【課題】キャビテーションが発生する環境下において、表面に形成する被膜の密着性を確保しつつ、このキャビテーションエロージョンを低減することができる耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液体が接触する基材の表面に非晶質炭素被膜を形成した耐キャビテーションエロージョン用部材１であって、該部材１は、該基材２の表面に、複数の柱状構造体４ａ…からなる第一非晶質炭素被膜４と、該第一非晶質炭素被膜の表面に、配向性なく堆積された複数の粒状構造体５ａ…からなる第二非晶質炭素被膜５と、を少なくとも備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム等の非鉄金属の切削加工に使用する信頼性の高い寿命センサ回路付き切削工具を提供する。
【解決手段】 導電性母材３の表面に少なくとも１層の絶縁性被覆層２を有し、その上に導電性硬質層４を用いた回路を形成してなる寿命センサ回路付き切削工具１であって、絶縁性被覆層２のうち少なくとも１層は硬質炭素膜であるとともに、硬質炭素膜のラマンスペクトルについてＤバンドにおける面積強度をＩ_Ｄ、Ｇバンドにおける面積強度をＩ_Ｇとした場合に、面積強度比Ｒ＝（Ｉ_Ｄ／Ｉ_Ｇ）が１．４以下とする。 （もっと読む）

【課題】光学薄膜の内部応力のために基板が歪んだり膜剥がれが発生する等のトラブルを効果的に回避できる光学部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１の成膜面の反対側面に、光学薄膜３を単独で基板１に形成した場合に基板１に生ずる反りとは逆の方向に反りを与える反り付与層２を予め形成する工程と、反り付与層２の形成後に基板１の成膜面に光学薄膜３を形成する工程と、光学薄膜３の形成後に反り付与層２を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウム（ＬＮ）またはタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶からなり、より結晶性に優れた電気光学用途向け単結晶薄膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置の反応室内でおきる異常放電は、発生した個所を損傷したり、部材を溶融させてパーティクルを発生させる可能性がある。この異常放電を防止するために処理室内での水分量を低減することが考えられるが、従来では、経験的に得られた加熱時間を制御して加熱処理するしかなく、異常放電を防止する際の安定性や再現性に問題がある。
【解決手段】 プラズマ処理装置の真空処理室１０に隣接して予備処理室１０Ａを設け、予備処理室１０Ａにおいて、水分の量を計測しながら基板Ｗがプラズマ加工されないパワーで基板Ｗをプラズマに晒す。水分の量が所定レベルよりも低下した後に基板Ｗを真空処理室１０に搬送してプラズマ処理を行うので、真空処理室１０内における異常放電を防止する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下であり且つ大きな接触応力が作用するような条件下、又は、高温環境下であり且つ無潤滑下というような厳しい条件下でも好適に使用可能な転動装置を提供する。
【解決手段】アンギュラ玉軸受の玉３はＳＵＪ２で構成されており、玉３の転動面３ａには潤滑性を有するＤＬＣ層Ｄが設けられている。ＤＬＣ層Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｚｒ，及びＦｅのうちの２種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。また、複合層Ｆ中の炭素の割合は、金属層Ｍ側からカーボン層Ｃ側に向かって徐々に増加している。さらに、ＤＬＣ層Ｄの等価弾性定数は１００ＧＰａ以上２４０ＧＰａ以下である。さらに、玉３の平均残留オーステナイト量は６体積％以下である。 （もっと読む）

【課題】レンズが着色せず、良好な帯電防止性及び撥水性を有する薄膜及び光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）パーフルオロアルキル基を有する撥水剤、（ｂ）シランカップリング剤、側鎖及び／又は両末端に有機基を導入した変性シリコーンオイル及びパーフルオロエーテル化合物との混合物、及び（ｃ）フラーレン類、カーボンナノチューブ類及び黒鉛化合物から選ばれる少なくとも１種類の導電性物質とを混合してなる撥水剤溶液を用い、真空蒸着法にて薄膜を形成する薄膜の製造方法、並びに、光学基板上に多層反射防止膜を形成する光学部材の製造方法において、該多層反射防止膜上に、前述の本発明の薄膜製造方法により薄膜をさらに形成する光学部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基体に凹凸が生じる事態を回避しつつ、薄膜の形成時における基体の熱変形や穴あきを回避し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】長尺帯状のベースフィルム１１（基体）を巻回した繰り出し側ロール１１ａからベースフィルム１１を繰り出して冷却ドラム２２に沿わせて走行させつつ気相成長法によってベースフィルム１１の上に磁性層（薄膜）を形成する際に、反発硬さが６９１Ｌ値以下の繰り出し側ロール１１ａを使用すると共に、ベースフィルム１１における冷却ドラム２２に接している部位の薄膜形成面（磁性層の形成面）に電子線照射装置２３によって電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 セパレーションチャンバー１の周囲に気密に接続された複数の処理チャンバーのうちの一つはスパッタチャンバー４であり、二段階成膜が行われる。第一の行程ではターゲット４２と基板９との距離は長い第一の距離とされてホール９０の内面にベース薄膜９３が作成され、第二の工程ではターゲット４２と基板９との距離が短い第二の距離とされ、ヒータ４４１で基板９を加熱して薄膜をリフローさせてホール９０内に埋め込む。セパレーションチャンバー１は、冷凍機１３により１３０Ｋ〜５０Ｋに冷却されるパネル１２が設けられ、不純ガスがパネル１２の表面に凝縮される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる母材とダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）皮膜などの硬質皮膜との密着性が良好な硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる母材２０の表面を処理して、母材２０の最大表面粗さを３μｍ以下にした後、処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成し、その後、表面の硬質皮膜としてＤＬＣ皮膜を形成する場合には、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温の排気ガスによる変色や酸化を防止することができる内燃機関用排気管を提供する。
【解決手段】本発明による内燃機関用排気管は、内燃機関からの排気ガスが通過する通路６を囲む金属管５と、金属管５の外側を覆っており、金属管５の表面に主として含まれる金属元素の含有率が０．５質量％以下であるセラミックス膜１０とを備えている。セラミックス膜１０は、３０質量％以下のＯおよび１０質量％以上のＮを含むＳｉＯＮ膜である。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性と水蒸気バリア性が向上した粘土薄膜基板、および、その粘土薄膜基板を用いた表示素子を提供する。
【解決手段】粘土薄膜基板は、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜１１の少なくとも片面に、ガスバリア無機質層１２が積層されている。また、他の粘土薄膜基板においては、粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜の少なくとも片面に、平坦化無機質層が積層され、該平坦化無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている。ガスバリア無機質層は、窒素を含む酸化珪素膜よりなり、平坦化無機質層は、炭素を含む酸化珪素膜よりなる。これらの粘土薄膜基板は、エレクトロルミネッセンス表示素子および液晶表示素子の基板に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】高強度が要求される水分含有食品等の内容物へ適用しても破袋やデラミネーションの問題が発生しない透明ガスバリア性ポリアミド系フィルム及びそれを用いた透明ガスバリア性積層体が望まれていた。
【解決手段】プラズマＲＩＥ処理面を有するポリアミド系フィルム基材、その処理面上に無機酸化物からなる透明蒸着薄膜層、さらにガスバリア性被膜層を順次積層している透明ガスバリア性ポリアミド系フィルムにおいて、ポリアミド系フィルム基材がポリアミド系樹脂フィルムの少なくとも一方の面にポリエステル系樹脂フィルムを設けて、その表面がＲＩＥ処理面である技術を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 凹部の最下層の底部のみを選択的に削り取りつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全域に金属膜を形成することができ、しかも凹部の幅に依存することなく同じ深さだけ底部を削り取って同じ深さの削り込み凹部を形成することができる金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器３４内で金属ターゲット７８をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、金属粒子を処理容器内の載置台４４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで表面に凹部５が形成されている被処理体の表面に金属膜１０ｂを形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部１２を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素基板１の表面上にシリコン膜２を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜２の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板１およびシリコン膜２を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板の表面再構成方法である。ここで、熱処理工程後にシリコン膜を除去するシリコン膜除去工程を含んでいてもよい。また、熱処理工程後にシリコン膜を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）

本発明は、管状のロール成形された金属帯を含んでなり、管状のロール成形された金属帯の金属層間にろう付け層を有し、該ろう付け層が銅合金からなる、二重壁金属管に関する。本発明により、該銅合金が銅−スズ合金であり、該銅−スズ合金がスズ３〜１２重量％を含んでなる。本発明は、そのような二重壁金属管を形成するための金属帯、およびそのような金属帯を製造するための金属細片、および金属帯および細片を被覆する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 （もっと読む）