【課題】炭素系膜を生産性良好に形成することができる真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】炭素系膜を形成するための、炭素を主成分とするカソード１１を真空アーク放電により蒸発させて炭素系膜を基材Ｗ上に形成する真空アーク蒸着装置。該装置は、１００アンペア程度以下の低アーク電流で真空アーク放電を維持するためにアーク電源１３とカソード１１との間のリアクタンス成分発生回路Ｒを有しており、アーク放電回路におけるリアクタンス成分発生のためのインダクタンスは１ｍＨ以上１０ｍＨ以下である。 （もっと読む）

粒子状材料を気化させて表面に堆積させることによって層を形成する方法は、シールされたインターフェイスフィッティングを有する補充容器の中に粒子状材料を供給するステップと；その補充容器を、少なくとも1つの供給用開口部を画定する供給ホッパーに取り付け、インターフェイスフィッティングの位置でシールを破るステップと；補充容器から供給ホッパーに粒子状材料を移動させるステップと；供給用開口部を通過したその粒子状材料を供給路に沿って気化ゾーンまで移動させ、その気化ゾーンにおいてその粒子状材料の少なくとも1つの成分を気化させた後、表面に供給して層を形成するステップを含んでいる。
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【課題】成膜面積の拡大を可能とし、かつ、膜厚分布をより均一化できるシート状プラズマ発生装置と、これを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンから収束コイルにより引き出したプラズマビームを、プラズマビームの進行方向に対して直交する方向に延び、対向して互いに平行に配置されて対になっている永久磁石からなるシート化マグネットによって形成される磁場の中に通過させてシート状に変形させるシート状プラズマ発生装置において、シート化マグネットには、プラズマビームの中心側に対応する部分における反発磁場強度の方が、プラズマビームの外縁側に対応する部分における反発磁場強度より強いシート化マグネットが少なくとも一つ含まれている。 （もっと読む）

【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置１００の制御装置１１８は、同一の分子線材料１０５を有する複数の分子線セル１０７について、各分子線セル１０７内の分子線材料１０５の残量を求める残量算出部４０５と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料１０５の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル１０７における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル１０７に残存する分子線材料１０５の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部４０６と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル１０７における設定を決定するセル設定決定部４０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）

本発明の1つの目的は、気化させる粒子状材料を再装填する効率的な方法を提供することである。この目的は、気化ゾーンを有する蒸着チェンバーの中に材料を供給してその材料を気化させて層を形成する方法によって達成される。改善点として、材料の汚染を防ぐために制御された環境下で材料を受け取るキャビティを規定するカートリッジを用意するステップと、そのキャビティからの材料を受け取り、受け取ったその材料を供給路に沿って気化ゾーンまで移動させるステップと、カートリッジを蒸着チェンバーに取外し可能に固定するステップを含んでいる。
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【課題】大面積の基板に対しても、シャドーマスクを用いることなく、選択的に薄膜の形成を行うことのできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸発源１００は筒状セル１２８と、それを加熱する下側ヒータ１３４、上側ヒータ１３６を備えている。加熱板１３０は、その内側に設けたヒータ１３８により温度制御が可能となっている。加熱板１３０は、連結する材料供給部１０２から筒状セル１２８内に供給される蒸着材料を加熱し、蒸発若しくは昇華によって気化させる。加熱板１３０を筒状セル１２８内で回転させる回転機構１３２を設け温度の均一化を図っても良い。材料供給部１０２を加熱するヒータ１４０を設けて、筒状セル１２８内に供給する蒸着材料の温度を上げるようにしても良い。このような蒸発源１００により、大面積の基板に対しても均一性良く、連続して成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、前記原料供給装置は、前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供すること。
【解決手段】 円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。 （もっと読む）

【課題】蒸着率が安定化するまでの所要時間を最小化し、蒸着効率を高め、ノズルの凝縮現象を防止するための有機蒸着源及びその加熱源の制御方法を提供する。
【解決手段】蒸着チャンバ内に配置され、含有する有機物質を蒸発させるためのるつぼ１０と、るつぼ１０に熱を供給するための加熱源を含む加熱部３０と、加熱部３０から放出される熱を遮蔽するためのハウジング５０と、るつぼ１０を安着させる外壁７０と、るつぼ１０から蒸発された物質を噴射するためのノズル部９０を具備する有機蒸着源１００であって、加熱部３０は、るつぼ１０の上部に位置される上部加熱部と、るつぼ１０の下部に位置される下部加熱部と、上部加熱部に電力を供給するための第１電力源と、下部加熱部に電力を供給するための第２電力源と、が構成される。 （もっと読む）

【課題】 蒸着源に収容された有機材料の熱劣化を防ぐことができ、生産性が向上すると共に、蒸着レートを長時間安定して制御することができる有機材料の真空蒸着方法およびその装置を提供する。
【解決手段】 有機材料２を収容し一方が開口する容器１を備えた蒸着源２０からの蒸発物質５を対向する基板７に成膜する真空蒸着法であって、蒸着源は、容器に固定せずに容器の開口を閉塞するとともに容器中の有機材料の表面に接触する加熱体３を有し、加熱体のみを加熱して有機材料を蒸発させ、加熱体に形成された少なくとも１つの孔６又は少なくとも１つのスリットから蒸発物質を放出させる。 （もっと読む）

【課題】コンパクト化を図ることが可能なプラズマ生成モジュールを提供する。
【解決手段】 プラズマ生成モジュール４０は、陽極として機能するハース４２と、ハース４２の周囲に配置された磁石４４と、磁石４４によってチャンバ２０内に形成されるリターンフラックスＦ上に配置されたプラズマガン４６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の劣化を防止し、蒸着材料を安定して蒸発させることができ、かつ蒸発量の制御も容易に行える。
【解決手段】蒸着材料Ｍを収容する蒸発容器１０と、この蒸発容器１０内の蒸発材料Ｍを溶融温度以上、蒸発温度未満で加熱溶融する第１加熱源１３と、蒸発容器１０内の溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触して加熱し蒸発させる第２加熱源１６と、蒸発容器１０を昇降させて第２加熱源１６を溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させる容器昇降装置１５とを具備し、第２加熱源１６は、上部に加熱ヒータ１６ｃが設けられた熱伝導用胴部１６ａの底部に溶融蒸着材料Ｍの表面に接触または浸漬される加熱用多孔板１６ｅが設けられ、さらに加熱ヒータ１６ｃの熱を加熱用多孔板１６ｅの中央部に伝導して加熱用多孔板１６ｅの熱勾配を減少させる伝熱部材１７が設けられた。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の劣化を防止し、蒸着材料を均一に蒸発させ、かつ蒸発量の制御も容易に行う。
【解決手段】蒸着材料Ｍを加熱する加熱手段を、蒸発容器１０内の蒸着材料Ｍを溶融温度から蒸発温度未満の範囲で加熱溶融する第１加熱源１３と、加熱用多孔板１６ｅを溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させて加熱蒸発させる第２加熱源１６とで構成し、前記蒸発容器１０を昇降させて加熱用多孔板１６ｅを溶融蒸着材料Ｍの表面Ｍｓに接触させる容器昇降装置１５を具備した。 （もっと読む）

材料を一定速度で気化させて基板上に層を形成する方法は、気化可能で気化中に体積が変化する可能性のある柱状の材料を、その気化可能な材料の有効気化温度よりも低温に維持された温度制御領域から気化エネルギー供給源へと供給するステップと；柱の表面に一定の熱流を供給する気化エネルギー供給源を用意し、供給速度とは無関係に気化可能な材料を単位時間に一定の体積で気化させて基板上に層を形成するステップを含んでいる。
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【課題】 真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】 真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。ターゲットチャンバ１００内の空間１０１に設置された複数のターゲット１１０のうち選択された一のターゲットは、電子ビーム照射系１２０によって照射される電子ビームにより蒸発し、飛行チャンバ３００内の空間３０１を介してプロセスチャンバ２００内の空間２０１に到達し、基板２１０に蒸着される。この際、電子ビーム照射系１２０は、電子ビーム移動系１３０の作用により、選択された一のターゲットに対応する位置まで移動する。従って、複数のターゲットに対し、電子ビーム照射手段１２０が共有される。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜を含む切削工具インサート、ソリッドエンドミル又はドリルを提供する。
【解決手段】被膜は、耐火化合物の１つ又は複数の層から構成され、該耐火化合物の少なくとも１つの層は立方晶の（Ｍｅ，Ｓｉ）Ｘ相を含み、式中、Ｍｅは元素Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ及びＡｌのうちの１つ又は複数であり、Ｘは元素Ｎ、Ｃ、Ｏ又はＢのうちの１つ又は複数である。ｃ−ＭｅＳｉＸ相の比Ｒ（Ｘの割合／Ｍｅの割合）は０．５〜１．０であり、ＸはＯ＋Ｂを３０原子％よりも少ない量で含む。本発明は、切りくず厚さが小さく、被削材が硬質である金属機械加工用途、例えば、ソリッドエンドミルを用いた倣いフライス削り、インサートフライス又は硬化鋼のボーリングにおいて特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できる蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る蒸発源は、蒸発材料が収容される容器１と、前記容器１に繋げられ、該容器内で蒸発した材料が流入される蒸発材料通路３と、前記蒸発材料通路３に繋げられ、前記蒸発した材料が該蒸発材料通路３の外に放出される第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄと、を具備し、前記第１乃至第４の材料放出用開口部を結ぶ線によって形成される図形が略正方形となるように、前記第１乃至第４の材料放出用開口部が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸発させた蒸着物質が供給される開口を複数設けた構成であっても、各開口部からの蒸着物質の蒸発供給量を均一化することができ、これにより膜厚の均一な蒸着膜を得ることが可能な蒸着成膜装置を提供する。
【解決手段】天面１３ａに複数の開口を備えた外箱１３と、外箱１３内に収納されるルツボ１２と、外箱１３を加熱する熱源１４とを備えた蒸着源１０を有する蒸着成膜装置において、ルツボ１２には、外箱１３の床面１３ｂとの間に間隔ｄを設けるための脚部１５が設けられている。また、外箱１３に設けられた複数の開口１１は、ライン状に配列されており、蒸着膜の成膜対象となる基板を、蒸着源１０の上方に対向配置した状態で開口１１の配列方向と直交する方向に相対的に移動させることにより、この基板上に蒸着膜が成膜されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記多結晶ＳｉＣ基板１９に対し、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５を近接又は密接させて密閉容器に収納して、１，６００℃〜２，１００℃（好ましくは１，７００℃〜１，９００℃）の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５と多結晶ＳｉＣ基板１９との距離（隙間ｇの大きさ）は、密接から０．６ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が更に好ましい。 （もっと読む）