切る隔壁５２が設けられる。隔壁５２は、２つのガス導入通路５１Ａ，５１Ｂがシャワープレート４の板面に沿って所定ピッチで交互に並ぶように形成される。また、シャワープレート４に、各ガス導入通路５１Ａ，５１Ｂに沿わせて吹出し孔４１Ａ，４１Ｂが多数形成される。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に膜厚が均一で不純物の少ない薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ層が形成される基板１が蒸着室５内に垂直に設置され、基板１の上には、有機ＥＬ層を選択的に蒸着するためのファインメタルマスク４が配置されている。有機ＥＬ層の材料となる蒸発源８が蒸着室外に配置されている。ノズルが線状に配置した蒸発ヘッド３と蒸発源８とは軟らかい配管７によって接続している。蒸発ヘッド３を、ノズルの配置方向と直角方向に移動させることによって、基板１に有機ＥＬ層を蒸着する。蒸発ヘッド３と蒸発源９とを軟らかい配管７で接続することによって、蒸発ヘッド３のみを移動させることが可能になり、装置の機構を簡略化でき、また、可動機構から発生する不純物による有機ＥＬ層の汚染を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】シャッターに付着し堆積した蒸着材料を、チャンバー（蒸着室）内を大気圧に戻すことなく真空雰囲気を維持したままで、坩堝に戻すことなく除去するようにした、蒸着装置とこれを備えた有機ＥＬ装置の製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着室２内に配置されて蒸着材料３を収容する坩堝４と、坩堝４内の蒸着材料３を加熱する蒸着用加熱装置５と、坩堝４の開口部４ａを覆う状態と開放した状態とに切り換えられるように移動可能に設けられたシャッター６と、シャッター６が坩堝４の開口部４ａを開放した状態にするように移動した位置に、配置された回収容器７と、シャッター６を加熱するシャッター加熱装置８と、を含む蒸着装置１である。 （もっと読む）

【課題】有機高分子薄膜を、基体表面上に、高い成膜効率で、再現性良く且つ安定的に形成し得る技術を提供する。
【解決手段】真空状態の複数の蒸発源容器３２ａ，３２ｂ内で蒸発させた複数種類の原料モノマーを、真空状態の成膜室１０内に導入して、成膜室１０内に配置された基体１２の表面上で重合させることにより、基体１２の表面上に有機高分子薄膜を形成する真空蒸着重合操作を繰り返し行うに際して、毎回、原料モノマーの蒸発操作の開始時に、原料モノマーが、蒸発源容器３２ａ，３２ｂ内に液体状態で一定の量だけ存在するようにした。 （もっと読む）

【課題】成膜時間の短縮化と連続成膜が可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る蒸着装置１は、真空チャンバ２と、インデックステーブル３０（回転台）と、複数の蒸発源３１と、回動機構３２と、第１及び第２の加熱機構３３、３４とを具備する。回転台は、回動機構によって回動されることで、回転台上の複数の蒸発源を予備加熱位置Ｐ１と成膜位置Ｐ２とに順次移動させる。第１の加熱機構は、成膜位置に属する蒸発源に収容された蒸着材料を加熱する。第２の加熱機構は、予備加熱位置に属する蒸発源に収容された蒸着材料を加熱する。各蒸発源は、予備加熱位置から成膜位置に移動させられる。成膜位置は、回転台の回動方向から見て、予備加熱位置の下流側に隣接して配置される。予備加熱位置で加熱された蒸発材料は、その温度が保持されたまま、成膜位置へ移動させられるので、蒸発に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）