【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】材料の損失の少なくできる又は内圧の上昇による再開放時の蒸発・昇華速度の変化や材料の変質を齎すことない或いは蒸発源の保守時間の短く、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び有機ＥＬデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバに設けられた一つ又は２つの処理部に基板６を搬入し、蒸着物噴射口部を長手方向に複数備える蒸発源７を走査して前記基板に蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置又はその方法において、前記２つの処理部の有するそれぞれ前記基板を保持する基板保持部９を垂直または略垂直にした状態で互いに正対させ、前記蒸着物噴射口部を回転させて、蒸着する基板を替えること、或いは前記蒸発源を前記真空蒸着チャンバに隣接して設けられた蒸発源保守交換室に移動し、前記真空蒸着チャンバの真空を蒸発源保守交換室から隔離し、前記蒸発源を保守又は新たな蒸発源と交換する。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料を溶媒に溶かしてなる液体材料から溶媒を確実に除去して蒸着を行うことで、この溶媒による基板の汚染を防止し、高品質の蒸着膜を得ることができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】有機液体材料Ｌを、蒸発装置２で有機溶媒を除去した上で蒸発させて蒸発材料とし、これを真空容器４内の基板Ｋに導き蒸着させる真空蒸着装置１であって、蒸発装置２が、有機液体材料Ｌが充填されて蒸発溶媒の排出口２２が形成された蒸発容器２０と、有機溶媒のみが蒸発して蒸着材料が蒸発しない温度に設定し得る蒸発用ヒータ１８と、排出口２２に第２開閉弁１２を介して接続された蒸発室用真空ポンプ１５と、流量調整弁１６とを有し、蒸発装置２が、流量調整弁１６を閉にすると共に、蒸発容器２０内の有機溶媒のみを蒸発用ヒータ１８で蒸発させた後、第２開閉弁１２を開にして上記ポンプ１５で蒸発容器２０内の蒸発溶媒を吸引し、有機溶媒を除去し得るもの。 （もっと読む）

【課題】真空中で成膜用フィルム上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、成膜用フィルムを搬送して巻き取ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜用フィルムロール４０から繰り出された成膜用フィルム４上に真空中で成膜を行い、かつ、成膜された成膜用フィルム４をロール状に巻き取る巻取式成膜装置１である。成膜用フィルム４をフィルム支持ローラ７に巻き付けた状態で成膜用フィルム４上に成膜を行う第１〜第４の成膜領域３１〜３４と、成膜された成膜用フィルム４の成膜されていない面４ｂを支持して搬送するフィルム搬送機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】複数の機能領域を有する有機化合物膜を作製する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に複数の蒸発源を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を
連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。さらに
、成膜室の内壁の表面は電解研磨されている。成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手
段を有し、基板搬送手段は、成膜部の上方に設けられ、成膜部と同一空間を有しており、
成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有している。成膜部は、基板搬送手段に
よる基板の搬送空間を含んで設けられ、基板搬送手段に基板が保持された状態で蒸着が行
われる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、材料の損出の少なくできる、あるいは安定した蒸着の妨げとなる内圧の変化を防ぐ蒸発源を提供することである。また、前記蒸発源に適した有機ＥＬデバイス製造装置及び有機ＥＬデバイス製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、内部に蒸着材料を内在する坩堝と、前記蒸着材料を加熱し蒸発・昇華させる加熱手段と、前記蒸発・昇華した前記蒸着材料を噴射する蒸着物噴射口をライン状に複数並ぶ蒸着物噴射口部を有する蒸発源において、前記蒸着物噴射口部を複数設け、各前記蒸着物噴射口部毎に開閉する開閉手段を有することを第1の特徴とする。また、本発明は、複数ある前記蒸着物噴射口部のうち少なくとも一つの前記蒸着物噴射口部を開き、そのときに他の前記蒸着物噴射口部の全ての前記蒸着物噴射口部を閉じるように前記開閉手段を制御する制御手段を有することを第２の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着準備工程では、蒸着材料３０を収納する坩堝１３、坩堝１３を加熱する加熱部１４、および坩堝１３内で気体化した蒸着材料３０を被処理物に向かって放出するノズル１２、を備える蒸発源１０、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。次に、坩堝１３に収納された蒸着材料３０を加熱部１４により加熱して、気体化した蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。次に、蒸発源１０の外側からノズル１２を介して坩堝１３内にガス２６を供給し、かつ、加熱部１４を停止させて坩堝１３を冷却する。 （もっと読む）

【課題】高速成膜で発光層を成膜しても発光素子の発光効率の低下を抑制することができる連続成膜装置を提供する。
【解決手段】連続成膜装置は、第２の蒸着室２１４と、それに繋げられた第３の蒸着室２１５と、第２の蒸着室内から第３の蒸着室内へ基板１０を搬送する搬送機構と、第２の蒸着室内に配置され、前記基板の搬送方向に並べて配置された複数の第３の蒸着源１４と、第３の蒸着室内に配置され、前記搬送方向に交互に並べて配置された第４の蒸着源１５ａ〜１５ｃ及び第５の蒸着源１６ａ，１６ｂと、を具備し、第３の蒸着室において最も第２の蒸着室側に配置される蒸着源は第４の蒸着源１５ａであり、第４の蒸着源は、ホスト材料を有し、第５の蒸着源は、ドーパント材料を有し、第３の蒸着源の蒸着材料のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位に揃えられている。 （もっと読む）

【課題】高精度な蒸着ができ、長時間の連続稼動も可能な蒸着装置並びに蒸着方法の提供。
【解決手段】成膜室30において、蒸発源１から蒸発した成膜材料を、蒸着マスク２のマスク開口部を介して基板４上に堆積して、この蒸着マスク２により定められた成膜パターンの蒸着膜が基板４上に形成されるように構成した蒸着装置であって、前記蒸発源１から蒸発した蒸発粒子の飛散方向を制限する制限用開口部５を設けた飛散制限部を有し、前記蒸着マスク２が付設されたマスクホルダー６を備え、この蒸着マスク２が付設された前記マスクホルダー６が前記成膜室30と往来できるロードロック室32、前記マスクホルダー６が前記ロードロック室32と往来できる待機室33及び装置外部に前記マスクホルダー６を取り出し可能な取出し室34を有する交換室31を備えたことを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】従来の成膜装置において、マスクに対するクリーニングは、長時間にわたり行われていた。
【解決手段】成膜室を有し、成膜室は、プラズマを発生させる手段を有し、プラズマを発生させる手段は、成膜室に配置されるマスクを電極として有することができ、マスクに高周波電界を印加して、成膜室に導入されたガスを励起してプラズマを発生することができる。Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ_３、またはＯから選ばれた一種または複数種を有するガスを用いてプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】複数の真空処理室を直線的に配置した従来の装置にあっては、全体構造が大型化して、製造コストの低減やタクトタイムの短縮が難しいという問題点があった。
【解決手段】プレート状のワークＷの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、所定間隔で配列した複数の真空チャンバー１Ａ〜１Ｐと、これらの真空チャンバーを移動させるターンテーブル４と、ワークＷを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空ポンプ３を備え、各真空チャンバー１Ａ〜１Ｐが、ワークＷを保持するワーク治具４と、スパッタリング用のターゲット５と、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段１４と、ターゲット５に高電圧を印加する電圧印加手段１６を備えた構成とし、製造コストの低減やタクトタイムの短縮化を実現した。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱／冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱／冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱／冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 （もっと読む）

【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を簡素な構成の装置で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置１００は、真空槽１００ａと、真空槽１００ａの外部に設けられたホスト材料蒸発源７０ｈ、第１及び第２のドーパント材料蒸発源８０ｄ、９０ｄと、ホスト材料蒸発源７０ｈ、第１及び第２のドーパント材料蒸発源８０ｄ、９０ｄから供給された蒸発材料の蒸気を基板５に向って放出する蒸気放出器８とを備える。蒸気放出器８は、同心状に配置された径の異なる第１〜第５の筒状の蒸気拡散部１１〜１５を有するとともに、隣接する蒸気拡散部が、蒸発材料の蒸気が通過可能な第１〜第４の連通口２１〜２４を介して互いに接続されている。蒸気放出器８は、基板５に対し、蒸気放出器８の延びる方向と直交する方向に移動するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部１からの信号を記録する記録部２を内側容器３に収容し、その内側容器３を外側容器４〜６に収容することで断熱する構成とする。外側容器４〜６を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器４と内側容器３との間に隙間部を形成すると共に、内側容器３と記録部２との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 （もっと読む）