本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】加飾層として、絵柄部分と絵柄背景部分の間に明確な段差が形成されていない金属薄膜を有する加飾シートを提供すること、及びそのような加飾シートを簡便な操作によって製造する方法を提供する。
【解決手段】被加飾物に固定可能な加飾層２を基体シート１の表面に有してなる加飾シートであって、該加飾層２は金属薄膜４を有し、該金属薄膜４は絵柄背景又は絵柄５として透明化部分４１を有している、加飾シート。 （もっと読む）

金属基材用のニッケルアルミナイド系コーティングシステムは、コーティング前駆体（２２）から成り、コーティング前駆体（２２）は、第１のソースから得た金属基材（２０）に重層させたニッケル及び合金元素から成る層（２４ａ）と、第２のソースから得た金属基材（２０）に重層させたアルミニウム層（２６）とを含み、該コーティング前駆体の適切な処理の後に形成されたコーティングに重層させた、セラミック遮熱コーティングを含む。ニッケルアルミナイド系コーティングを形成する方法は、コーティング前駆体のアルミニウム含有量の大半部分を提供するソースと、ほぼ全てのニッケルを提供する個別のニッケル合金ソースと、コーティング前駆体の追加の合金元素とを設けるステップを含む。陰極アーク（イオンプラズマ）蒸着法を用いてもよい。コーティング前駆体は、個別の層の形で、又は共蒸着処理により設けることができる。
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【課題】２次電池に適用可能な高結晶性、高均一性、高純度の自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質は、金属硫化物系物質からなる凝集体が剥離され、金属基板上に金属硫化物系２次元ナノ構造体として直接成長することを特徴とし、自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質の製造方法は、金属硫化物系物質からなる凝集体を製造するステップと、凝集体をパルスレーザー蒸着用電気炉内のチューブに挿入装着するステップと、チューブ内に金属基板を挿入し、凝集体から離れて位置させるステップと、チューブ内の圧力を０．０１〜０．０３Ｔｏｒｒの真空状態に下げ、電気炉の温度を５９０〜６１０℃に上げるステップと、チューブ内にパルスレーザーを注入して凝集体を剥離するステップと、を含み、金属硫化物系物質を金属基板上に２次元ナノ構造体として直接成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】最近の多層メタルスパッタリング成膜プロセスにおいては、従来のマルチチャンバ型の装置に代わって、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型の装置が広く使用されるようになっている。しかし、本願発明者が検討したところによると、このような単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型スパッタリング成膜装置は、磁性メタル膜と非磁性メタル膜を積層形成する場合は、被処理ウエハを別の成膜サイトに移送して成膜する必要があり、スループットを大きく低下させていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。
【解決手段】本発明は、単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させたシード層上に、凝集現象が起こる金属を蒸着させた中間層を形成した後、熱処理してパターンを形成させ、上記のパターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させたターゲット層を形成することを含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法を採用している。本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着成膜における方向余弦の冪指数依存性を蒸着装置に反映させ、成膜材料ごとに最適な成膜膜厚均一性を容易に実現できる装置を提供する。
【解決手段】蒸発源４００と、基板ホルダ２１と、第１の膜厚モニターと、第２の膜厚モニターと、前記第１の膜厚モニターと前記第２の膜厚モニターの膜厚測定結果から膜厚分布をモデル化するための演算手段と、前記演算手段の結果により前記蒸着源と基板との空間配置を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】低反射性を確保しながら、反射防止膜のレーザー耐性を向上させる。
【解決手段】光ファイバー等、ＳｉＯ_２を主成分とする光学基材２ａ（３２ｂ）の上に形成される３層構造の反射防止膜である。上記光学基材２ａ（３２ｂ）の上に形成される下層４１と、上記下層４１の上に形成される中間層４２と、上記中間層４２の上に形成される上層４３と、を有し、上記中間層４２はＡｌ_２Ｏ_３を用いて形成されている。上記下層４１はＴａ_２Ｏ_５を用いて形成し、上記上層４３はＳｉＯ_２を用いて形成することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の光学特性を有する光学部品の製造方法及び所望の光学特性を有する光学部品を提供する。
【解決手段】第１の中心軸Ｃ１回りに旋回している中心軸であって、第１の中心軸Ｃ１に対して傾斜している第２の中心軸Ｃ２回りに球状レンズ３２を旋回させながら、気相成長法により光学的機能膜３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物層を少なくとも１層含む被膜であって、酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．００１≦ｘ≦０．０５を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、酸化物層はγ−アルミナ型の結晶構造を有する被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】切削工具の基材上に形成される被膜であって、第１酸化物層と第１酸化物層上に形成された第２酸化物層との積層体を含み、第１酸化物層は第２酸化物層よりも基材側に位置しており、第１酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有し、第２酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．００１≦ｘ≦０．５を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、第２酸化物層は非晶質である被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子の製造方法において、孔や溝などの欠陥がない封止膜形成に要する時間を短くして、製造コスト上昇を抑えることが可能な封止膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 （もっと読む）

高温で過酷な気候に曝される基材のＣＭＡＳ浸透を低減するコーティングシステムを設ける方法。例示的な方法は、任意選択的に基材の上にボンドコートを配置するステップと、ボンドコートの上又は該ボンドコートがない場合には基材の上に内側セラミック層を設けるステップと、高速酸素燃料（ＨＶＯＦ）溶射法を用いて最大で約５０重量％までのチタニアを含む外側アルミナ含有層を配置するステップとを含む。耐ＣＭＡＳコーティングを得るために、追加のセラミック層及びアルミナ含有層を設けることもできる。１つ又はそれ以上の好適な熱処理を利用して、アルミナを相安定することができる。コーティングは、ガスタービンエンジン構成要素に用いることができる。セラミック層の堆積法は、構成要素の最終用途に応じて決めることができる。 （もっと読む）

【課題】膜表面に発現した光触媒作用を速やかに消失させることができる光触媒性薄膜を表層に有する太陽電池モジュール用カバーを提供する。
【解決手段】太陽電池カバー１００は、透光性基板１０２と、発熱層としての透明導電膜１０４と、光触媒性薄膜１０６とを積層して構成され、光触媒性薄膜１０６は、成膜プロセス領域で、チタンで構成されたターゲットをスパッタし、膜原料物質を付着させるスパッタ工程と、反応プロセス領域で、少なくとも反応性ガスのプラズマを膜原料物質に接触させ第１の薄膜を生成する反応工程と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で第１の薄膜が形成された基板を移動させ、スパッタ工程及び反応工程を複数回繰り返し第２の薄膜を形成する薄膜堆積工程と、第２の薄膜に対し、不活性ガスを反応性ガスの導入流量と少なくとも同一流量で積極的に混合した混合ガスのプラズマを接触させるプラズマ後処理工程によって形成される。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物層を少なくとも１層含む被膜であって、酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．０１≦ｘ≦０．０７を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、酸化物層はγ−アルミナ型の結晶構造および非晶質構造を有する被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗メモリの可変抵抗層を簡単に製造することのできる抵抗メモリの可変抵抗層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この方法は、銅ターゲットおよびシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）ターゲットを有するか、あるいは、銅およびシリコン酸化物から作られた複合ターゲットを有するスパッタリングチャンバー内に、基板を設置することを含む。その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。混合膜は、抵抗メモリの可変抵抗層として使用され、混合膜のＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率は、１〜１５％である。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面にＴｉＳｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＳｉＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＴｉＳｉＮ結晶粒からなり、さらに、上記ＴｉＳｉＮ層の表面から０．１μｍの深さの水平断面におけるＴｉＳｉＮ結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である上記縦長平板状のＴｉＳｉＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】大容量のリチウム二次電池に好適な電極を与えることのできるシリコン膜と、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉ化合物からなるアスペクト比２０以上の柱状構造の集合体である柱状集合体を複数有することを特徴とするシリコン膜。柱状構造の直径が１０〜１００ｎｍであって、膜厚が０．２〜１００μｍである前記シリコン膜。ＳｉまたはＳｉ化合物からなる蒸着源を用いてシリコン膜を基板に蒸着するシリコン膜の製造方法であって、蒸着源の温度を１７００Ｋ以上とし、基板温度を蒸着源の温度より７００Ｋ以上低くすることを特徴とするシリコン膜の製造方法。蒸着源−基板間距離（Ｄ）が、基板の垂直方向からみた基板の最小径（Ｐ）よりも小さい前記のシリコン膜の製造方法。前記シリコン膜を有する電極。前記電極を、負極として有するリチウム二次電池。 （もっと読む）