【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、第１のトランジスタ群および第２のトランジスタ群を具備し、第１のトランジスタ群は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタおよび４の端子を有しており、第２のトランジスタ群は、第５乃至第８のトランジスタおよび４の端子を有しており、第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、第６のトランジスタ、第８のトランジスタはｎチャネル型トランジスタが用いられ、第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第７のトランジスタはｐチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第１の高電源電位が選択的に与えられる第１のノードを有する回路と、第１のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる第２のノードとを有する。トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。トランジスタのゲートには、第２の高電源電位または接地電位が入力される。電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。第２の高電源電位は、第１の高電源電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】十分な光量を透過できるとともに高いブラインド効果を得ることができるシート材であって、高い遮光性、遮熱性と高い視認性のいずれもを兼ね備えた光透過性シート材を提供する。
【解決手段】総繊度が1０〜３３０ｄｔｅｘの合成繊維を用いてカバーファクターを５００〜４０００にした織編物の片面に金属層を設けており、反対面は金属層を設けずしてなるシート材であり、該シート材の前記片面から前記反対面への可視光透過率が５〜５０％、且つ前記反対面の可視光反射率が３０％以下である光透過性シート材。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】高速成膜で発光層を成膜しても発光素子の発光効率の低下を抑制することができる連続成膜装置を提供する。
【解決手段】連続成膜装置は、第２の蒸着室２１４と、それに繋げられた第３の蒸着室２１５と、第２の蒸着室内から第３の蒸着室内へ基板１０を搬送する搬送機構と、第２の蒸着室内に配置され、前記基板の搬送方向に並べて配置された複数の第３の蒸着源１４と、第３の蒸着室内に配置され、前記搬送方向に交互に並べて配置された第４の蒸着源１５ａ〜１５ｃ及び第５の蒸着源１６ａ，１６ｂと、を具備し、第３の蒸着室において最も第２の蒸着室側に配置される蒸着源は第４の蒸着源１５ａであり、第４の蒸着源は、ホスト材料を有し、第５の蒸着源は、ドーパント材料を有し、第３の蒸着源の蒸着材料のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位に揃えられている。 （もっと読む）

【課題】成型加工を行っても相手材表面との摩耗を低減できる被膜を被覆した鉄系合金製パンチ工具を提供する。また、万一に被膜の摩耗が生じても鉄系合金製パンチ工具の損傷を未然に防止できる被膜を被覆した鉄系合金製パンチ工具を提供する。
【解決手段】Ｖ_{（１−Ｘ）}Ｃ_Ｘから成り、かつＸは原子％で７０ａｔ％超９５ａｔ％以下であるバナジウム含有被膜を鉄系合金製パンチ工具２１に被覆する。また、鉄系合金製パンチ工具２１とバナジウム含有被膜との間に複合被膜を被覆して、複合被膜は鉄系合金製パンチ工具２１から近い順にＶ被膜、Ｖ_{（１−Ｙ）}Ｃ_Ｙ被膜（ただし、Ｙは原子％で４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下）から成る被膜とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と密着性に優れる硬質膜を表面に有し、長寿命で交換回数を大幅に削減し得る寸法測定治具を提供する。
【解決手段】基材２の表面に硬質膜１が成膜されてなる寸法測定治具であり、硬質膜１は、基材２の表面上に直接成膜されるクロムを主体とする下地層１ａと、下地層１ａの上に成膜されるタングステンカーバイトとダイヤモンドライクカーボンとを主体とする混合層１ｂと、該混合層１ｂの上に成膜されるダイヤモンドライクカーボンを主体とする表面層１ｃとからなる構造の膜であり、混合層１ｂは、下地層１ａ側から表面層１ｃ側へ向けて連続的または段階的に、該混合層１ｂ中のタングステンカーバイトの含有率が小さくなり、該混合層１ｂ中のダイヤモンドライクカーボンの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 自動車部品のような使用環境が苛酷な用途においても優れた耐食性を発揮する、ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材に対する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 以下の工程を少なくとも含んでなることを特徴とする。
工程１：ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材の表面に陽極酸化被膜を形成する工程
工程２：工程１において形成した陽極酸化被膜を２５０℃以上で加熱処理する工程
工程３：工程２において加熱処理した陽極酸化被膜の表面に膜厚が２０μｍ以上のＡｌ蒸着被膜を０．１μｍ／分〜０．５μｍ／分の成膜速度で形成する工程
工程４：工程３において形成したＡｌ蒸着被膜の表面に陽極酸化被膜を形成してからその表面を熱水処理する工程 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器２０内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】一定の組成及び膜厚を有する蒸着重合膜が膜状基材上に積層形成された積層構造体を安定的に製造することができる装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２４内に設置された回転ドラム３５の外周面上に膜状基材１５を供給する膜状基材供給手段４６を設ける一方、真空チャンバ２４内で回転ドラム３５の外周面に向かって開口する吹出口６６を有すると共に、成膜室を内部に備えた複数の吹出口部材６４を、真空チャンバ２４内の回転ドラム３５の周囲に、その周方向に並べて配置し、更に、それら複数の吹出口部材６４の成膜室内に、複数種類のモノマー蒸気を供給して、それら複数種類のモノマー蒸気を各吹出口部材６４の吹出口６６から吹き出させるモノマー蒸気供給手段８４ａ，８４ｂを少なくとも一つ設けて、構成した。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は１７０℃〜２２０℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は＋２．５％以下であることが好ましい。 （もっと読む）