【課題】光学素子を成形から成膜に至るまで時間ロスのない工程設定を行い生産のリードタイムの短縮化を図る。
【解決手段】成膜機５０において成膜に要する時間をＴ１、成膜機５０の処理室５８の数をＮ１（自然数）、成形機１０において成形に要する時間をＴ２、成形機１０の処理室２２の数をＮ２（自然数）とした場合に、Ｔ１＞Ｔ２のときはＴ１／Ｔ２≦Ｎ１，Ｎ２＝１であり、Ｔ１＜Ｔ２のときはＴ２／Ｔ１≦Ｎ２，Ｎ１＝１とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電子銃によるエネルギ密度が低く、断面積の大きい電子ビームパルスによって金属の表面改質と表面被覆を一連の作業として実行する装置を提供する。
【解決手段】陽極を接地した電子ビーム発射電源から高圧直流パルスを、対向極を陰極、被処理体を陽極として印加することにより対向極から被処理体に向けて電子ビームを発射して被処理体の表面改質を行う工程と、対向極を陽極、被処理体を陰極として印加することにより被処理体から対向極に向けて電子ビームを発射して被処理体の表面に対向極のスパッタ粒子を堆積、被覆する工程とを切換える高圧直流パルスの電圧印加極性切換手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性能が良好で、目的とする誘電率の酸化ランタン化合物を高い歩留まりで安定して得るための製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ランタン化合物を形成する雰囲気中のH₂O分子、CO分子、及びCO₂分子を、ランタン原子１個に対してそれぞれ1/2個,1/5個,及び１/10個以下とし、次いで、前記基板に対して、ランタンと、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ランタン原子１個に対して２０個以上の酸素分子を含むようにして酸素とを同時に供給し、前記基板上に、前記アルミニウム、前記チタン、前記ジルコニウム及び前記ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む前記酸化ランタン化合物を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホールにも確実にＣｕを埋め込むことができるＣｕ配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に形成されたトレンチ３を有するＬｏｗ−ｋ膜２にバリア層４を介してＣｕ配線を形成するにあたり、バリア層４の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層５を形成し、被濡れ層５の上にＰＶＤによりＣｕ層６を形成し、Ｃｕ層６を形成した後、シリコン基板１を加熱してＣｕ層６を流動させ、トレンチ３内にＣｕを流し込む。 （もっと読む）

【課題】水蒸気透過率が低くて、層間の密着性が良好な有機無機積層型のガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に有機層と無機層を含むバリア層を有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層が、有機層、膜密度が１．７以上である第一無機層、および第一無機層よりも膜密度が０．５〜１．５高い第二無機層から構成されていることを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 （もっと読む）

【目的】基材に対して軽い前処理を行った場合でも、基材と蒸着層の高い密着性を確保することができる蒸着用アルミニウム箔材を提供する。
【構成】厚さ１０〜５０μｍのアルミニウム箔材であって、該箔材表面のハンターホール法で測定した酸化皮膜厚さが０．６Ｖ以下であり、箔材表面に残留している油分が６００ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とし、弱アルカリ溶液、有機溶剤による洗浄処理、特定条件での加熱処理により製造する。 （もっと読む）

【課題】被膜内部および被膜表面のマクロ粒子を減少させて、被膜の穴、ボイド、ポアの量を低減することで、クレーター摩耗、逃げ面摩耗、フリッティングを低減し、かつ、フリッティングやスポーリングを生じないで厚いＰＶＤ被膜を堆積させることができる、被膜付き切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、該基材上に陰極アーク蒸発ＰＶＤ堆積法で被膜を堆積させる工程とを含み、該被膜は窒化物、酸化物、硼化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物またはこれらの組合せである、被膜付き切削工具を製造する方法において、
上記堆積工程において、該被膜に別個の中間イオンエッチングを１回以上施す。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

【課題】紫外線照射ランプを基板に近接した位置から照射でき、基板を効率的に、しかもむらなく洗浄することができるようになし、また紫外線照射ランプが蒸着源から基板までの経路と干渉しないようにする。
【解決手段】真空蒸着装置を構成するチャンバ１の内部に成膜される基板１０が所定数装架されたドーム４が設けられ、このドーム４の下方位置に蒸着源ユニット５が設置されている。紫外線照射ランプ２０とランプハウス２１とからなるランプユニット２２はドーム４に近接した紫外線照射位置と、ドーム４から離間した退避位置との間に往復変位可能になっており、紫外線照射ランプ２０はライン状のものであり、その長さ寸法は、ドーム４において、各基板１０が装架される基板装着孔７の配列幅寸法より長く、紫外線照射位置では、各基板１０に対して僅かな隙間を介して対面する。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂製成形体表面へ金属メッキを施すに当っての、その下地基盤を効率良く形成させる。
【解決手段】合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程１と、除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入し、処理槽内を１〜１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程２と、処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素等のガスを導入するガス導入工程３と、ガスの導入された処理槽内へ高周波電圧を印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程４と、プラズマ処理の施された後に処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程５と、真空圧状態に保持された合成樹脂製成形体の表面に金属製の皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程６と、からなる。 （もっと読む）

【課題】所望の結晶性を有する酸化亜鉛薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、該結晶性薄膜のｃ軸が基板に略垂直方向に配向しており、かつ該結晶性薄膜のｃ軸方向の極性面の一つである亜鉛面が最上層に形成されているものである。また、基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、金属薄膜層上に薄膜形成技術によって形成される。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
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【課題】許容可能なコーティング速度を有し、有機材料層の上、例えば、ＯＬＥＤ層の上に、損傷のない又は損傷の少ないスパッタコーティングを与える装置及び方法を提供する。
【解決手段】コーティングチャンバと、有機材料層が堆積した基板１１０ａ，１１０ｂと、該コーティングチャンバに配置された少なくとも１つの回転可能なカソードユニットであって、少なくとも１つの回転可能なターゲット１０２と、該ターゲット１０２の少なくとも１つの表面部分の上に配置された少なくとも１つのプラズマ閉じ込めゾーンを生成するための磁石アセンブリ１０４とを含むユニットと、スパッタ粒子を散乱する散乱ゾーンと、ある比率の該スパッタされた粒子が、該基板表面に移動するのを選択的に防ぐ手段とを含む。 （もっと読む）

Ｓｉ基板上にＳｉＣ含有フィルムを成長させるための方法が開示される。ＳｉＣ含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Ｓｉ基板上に形成することができる。このようにして成長されたＳｉＣ含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なＳｉＣウェハーの代わりに提供される。
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【課題】フィルムの両面に均一かつ高品質な薄膜を安定して形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送室３には成膜室５ａおよび５ｂが連接し、それぞれ真空ポンプ９ａないし９ｃにて減圧される。搬送室３内には巻出しドラム１３から巻取りドラム３１までのフィルム１５の搬送系が作られている。巻出しドラム１３から巻取りドラム３１の間には、フィルム１５を加熱する加熱手段１７ａないし１７ｆと、フィルム１５の片面に薄膜を形成する第１の成膜手段２５ａと、フィルム１５の他面に薄膜を形成する第２の成膜手段２５ｂが設けられている。巻出しドラム１３で巻き出され、両面に薄膜が形成されて、巻取りドラム３１で巻取られるまで、フィルム１５は減圧条件化におかれ、大気に触れることは無い。 （もっと読む）

【課題】広い波長範囲において十分に高度な反射防止性能を発揮することが可能な反射防止膜を提供すること。
【解決手段】光学基板と媒質との界面における光線の反射を低減させるために該光学基板の光学面上に形成された反射防止膜であって、
隣接する層同士の屈折率が異なるようにして８層以上の層が積層されてなり、前記媒質と接する最表層の屈折率ｎ_１が設計中心波長λ_０において１．３０以下であり、且つ、波長範囲がλ_０±１２０ｎｍの範囲にある入射光に対する反射率Ｒが、光線入射角０〜１０度の範囲において０．１％以下であることを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】切刃が高温となるような切削条件においても、高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】Ｃｏを含有する非酸化物基体２の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ}Ａｌ_aＭ_b（Ｃ_xＢ_ｙＮ_{１−x−ｙ}）（ただし、ＭはＴｉを除く周期表４、５、６族元素、Ｙ、ＨｆおよびＳｉから選ばれる１種以上、０．４０≦ａ≦０．６５、０≦ｂ≦０．１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる被覆層６を被覆してなり、非酸化物基体２と被覆層６との界面において、酸素を０．５〜１０原子％の含有量で前記界面の近傍よりも多く含有しているとともに、前記界面の酸素を最も多く含む位置で基体２中のＣｏ含有量に対して２０〜５０％の含有量のＣｏを含有している切削工具１であり、切刃が高温となるような切削条件においても、高い耐欠損性と耐摩耗性を有する。 （もっと読む）

【課題】アーキング現象発生を抑制して、被処理物品に良好に目的とする処理を施す。
【解決手段】ホルダ２に被処理物品Ｗを配置した状態で真空容器１内から排気し、容器１内へ加熱用ガスを供給するとともに該ガスを加熱して容器１内に加熱用ガス雰囲気を形成し、該加熱用ガス雰囲気のもとで物品Ｗ等を加熱し、容器１から排気することでアーキング発生促進物質を該物品Ｗ等から脱離させ、加熱用ガスとともに容器１外へ排出する。次いで物品Ｗに目的とする処理（例えば膜形成処理）を施す。 （もっと読む）