【課題】食品や非食品及び医薬品等の高度なガスバリア性が必要とされ、且つレトルト加工を必要とする包装分野に用いられるレトルト適性を付与した透明積層体に関する。
【解決手段】
透明プラスチックフィルムからなる基材のレトルト適性を付与した透明積層体であって、前記透明プラスチックフィルムからなる基材の片面もしくは両面に、プラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、その上面に無機酸化物からなる蒸着薄膜層、Ｓｉ（ＯＲ¹）₄およびＲ²Ｓｉ（ＯＲ³）₃（但しＲ¹、Ｒ³はＣ_nＨ_2n+1，Ｃ_mＨ_2m，Ｏ・Ｃ_eＨ_2l+1等の加水分解性基、Ｒ²は有機官能基）で表されるケイ素化合物あるいはその加水分解物と水酸基を有する水溶性高分子を混合した溶液を塗布し加熱乾燥してなるガスバリア性被膜層を順次積層した積層体からなることを特徴とするレトルト適性を付与した透明積層体。 （もっと読む）

【課題】高価な合金元素を多量に用いることなく、低コストでありながら、しかも耐熱性に優れたピストンリング及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃが０．４５〜０．８０重量％、Ｓｉが０．８０〜２．５０重量％、Ｍｎが０．１０〜１．００重量％、Ｃｒが０．３０〜１．２０重量％、Ｎｉが０．２０〜１．５０重量％、Ｖが０．０５〜０．５０重量％であって、残部が主としてＦｅからなる線材に、熱処理と伸線加工を施して矩形断面へ塑性加工し、焼き入れと焼き戻しを行った後にピストンリング形状に加工し、そのピストンリングに歪取焼鈍を施した後イオンプレーティングを施すことにより得られるピストンリングにおいて、歪取焼鈍後の材料の硬さがビッカース硬さ（ＨＶ０．５）で４８０〜５５０である。 （もっと読む）

【課題】誘電面上に生じる電荷の中和効果を向上させ、平坦な面も曲線状の面もイオンビーム処理し得る、誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置を提供する。
【解決手段】カソード４の材料にグラファイトまたはボロンを使用し、かつ作動ガスとして酸素またはその混合物を使用することによって、スパッタリング生成物が被処理面１上に凝縮しなくなることで、被処理面１への汚染を最小限にする。また被処理面１へのイオン流の作用領域と、この面とトンネル状の磁界部分との交差領域とが、部分的重なるようにすることによって、被処理面１上の電荷の中和効果を向上させる。種々の形状のイオンビームを生成する加速器をイオン源２として使用することで、平坦な面も曲線状の面もイオンビーム処理できるようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶化温度よりも低い熱処理温度においても緻密な複合酸化物の結晶微粒子膜が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】本複合酸化物の結晶微粒子膜の製造方法は、基板１上に少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素とチタンとを含む複合酸化物の結晶微粒子膜２を形成する工程と、結晶微粒子膜２上に貴金属膜３を形成する工程と、貴金属膜３が形成された結晶微粒子膜２を４００℃以上６００℃未満で熱処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】食品、医薬品、電子機器関連部材などの包装に際して用いられる包装用の透明積層体、特に高度な水蒸気バリア性が確保でき、食品、医薬品、電子機器関連部材などの湿気を嫌う被包装物の包装に好適に用いられる水蒸気バリア性を有する透明積層体の提供を目的とする。
【解決手段】透明プラスチック基材の少なくとも一方の面にはプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理によりＲＩＥ前処理層が設けられていて、このＲＩＥ前処理層上には無機酸化物からなる透明蒸着薄膜層と、膜硬度が３．０〜２０．０ＧＰａであるガスバリア性被覆層が順次積層されて設けられている。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状の微細加工に適し、製造効率を向上させた複合金属箔、複合金属箔の製造方法、成形金属箔及び成形金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹凸形状を有する複合金属箔ならびに成形金属箔の製造において、作製すべき複合金属箔ならびに成形金属箔の凹凸形状に対応する凹凸形状をキャリア基材表面に形成する工程と、前記凹凸形状が形成されたキャリア基材の表面に沿うようにして気相成長法を用いて被覆金属層を形成する工程とを含む製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリアフィルムを積層体として用いる際に、積層体にした後でも基材への処理の有無を確認できるようなガスバリアフィルム積層体を提供する。
【解決手段】プラスチック基材（１）の少なくとも一方の面に厚さ５〜１００ｎｍの無機酸化物蒸着層（２）を設けたガスバリアフィルムの無機酸化物蒸着層側と他のプラスチックフィルム（５）とをドライラミネートすることにより作製したガスバリアフィルム積層体において、この積層体を剥離面に水を塗布しながら剥離すると、ガスバリアフィルムの基材（１）の表層で剥離が起こり、さらに剥離面のプラスチックフィルム（５）側をＸ線光電子分光測定した時に、剥離面から検出される無機酸化物蒸着層に含まれる無機物に由来する元素の合計比率が９．０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とするガスバリアフィルム積層体。 （もっと読む）

【課題】多大な工数をかけることなく、光学薄膜の形成後も優れた光学特性を有する光学部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】治具板７に設けられた外側の支持部１０と中心側の支持部８との相対位置の調整を、外側の支持部１０と中心側の支持部８との間の距離の調整で行なう。この調整は、治具板７を基準として行なうので、微小単位で、微少距離まで、再現性良く、任意に調整することができる。その結果、基板２に加える変形も微小単位で、微少量まで、再現性良く、任意に調整することができる。光学薄膜３の形成方法において、基板２と光学薄膜３の材料源や基板２の加熱源等との距離や角度によって、基板２毎の熱膨張や光学薄膜３の残留応力は微妙に異なった値となる。この発明では、基板２毎に調整を行なうので、かかる熱膨張や残留応力に応じた微妙な調整もできる。 （もっと読む）

【課題】低温で自然酸化膜除去のできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１と、基板を加熱する加熱手段２０７と、処理室内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室内の雰囲気を排出する排出手段２４６と、制御部１６２とを備え、制御部は、基板上に所望の薄膜を生成する前に、ガス供給手段から少なくとも三塩化ホウ素ガスを処理室内に供給し、基板上に生成されている自然酸化膜の除去を行うように制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜と半導体基板の界面に形成されやすい界面反応層の形成を抑制しつつ、界面準位を低減することを可能にする。
【解決手段】単結晶半導体基板１と、単結晶半導体基板に吸着した金属元素を含み、単結晶半導体基板表面の原子配列と整合した単一の周期構造を有する吸着層２と、吸着層上に形成された誘電体膜３と、誘電体膜上に形成された電極４とを備え、吸着層を構成する金属元素の酸化物、単結晶半導体基板の元素の酸化物、および誘電体膜を構成する金属元素の酸化物の単位酸素当たりの標準生成エンタルピーをそれぞれ、ΔＨ_ａ、ΔＨ_ｓ、ΔＨ_ｄとしたとき、ΔＨ_ａ≧ΔＨ_ｄかつΔＨ_ｓ≧ΔＨ_ｄの関係を満足する金属元素で吸着層および誘電体膜が形成されている （もっと読む）

【課題】マトリクス型表示装置の表示領域の周辺部に設けられる低温ポリシリコン（ＬＴ
ＰＳ）層と透明電極と同時に形成される透明導電体層との間の接続抵抗値を低くでき、表
示不良の発生が少ない液晶表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に利
用できるＬＴＰＳ層の表面に透明導電体層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＬＴＰＳ層の表面に透明導電体層を形成する方法は、室温において
低温ポリシリコン層の表面を希フッ酸によりエッチングした後に透明導電体層を積層する
方法において、前記低温ポリシリコン層のエッチング量（酸化珪素ＣＶＤ膜エッチング量
換算）を３０Å以上７０Å以下としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜条件の変化に依存せずに、配向性に優れるYBCO系高温超電導体膜を成膜することができる、配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材を提供するとともに、優れた配向性を有するYBCO系高温超電導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶方位の揃った基材表面にZrまたはZr酸化物が部分的に存在することを特徴とする配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材、および、該YBＣO系高温超電導体成膜用複合基材を用いて超電導体膜を作製することを特徴とする配向性に優れたYBCO系高温超電導体膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】簡単に薄膜の光学的特性の向上を図り、特に多層構造とした場合に光学特性の向上を可能にする。
【解決手段】真空容器内１０に保持した基板１４に高屈折率物質と低屈折率物質とを交互にイオンアシスト蒸着法によって蒸着する光学薄膜形成方法において、基板１４に形成した低屈折率物質の蒸着薄膜に高屈折率物質の蒸発粒子とイオンとを同時に供給する蒸着工程の前に、イオンを所定時間供給する予備的イオン照射工程を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

例えば黒鉛状あるいはアモルファス炭素（すなわちａ−Ｃ）などの非ダイヤモンド状炭素とダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）との両方を含む様々な自己支持多層炭素フィルムが開示される。例えばアモルファス炭素の２つの層の間に挟まれた単一のＤＬＣ層を含む３層構造を含む最終製品において望まれる性質の特定の組み合わせに応じて、広範囲の多層構造が構成されてもよい。十分平坦な堆積面を含む適切な基板を用意する工程と、離型剤あるいは剥離剤を堆積面に塗布する工程と、複合炭素フィルムを形成するためにアモルファス炭素層とＤＬＣ炭素層との両方を含む複数の炭素層を堆積する工程と、複合炭素フィルムを基板から取り外す工程とを含む複合多層フィルムの製造方法の実施形態も開示される。
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【課題】 バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。ビアホール内の下側の一部に、埋め込み部材を充填する。層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。ビアホール内の埋め込み部材を除去する。ビアホール及び配線溝内に導電部材を充填する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化ポーラスアルミナ細孔内に真空蒸着法により他物質を充填するに際し、高アスペクト比の充填構造を簡便に、かつ、安価に達成可能とした、陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理により少なくとも陽極酸化ポーラスアルミナの細孔の開口部を拡径した後、細孔内に真空蒸着により他物質を充填する方法であって、前記エッチング処理の後再び陽極酸化を行うことにより、初期に形成されていた細孔の底部から延長する細孔を形成し、この２段の細孔に対してさらに前記エッチング処理を行うことを特徴とする陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法。 （もっと読む）

連続ロール間堆積被覆装置および帯基材のエッジに連続被覆する方法が開示される。本発明は、緻密な被覆と基材との間の密着が向上した硬い、耐摩耗性被覆金属帯を得ることを目的とする。前記堆積被覆装置は、堆積領域（１１８）の上流のエッチング領域（１１６）を含む真空処理チャンバー（１１４）；前記エッチング領域中の少なくとも１つのイオンエッチング装置（１２０）；および前記堆積領域中の少なくとも１つの堆積装置（１２２）を含んでなり、前記の少なくとも１つの堆積装置が少なくとも１つのターゲット（１２４）を含み、前記帯基材が、前記真空処理チャンバーを通って移動する際に、前記エッチング領域中の前記の少なくとも１つのイオンエッチング装置に向かって第１エッジ部（１４０）を突出し、前記堆積領域中の前記の少なくとも１つの堆積装置のターゲットに向かって第１エッジ部を突出し、前記帯基材の第１エッジ部が第１遠位部に向かって第１近位部（１４４）から先細になっている少なくとも第１傾斜表面（１４２）を含み、前記の第１近位部が前記の第１遠位部より帯基材の中央領域に近く、前記第１傾斜表面が第１表面法線（１５０）を有し、前記の少なくとも１つの堆積装置のターゲットがターゲット法線（１２８）を有するターゲット表面（１２６）を含み、前記ターゲット法線が角度αで前記第１表面法線と交差するよう前記第１傾斜表面に対して傾斜しており、αが９０°以上である。
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【課題】固相エピタキシル成長によって、きわめて簡単な工程で効率的に、複数のシリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造する方法及びそのシリコンナノ結晶材料を実現する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に形成した酸化シリコン薄膜２に、シリコン基板１の表面に達するナノホール６を任意のサイズ及び二次元配列で形成し、ナノホール６内に、レーザーアブレーション法を用いてシリコン１０を供給堆積し、その後、加熱することで、ナノホール６内のシリコン１０をシリコン基板１からの固相エピタキシル成長させて単結晶のシリコンナノ結晶細線１１を形成し、シリコンナノ結晶細線１１から成るシリコンナノ結晶材料１２を製造する。 （もっと読む）