【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する２つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にGaのダブルグレーデッド構造を有し、かつ面内均一性を有するCIGS膜を効率的に製造する。
【解決手段】膜用基板を一方向に搬送する基板搬送機構16を備え、成膜用基板Sの搬送方向Aに沿って最上流に、In蒸着源21とGa蒸着源22とが交互に配置されてなる行列状のIn-Ga第１蒸着源群31を配置し、制御部15により、搬送方向Aの最上流と最下流との間にGa/(In+Ga)比が最小、かつその最小のGa/(In+Ga)比が最上流または最下流でのGa/(In+Ga)比の半分以下となる領域が存在するように、各蒸着源21〜23、25からの蒸発量を制御する。 （もっと読む）

【課題】第４世代以上の大型基板にも対応可能な極めて実用性に秀れた成膜装置の提供。
【解決手段】直立状態に保持された基板２にマスク３を介して成膜材料を付着せしめて成膜を行う成膜室１を備えた成膜装置であって、成膜室１に、マスク３が基板２に対して適正位置となるようにマスク３と基板２との位置合わせを行うアライメント駆動機構と、基板２若しくはマスク３の搬送方向に沿って移動可能な蒸発源100と、蒸発源100と対向する複数の成膜位置に基板２及びマスク３を夫々直立状態で搬送するマスク搬送機構及び基板搬送機構とを設け、一の成膜位置において蒸発源100により成膜を行いながら他の成膜位置においてアライメント駆動機構によりマスク３と基板２との位置合わせを行えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を安定して保持することが可能なロードロック装置と、このロードロック装置が付設された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空槽の内外に真空槽内の減圧状態を維持したまま基板を搬入出可能なロードロック装置であって、基板を載置する凹部を有するトレイを支持することが可能な支持台と、基板を保持する蓋部と、を備え、真空槽には、基板を搬入出する開口が設けられ、真空槽の開口は、真空槽外部から蓋部によって閉塞され、真空槽内部より支持台によって閉塞することで、真空槽の壁、蓋部、および支持台によって真空槽の外部および内部から遮蔽された閉塞空間が形成され、閉塞空間を大気圧とする通気手段と、閉塞空間を減圧する排気手段と、を、さらに備え、蓋部は、閉塞空間を形成しているときに基板を載置するトレイの凹部より外側に位置する複数の保護部材を有するロードロック装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】巻取り式連続成膜装置において、高生産性を図るに際して長大化させた成膜源、成膜ロール、ガイドロール群、及び成膜マスクなどに対するメンテナンスや段取り作業を容易化すると共に、幅を拡大させた基材において幅方向で品質的に均一な被膜を形成させることができるようにする。
【解決手段】本発明の巻取り式連続成膜装置１は、真空チャンバ２と、真空チャンバ２内に配備された成膜ロール３，３と、成膜ロール３，３に亘って巻き掛けられる基材Ｗの表面に被膜を形成する成膜源４，４とを有し、真空チャンバ２は、前後壁６，７及び上下壁８，９からなるチャンバ本体１０と、チャンバ本体１０に対して開閉自在とされた左右の側壁１１，１２とを備え、チャンバ本体１０の前後壁６，７及び／又は上下壁８，９には、成膜ロール３，３で挟まれたロール間領域への作業者の出入りを可能にする出入口部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を真空中で処理するための真空容器において、軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にすることができる真空容器、及び、そのような真空容器を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする板材と、一組の板材が形成する閉空間の内面に当接されて閉空間に配置される補強板と、一組の板材の結合部を結合する締結部材と、を備えることを特徴とする真空容器であり、それを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板に偏りなく均一に多品種の積層膜を成膜可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。また、複数の材料で形成される薄膜の組成を精密に制御することが可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半径方向に並べて配置された複数の蒸着源を有する蒸着源群を、回転軸に対して放射状に複数配置する。成膜は回転軸に対して基板が公転、または蒸着源群を配置したテーブルが自転、若しくはその両方をさせながら行う。その際、回転半径の小さい箇所と大きい箇所とでは線速度が異なるため、成膜速度を均一にするために、テーブルに半径方向に並べた蒸着源は、外側に向かうほど気化速度が速くなるよう制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】有機材料の利用効率の向上と装置設置面積の削減とを両立させて、有機ＥＬデバイスの製造コストを低減できる薄膜形成装置及びインライン型の有機ＥＬデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板１６の搬入位置２０に配置され、基板１６と蒸着マスク１７とを相対的に移動させて位置合わせする位置合せ機構１５と、基板１６が組み込まれた蒸着マスク１７を搬送する搬送機構１４と、基板１６と蒸着マスク１７が移動しながら、蒸着マスク１７の開口部を通して基板１６上に有機材料を積層する成膜機構１３と、を備え、少なくとも成膜機構１３の前段もしくは後段のいずれか一方において、基板１６の搬入位置２０もしくは搬出位置２１の搬送機構１４ａ、１４ｃと成膜区間の搬送機構１４ｂとが並列配置されている。 （もっと読む）

【課題】劣化が低減された活物質膜を作製することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】Ｌｉ膜を構成すべきＬｉを蒸発させる蒸発源、及び、該蒸発源から蒸発させたＬｉを表面に付着させる成膜部を有する第１チャンバー並びに第２チャンバーと、第１チャンバー及び第２チャンバーを減圧する減圧手段と、を備え、第１チャンバー及び第２チャンバーを大気解放する前に流入させる気体が第２チャンバーを通過した後に第１チャンバーへと流入するように、第１チャンバー及び第２チャンバーが配置されている、蒸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する蒸着材料中の不純物の基板及び堆積膜中への付着を防止すると共に、成膜チャンバー内を短時間で高真空に到達させ、真空排気後短時間で蒸着の成膜速度安定性を実現した蒸着方法、及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも蒸着源４ａ、４ｂに対向する面を備えたダミー部材７を、成膜チャンバー１の真空排気の過程で該成膜チャンバー１内に搬入し、該ダミー部材７に所定の厚さの蒸着膜を形成した後、実基板２への蒸着を行うことにより、ダミー部材７に堆積する蒸着膜に、蒸着源４ａ、４ｂから放出される不純物や成膜チャンバー１内に残留する水分が取り込まれ、実基板２に堆積する膜に混入する不純物が低減され、実基板２へ蒸着を行う際の圧力に達するまでの時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空内を機構が簡単で基板の蒸着面を上面にして搬送ができ、前記上面搬送においても高精彩に蒸着可能な有機ＥＬデバイス製造装または同製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】
真空内を基板の蒸着面を上面にして搬送し、少なくとも前記基板が移動する場合には前記基板の搬送面が摺動しないように保持し、前記真空チャンバ内で前記基板を受渡し、その後前記基板を垂直または略垂直にたてて蒸着する。
また、上面搬送されてきた複数の基板を一つの真空蒸着チャンバ内で同一の蒸着源で交互に蒸着する。 （もっと読む）

【課題】基板をｙ方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、ｙ方向と直交するｘ方向の蒸着フラックスを測定する。
【解決手段】測定光をｙ方向と直交するｘ方向に通過させ、かつ、測定光の光路より蒸発源側に配置される蒸着フラックスを遮蔽する遮蔽板を用い、測定光の光路と遮蔽板とを相対的に移動することにより、遮蔽板によって遮蔽されない蒸着フラックスに対する、測定光のｘ方向の通過位置を変更することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】厚さ30μm以下の金属リチウム薄膜が安定して製造され、且つ金属リチウム薄膜の転写が容易な多層フィルムを提供することにある。
【解決手段】金属箔の少なくとも片面にプラスチック膜を有し、更にプラスチック膜の少なくとも片面の表面に金属リチウム薄膜を有し、該金属泊がBe、C、Mg、Al、Si、S、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Ta、W、Pt及びAuからなる群から選択される金属元素の少なくとも1種を含む多層フィルム。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気下でシリコン基材の表面部を微細加工により多孔質化し、次いで真空雰囲気のまま連続して当該表面部に成膜処理することができ、シリコン基材に不純物が付着することを抑えることのできる技術を提供すること。
【解決手段】真空室３１内にノズル部５を設け、ノズル部５の吐出口に対向するようにシリコン基板Ｗを保持する。例えばＣｌＦ３ガス及びＡｒガスをノズル部５の基端側から０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａで供給し、この混合ガスをノズル部５の先端側から１Ｐａ〜１００Ｐａの真空雰囲気に吐出させる。これにより混合ガスが断熱膨張し、Ａｒ原子やＣｌＦ３の分子が結合してガスクラスターＣとなる。このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 （もっと読む）